據(jù)外媒報(bào)道，英特爾可能將其7納米制程重命名為5納米以匹配代工廠的營(yíng)銷計(jì)劃。在SemiAccurate看來，如果Intel這樣做，會(huì)讓我覺得他們正陷入陷阱，只會(huì)使他們變得更糟糕。

這個(gè)想法很簡(jiǎn)單，在過去的一二十年中，當(dāng)涉及到制程節(jié)點(diǎn)命名時(shí)，有些廠商的做法已經(jīng)完全擺脫了現(xiàn)實(shí)的束縛。舊的微米/納米命名約定是基于節(jié)點(diǎn)可以或多或少地繪制的最小線條/特征。而在本文中，我們將著重談一下這個(gè)節(jié)點(diǎn)命名背后的故事。

在過去十年里，英特爾在制程技術(shù)方面擁有兩個(gè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。它們是光刻技術(shù)上的領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)，它決定了線寬（也稱納米），并且在該節(jié)點(diǎn)上具有更好的技術(shù)。英特爾早于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手就推出了銅制程，在應(yīng)變硅上領(lǐng)先，最后在FinFET / Tri-Gate方面領(lǐng)先。

這意味著，當(dāng)您將代工流程與同一節(jié)點(diǎn)上的Intel流程進(jìn)行比較時(shí)，Intel的性能通常更好。英特爾產(chǎn)品的密度也是領(lǐng)先的。

業(yè)界關(guān)鍵的過渡點(diǎn)是代工廠的20nm，大致類似于英特爾的22nm節(jié)點(diǎn)。順便說一句，在這個(gè)節(jié)點(diǎn)和下一個(gè)節(jié)點(diǎn)，數(shù)字開始有所不同，有些使用20nm，另一些使用22nm，然后是14nm和16nm，但是我們將簡(jiǎn)化事情，并將其稱為同一節(jié)點(diǎn)。這不同于代工廠通常使用的半節(jié)點(diǎn)，但英特爾傳統(tǒng)上并未發(fā)布。

例如，28nm是基于32nm改進(jìn)的，AMD廣泛使用的GlobalFoudries 12nm就是14nm的變體和當(dāng)前的6nm是7nm的變體。有些節(jié)點(diǎn)和代工廠有半節(jié)點(diǎn)，有些則沒有，有些叫出來，有些則沒有。

回到20 / 22nm，英特爾擁有FinFET，而代工廠采用的是平面工藝，性能相對(duì)較差。這限制了它在低功率，低速零件和密度要求嚴(yán)格的應(yīng)用中的應(yīng)用。但這是一個(gè)短暫的因果過程，今天幾乎沒有人使用它。

英特爾的22nm和FinFETs相當(dāng)可靠，可以正常工作，適用于當(dāng)今性能最高的CPU，一切都很好。

當(dāng)代工廠的FinFET技術(shù)取得突破時(shí)，他們迅速用FinFET取代了20nm晶體管，并在性能和功耗上看到了巨大的好處。這就是三星，GlobalFoundries和TSMC的14 / 16nm節(jié)點(diǎn)。那時(shí)，英特爾當(dāng)時(shí)在14nm上進(jìn)行第二代FinFET和其他調(diào)整，但是代工廠商也在這個(gè)節(jié)點(diǎn)了。

在這里，代工廠的營(yíng)銷開始發(fā)揮作用了。無論如何，這主要是基于技術(shù)的命名方案。晶圓廠的14 / 16nm工藝確實(shí)用FinFET代替了平面晶體管，但是它們沒有做任何其他改變，應(yīng)該是20 / 22nm工藝，但不是縮小工藝。他們的“微縮”并不是真正的微縮，只是底層技術(shù)變更的名稱。

代工廠已經(jīng)晚了幾年，但英特爾已經(jīng)真正進(jìn)入了真正的14納米，其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)不斷擴(kuò)大。為了應(yīng)對(duì)這種真正的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，他們沒有將其14 / 16nm節(jié)點(diǎn)稱為20FF之類的理智之舉，而是將其命名微縮。這完全是不誠(chéng)

Foundry 10nm是從20/22nm開始的第一次真正微縮，按正常的命名，我們應(yīng)該將其稱為14/16nm，但是再次，他們又走上了同樣的路。

Foundry 10nm是一個(gè)非常糟糕的節(jié)點(diǎn)，例如20nm，壽命短，性能低下，一旦它們的7nm工藝（另一個(gè)真正的節(jié)點(diǎn)）出現(xiàn)，它很快就被忘記了。也就是說，這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)都沒有非常接近過去所預(yù)期的50％的面積縮減，但是它們足夠可靠，不能完全虛構(gòu)。代工廠在光刻技術(shù)上取得了真正的進(jìn)步。

