日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電磁突破可以降低功耗,提高數(shù)字存儲(chǔ)器的速度

jf_f8pIz0xS ? 來源:賢集網(wǎng) ? 作者:繞波特   ? 2021-04-14 16:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電磁突破可以降低功耗,提高數(shù)字存儲(chǔ)器的速度。克里斯蒂安·比內(nèi)克(Christian Binek)說,“達(dá)到這一點(diǎn)是一個(gè)非常痛苦的過程。”

由Binek,Peter Dowben和Alexei Gruverman領(lǐng)導(dǎo)的內(nèi)布拉斯加州大學(xué)林肯分校尋求Binek所稱的“圣杯”:一種量子材料,其磁態(tài)可以僅通過電手段改變,并且在高于室溫的條件下。

在化學(xué)雜質(zhì)和更少的頓悟的幫助下,該團(tuán)隊(duì)精心設(shè)計(jì)了能夠做到這一點(diǎn)的納米材料和微觀結(jié)構(gòu)。正如Binek所看到的那樣,這種材料含少量雜質(zhì)的氧化鉻,可以預(yù)示著數(shù)字存儲(chǔ)器和處理器的出現(xiàn),這些存儲(chǔ)器和處理器的耗電量遠(yuǎn)低于現(xiàn)代同類產(chǎn)品,而運(yùn)行速度甚至可能更快。

氧化鉻屬于一種專有的材料,具有一種稱為反鐵磁性的現(xiàn)象。

任何磁性材料中的原子都像微小的條形磁鐵一樣工作,每個(gè)磁鐵都有一個(gè)北極和一個(gè)南極。傳統(tǒng)上被認(rèn)為是磁性的大多數(shù)材料實(shí)際上都是鐵磁性的,每個(gè)原子的磁極指向相同的方向以產(chǎn)生易于測(cè)量的磁場(chǎng)。

相反,反鐵磁體具有交替排列的原子列,這些原子的極點(diǎn)指向相反的方向(例如,上下-上下-上下),并且彼此有效地抵消,從而幾乎不產(chǎn)生磁場(chǎng)。

簡(jiǎn)化的動(dòng)畫演示了在鐵磁和反鐵磁材料中如何發(fā)生磁轉(zhuǎn)換。內(nèi)布拉斯加州研究人員開發(fā)的反鐵磁材料的切換速度可能比動(dòng)畫快10萬億倍,這使其速度比傳統(tǒng)鐵磁材料的切換速度快約10倍。

可以切換鐵磁體和反鐵磁體的內(nèi)部磁狀態(tài),以對(duì)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的1和0進(jìn)行編碼。但是由于多種原因,反鐵磁體特別吸引電子工程師。它們?nèi)狈ν獠看艌?chǎng),消除了數(shù)字組件相互干擾的機(jī)會(huì)。許多設(shè)備(包括氧化鉻)自然地與數(shù)字設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的窒息熱量隔絕。

它們的內(nèi)部磁性不僅可以通過外部磁場(chǎng)來切換,還可以通過電場(chǎng)來切換,后者需要的功率大大降低,并且避免了討厭的干擾問題。

盡管氧化鉻在承受熱量和切換磁性狀態(tài)方面是最有力的支持者,但實(shí)際上卻失去了超過華氏93度的反鐵磁性,也失去了被電場(chǎng)操縱的意愿。

假設(shè)您想考慮將存儲(chǔ)設(shè)備帶到CPU附近的任何地方。您無法承受設(shè)備在93度時(shí)喪失所有功能的負(fù)擔(dān)。

為了解決不那么小的問題,Binek和他的同事們首先采用了一種方法,該方法包括創(chuàng)建納米級(jí)的反鐵磁材料薄層-氧化鉻,并在其上面涂上鐵磁材料。他們的邏輯是正確的:使用電場(chǎng)來決定反鐵磁體的狀態(tài),然后會(huì)改變其上方的鐵磁體的磁性,然后會(huì)產(chǎn)生可被讀取為1或0的磁特征。該方法提高了溫度閾值,這本身就是一項(xiàng)重大成就。即使如此,該團(tuán)隊(duì)仍必須施加耗能的磁場(chǎng)。

