日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)是什么樣的?

h1654155971.8456 ? 來源:EDA365 ? 作者:巢影字幕組 ? 2021-03-06 10:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

導(dǎo)讀:眾所周知,半導(dǎo)體應(yīng)該介于導(dǎo)體與絕緣體之間,那么它的原子結(jié)構(gòu)是什么樣的呢?

觀察元素周期表可知,在導(dǎo)體和絕緣體分界線附近的元素,就是制作半導(dǎo)體的重要材料。

硅元素當然是最有代表性的元素,它的原子結(jié)構(gòu)圖最外層有四個電子,故要達到平衡狀態(tài),就要拉攏或者舍棄四個電子,而硅原子在排列時巧妙地共享了上下左右四個電子,手拉著手組成了穩(wěn)定的8電子結(jié)構(gòu),即共價鍵。

那么,硅的導(dǎo)電性又從何而來呢?

當溫度大于絕對零度時,處于價帶的電子就可能發(fā)生躍遷,變成自由電子,同時,原來的位置就會形成一個空穴,即硅晶體內(nèi)同時存在等量的自由電子和空穴。它們都可以起到導(dǎo)電作用。這就是純凈半導(dǎo)體,也是本征半導(dǎo)體。它結(jié)構(gòu)雖然完美,但想要增加半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,還要參雜其他元素。

當我們把硅原子替換成5價磷原子時,就可以提高自由電子的濃度,得到N型半導(dǎo)體。

同理,用最外層只有三個電子的硼原子替換硅原子,提高空穴的濃度,就可以得到P型半導(dǎo)體。

那么把這兩種類型的半導(dǎo)體連接在一起會發(fā)生什么呢?

N區(qū)的電子迫切的想擴散到P區(qū),P區(qū)的空穴拼命想到N區(qū)去,這時就會形成一個由N區(qū)指向P區(qū)的“內(nèi)電場”,組織擴散進行。在兩者達到動態(tài)平衡后,就會在交界面形成一個空間電荷區(qū),這就是PN結(jié)。

PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,常見?a target="_blank">二極管就是利用這種特性制成的,而利用太陽光照射PN結(jié),就會激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對,經(jīng)過界面層的電荷分離,就會形成一個由P指向N的光生電場,這就是光生伏特效應(yīng),也是太陽能電池的基本原理。

原文標題:被“卡脖子”的半導(dǎo)體到底是什么?3分鐘看懂半導(dǎo)體那些事!

文章出處:【微信公眾號:EDA365】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 太陽能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    37

    文章

    3646

    瀏覽量

    119679
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266784

原文標題:被“卡脖子”的半導(dǎo)體到底是什么?3分鐘看懂半導(dǎo)體那些事!

文章出處:【微信號:eda365wx,微信公眾號:EDA365電子論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    簡單認識半導(dǎo)體的雜質(zhì)和缺陷

    沒有任何雜質(zhì)原子結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體,在這種完美的半導(dǎo)體中,電子要么存在于導(dǎo)帶中,要么存在于價帶中,不可能存在于導(dǎo)帶底和價帶頂之
    的頭像 發(fā)表于 04-14 15:57 ?251次閱讀
    簡單認識<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的雜質(zhì)和缺陷

    簡單認識半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)

    不同的能帶結(jié)構(gòu)決定了絕緣體、半導(dǎo)體導(dǎo)體等材料具有不同的電學(xué)性質(zhì)。對于不同半導(dǎo)體,能帶結(jié)構(gòu)差異必然導(dǎo)致它們的電學(xué)和光學(xué)特性差異。能
    的頭像 發(fā)表于 04-13 17:19 ?469次閱讀
    簡單認識<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的能帶<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>

    簡單認識半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)

    、鋁鎵砷),其中,以硅和砷化鎵為代表的元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體是兩類最常用的半導(dǎo)體。半導(dǎo)體按結(jié)晶狀態(tài)又可分為單晶、多晶和非晶半導(dǎo)體。在現(xiàn)代集
    的頭像 發(fā)表于 04-13 16:04 ?204次閱讀
    簡單認識<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的晶體<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>

    85頁PPT,看懂芯片半導(dǎo)體的封裝工藝!