大約在這個(gè)時(shí)候，英特爾對(duì)他們的10nm進(jìn)行了相反的處理，雖然技術(shù)上已經(jīng)淘汰了，但是推出的時(shí)間遲了4年以上，良率也沒跟上。這種延遲仍在繼續(xù)，這意味著英特爾在交付產(chǎn)品的性能和密度上從前以前的領(lǐng)先1-2個(gè)節(jié)點(diǎn)到現(xiàn)在的落后1-2個(gè)節(jié)點(diǎn)。

這種劣勢(shì)再加上代工廠從20nm到14nm的節(jié)點(diǎn)命名方式，使Intel顯得更加落后。那些了解該技術(shù)的人都了解，就目前情況而言，英特爾節(jié)點(diǎn)或多或少相當(dāng)于下一個(gè)較小的晶圓代工廠節(jié)點(diǎn)，即英特爾10納米在大多數(shù)情況下都與晶圓代工廠7納米相當(dāng)，英特爾7納米與晶圓廠的5納米等價(jià)。

直到2023年他們的7納米制程發(fā)布時(shí)，英特爾才真正進(jìn)去這個(gè)游戲市場(chǎng)，因此現(xiàn)在代工廠只有自己可以競(jìng)爭(zhēng)。

在過去的五年左右的時(shí)間里，臺(tái)積電一直是制程技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者，而三星在某些時(shí)候緊隨其后。GlobalFoundries在錯(cuò)誤的時(shí)刻拔掉了插頭，并在最近的節(jié)點(diǎn)上退出了比賽。三星的7nm節(jié)點(diǎn)已經(jīng)很晚了，實(shí)際上從未真正打入市場(chǎng)。當(dāng)前整個(gè)行業(yè)的短缺意味著沒有人能獲得足夠的前沿晶圓。

截至撰寫本文時(shí)，7nm的芯片已售罄，而臺(tái)積電5nm的芯片則更糟。那些對(duì)高性能產(chǎn)品需要更多容量的企業(yè)被迫轉(zhuǎn)移到較舊的節(jié)點(diǎn)作為權(quán)宜之計(jì)。

幸運(yùn)的是，營(yíng)銷人員可以為您提供幫助。

Nvidia當(dāng)前的GeForce 3000 GPU系列就是一個(gè)很好的例子。其中一些高端部件是在臺(tái)積電7nm上制造的，其他一些則是在三星的8nm制造的，那基本上是7nm，所以一切都好吧？

正如我們所提到的，SS7實(shí)際上是AWOL，8nm是10nm的衍生，看起來像是接近7nm。

如果您與銷售與8nm相關(guān)產(chǎn)品有關(guān)的任何人交談，即使他們知道得更多，他們也會(huì)強(qiáng)烈暗示它等同于7nm。三星的7nm問題現(xiàn)在導(dǎo)致他們的5nm成為7nm的派生產(chǎn)品，而不是像臺(tái)積電的5nm那樣真正微縮。三星現(xiàn)在的進(jìn)度落后了幾年，但節(jié)點(diǎn)名稱就在那兒。

臺(tái)積電在技術(shù)上一直處于領(lǐng)先地位，而且隨著每個(gè)新節(jié)點(diǎn)的出現(xiàn)，這種差距正在不斷擴(kuò)大。令人震驚的是，即使英特爾仍未參與其中，它們也使命名約定非常誠(chéng)實(shí)。

說到英特爾，他們剛剛宣布了代工業(yè)務(wù)的回歸，因此幾年后他們將回到這場(chǎng)公關(guān)斗爭(zhēng)的中間。對(duì)我們所有人來說幸運(yùn)的是，他們現(xiàn)在又有了衛(wèi)道士的監(jiān)督，而時(shí)間會(huì)證明一切。

正如開頭所說，英特爾有可能將把他們將其即將推出的7nm工藝重命名為5nm，以便與晶圓代工廠的現(xiàn)行規(guī)范保持一致，這也許是一個(gè)壞主意。

為什么？您正在與一個(gè)不在乎規(guī)則的團(tuán)隊(duì)作戰(zhàn)。如果將7重命名為5以與5對(duì)齊，他們可以將5重命名為3。為什么不這樣做，它不再基于實(shí)際情況了。每次晶圓廠的PDK更新都可以將名稱上移到真正的完整節(jié)點(diǎn)微縮。英特爾正在追逐一個(gè)不斷變化的目標(biāo)，競(jìng)爭(zhēng)越來越快。他們的困難，其實(shí)不是在這里。

編輯：jq