保持鐵磁體與反鐵磁體耦合的力太弱了。因此我們被迫嘗試其他嘗試。最終使我們受益匪淺。

那是要完全擺脫上面的鐵磁體。研究小組發(fā)現(xiàn),僅反鐵磁體就產(chǎn)生了足夠的表面水平磁信號(hào)(由其原子磁體重新定向90度而不是通常的180度產(chǎn)生),可以作為一點(diǎn)數(shù)據(jù)讀取。

它可以在最高華氏260度的高溫下工作。它僅通過施加電壓即可工作,而無需外部磁場(chǎng)的幫助。不僅如此:相同的力量弱點(diǎn)使團(tuán)隊(duì)以前的方法受挫,這也使得切換反鐵磁體的內(nèi)部磁性方向變得更加容易。與該團(tuán)隊(duì)合作的理論物理學(xué)家估計(jì),轉(zhuǎn)換可能發(fā)生的時(shí)間僅為100皮秒,比典型的鐵磁材料所需的納秒速度快約10倍。

反轉(zhuǎn)鐵磁體的磁化所需的時(shí)間是設(shè)備的限制因素。納秒聽起來很快速,但是對(duì)于現(xiàn)代設(shè)備而言,它太慢了。我們不再需要鐵磁體這一事實(shí)意味著現(xiàn)在也消除了這個(gè)問題。

Binek表示,預(yù)計(jì)的100皮秒速度如何轉(zhuǎn)換為實(shí)際設(shè)備尚不確定,但這是一個(gè)令人鼓舞的早期信號(hào)。不管它實(shí)際上是否比鐵磁體更快地存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù),它在節(jié)能方面的主要優(yōu)勢(shì)都使其成為通常不受電源束縛的設(shè)備的主力軍。

采用物聯(lián)網(wǎng),指的是具有WiFi功能的設(shè)備。如果您希望對(duì)象具有內(nèi)存,那么您就想以低能耗來做所有事情,并且有可能在不忘記系統(tǒng)所處狀態(tài)的情況下將其關(guān)閉。在我們的案例中,這也可以實(shí)現(xiàn)。

該小組最近在《自然通訊》雜志上報(bào)告了其發(fā)現(xiàn)。Binek,Dowben和Gruverman與內(nèi)布拉斯加州的Ather Mahmood,Will Echtenkamp,Mike Street,Wang-Lei Wang,Shi Cao,Takashi Komesu,Pratyush Buragohain和Haidong Lu以及紐約大學(xué)的Arun Parthasarathy和大學(xué)的Shaloo Rakheja共同撰寫了該研究伊利諾伊州香檳分校的地址。

研究人員得到了陸軍研究辦公室的部分支持;國(guó)家科學(xué)基金會(huì),該基金會(huì)資助內(nèi)布拉斯加州的材料研究科學(xué)與工程中心;以及內(nèi)布拉斯加州研究計(jì)劃。樣品是在內(nèi)布拉斯加州材料與納米科學(xué)中心和內(nèi)布拉斯加州納米規(guī)模的工廠制造的。
編輯:lyn

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    20339

    瀏覽量

    255355
  • 電磁
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    1211

    瀏覽量

    54193
  • 數(shù)字存儲(chǔ)器

    關(guān)注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    2722
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    相變存儲(chǔ)器 (PCM) 技術(shù)介紹

    ,這種結(jié)合的優(yōu)勢(shì)顯著。它在提供更大存儲(chǔ)器容量和更高集成度的同時(shí),提高了性能并降低功耗。 穩(wěn)健可靠PCM技術(shù)經(jīng)過開發(fā)和測(cè)試,可滿足高溫運(yùn)行、抗輻射和數(shù)據(jù)保留要求。PCM的工作溫度高達(dá)+
    發(fā)表于 04-29 15:58

    低功耗DRAM可靠存儲(chǔ)解決方案

    在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域,低功耗DRAM正成為越來越多嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)終端的首選。本文介紹的EM639325 SDRAM是一款高速CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,采用128兆位內(nèi)部架構(gòu),專為需要高內(nèi)存帶寬與
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:48 ?250次閱讀
    <b class='flag-5'>低功耗</b>DRAM可靠<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>解決方案

    突破創(chuàng)新:MAX22191超低功耗數(shù)字輸入芯片解析

    突破創(chuàng)新:MAX22191超低功耗數(shù)字輸入芯片解析 在工業(yè)自動(dòng)化與過程控制領(lǐng)域,對(duì)于高效、可靠且低功耗數(shù)字輸入解決方案的需求日益增長(zhǎng)。Ma
    的頭像 發(fā)表于 04-03 12:05 ?207次閱讀