    (Packaging) ”。與半導(dǎo)體芯片一,封裝也朝著“輕、薄、短、小”的方向發(fā)展。但是,當將信號從芯片內(nèi)部連接到封裝外部時,封裝不應(yīng)起到阻礙作用。 封裝技術(shù)包括“內(nèi)部結(jié)構(gòu)(Internal Structure)技術(shù)”、“外部
    的頭像 發(fā)表于 03-24 15:16 ?1235次閱讀
    85頁PPT,看懂芯片<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的封裝工藝!

    原子級潔凈的半導(dǎo)體工藝核心是什么

    原子級潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過多維度技術(shù)協(xié)同,實現(xiàn)材料去除精度控制在埃米(?)量級,同時確保表面無殘留、無損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析:一、原子層級精準刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟基氣體(如CF?、C?F?)與硅基材料的特異
    的頭像 發(fā)表于 01-04 11:39 ?516次閱讀
    <b class='flag-5'>原子</b>級潔凈的<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>工藝核心是什么

    半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與核心摻雜工藝詳解

    本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝,以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 15:05 ?2295次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的能帶<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>與核心摻雜工藝詳解

    半導(dǎo)體制程中SF6氣體泄漏檢測

    半導(dǎo)體行業(yè)作為現(xiàn)代科技領(lǐng)域的關(guān)鍵支柱之一,為各種電子設(shè)備的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。在半導(dǎo)體制造的各個環(huán)節(jié)中,不同的氣體在特定應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。其中,六氟化硫(SF6)作為一種重要的氣體,在半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-05 10:57 ?498次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制程中SF6氣體泄漏檢測

    是德科技Keysight B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機

    一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
    發(fā)表于 10-29 14:28

    自主創(chuàng)新賦能半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)——江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司與 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計軟件” 的突破之路

    的性能、可靠性與成本,而封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計作為封裝技術(shù)落地的 “第一道關(guān)卡”,對設(shè)計軟件的依賴性極強。在此背景下,江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱 “江蘇拓能”)自主研發(fā)的 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 11:06 ?1267次閱讀
    自主創(chuàng)新賦能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝產(chǎn)業(yè)——江蘇拓能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>科技有限公司與 “<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>設(shè)計軟件” 的突破之路

    原子級制造到鍵合集成,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的 “高端局”

    (CSEAC 2025)主論壇暨第十三屆中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體設(shè)備年會上,拓荊科技股份有限公司董事長呂光泉與青禾晶元半導(dǎo)體科技(集團)有限責(zé)任公司創(chuàng)始人兼董事長母鳳文,分別從原子級制造與鍵合集成兩大核心維度,分享了半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 09-10 07:33 ?8528次閱讀

    晶圓價值百萬,如何做到原子級精準# 半導(dǎo)體

    半導(dǎo)體
    華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造
    發(fā)布于 :2025年09月09日 10:55:49

    半導(dǎo)體外延和薄膜沉積有什么不同

    半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜(外延層),強調(diào)晶體結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:40 ?2214次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>外延和薄膜沉積有什么不同

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的
    發(fā)表于 07-11 14:49

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點是一條直線,就可以免去調(diào)焦過程,本文將介紹一種能把
    發(fā)表于 05-10 22:32
    大荔县| 凌海市| 沅江市| 乐业县| 科尔| 甘孜| 兰坪| 长丰县| 浠水县| 宣化县| 天气| 盘山县| 军事| 肥西县| 延川县| 安化县| 龙南县| 西充县| 共和县| 九龙县| 屏边| 花莲县| 白沙| 从江县| 策勒县| 杂多县| 达日县| 天峨县| 威远县| 东海县| 阳朔县| 临清市| 衡阳县| 拜城县| 介休市| 蒙阴县| 宜兴市| 南陵县| 临汾市| 老河口市| 哈巴河县|