    低功耗psram在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的作用

    在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域,低功耗PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)正逐漸成為智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等對(duì)功耗和體積敏感應(yīng)用的理想選擇。
    的頭像 發(fā)表于 04-03 11:29 ?262次閱讀
    <b class='flag-5'>低功耗</b>psram在嵌入式<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>領(lǐng)域的作用

    Infineon CY15X108QN:低功耗鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的卓越之選

    Infineon CY15X108QN:低功耗鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的卓越之選 在各類電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器的性能直接影響著設(shè)備的運(yùn)行效率和數(shù)據(jù)安全性。英飛凌(Infineon)的CY15X108QN系列8Mb
    的頭像 發(fā)表于 03-29 12:00 ?334次閱讀

    低功耗同步SRAM擴(kuò)展存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

    作為存儲(chǔ)解決方案中的關(guān)鍵成員,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)憑借其卓越的性能和可靠性,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中占據(jù)不可替代的地位。SRAM的應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛,從個(gè)人電腦、工作站到網(wǎng)絡(luò)路由和各種外圍設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 03-06 16:46 ?1153次閱讀

    VTI低功耗SRAM存儲(chǔ)器VTI508HB08

    VTI SRAM存儲(chǔ)器在現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵作用日益凸顯,尤其在高性能微處理中,其低功耗與高速特性已成為提升系統(tǒng)能效的關(guān)鍵。隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)升級(jí),存儲(chǔ)器在整體芯片
    的頭像 發(fā)表于 02-09 14:41 ?303次閱讀

    探索Atmel AT27LV010A:低功耗只讀存儲(chǔ)器的卓越之選

    探索Atmel AT27LV010A:低功耗只讀存儲(chǔ)器的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)的廣闊領(lǐng)域中,尋找一款高性能、低功耗的只讀存儲(chǔ)器(ROM)至關(guān)重要。Atmel AT27LV010A就是這樣
    的頭像 發(fā)表于 01-31 17:05 ?967次閱讀

    CW32F030 FLASH 存儲(chǔ)器的注意事項(xiàng)

    FLASH 的緩存和預(yù)取功能,提高 MCU 對(duì) FLASH 的訪問效率。 ?低功耗特性FLASH 具有低功耗特性,通過設(shè)置 FLASH_CR1.STANDBY 為 1,可以讓 FL
    發(fā)表于 01-12 06:26

    MCU芯片想實(shí)現(xiàn)低功耗如何做到?

    、利用低功耗外設(shè)和組件 選用具有低功耗特性的外設(shè)和組件,如低功耗傳感、存儲(chǔ)器等,從源頭上降低
    發(fā)表于 12-01 08:01

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?812次閱讀

    有哪些具體的硬件措施可以降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的功耗

    降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置功耗的具體硬件措施,需聚焦核心組件節(jié)能、存儲(chǔ) / 外設(shè)精簡(jiǎn)、散熱優(yōu)化、電源高效化四大維度,每個(gè)措施均需明確 “操作方式 + 功耗降幅 + 落地細(xì)節(jié)”,確??芍苯?/div>
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:51 ?600次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    )將多層 DRAM 芯片垂直堆疊,并集成專用控制邏輯芯片,形成一個(gè)緊湊的存儲(chǔ)模塊。這種架構(gòu)徹底打破了傳統(tǒng) DDR 內(nèi)存的平面布局限制,實(shí)現(xiàn)了超高帶寬、低功耗和小體積高集成度的完美結(jié)合,成為支撐 AI、高性能計(jì)算(HPC)和高端
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?5628次閱讀

    CYBT-213043-MESH如何降低低功耗節(jié)點(diǎn)的電流消耗?

    LOW_POWER_NODE 之外 \"Mesh_Demo_Temperure_Sensor \" 的最佳設(shè)置是什么?\"= 1 \" 以盡可能降低低功耗節(jié)點(diǎn)的電流消耗。
    發(fā)表于 07-04 06:21

    紫光國(guó)芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

    近日,紫光國(guó)芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela,容量覆蓋32Mb,64Mb
    的頭像 發(fā)表于 07-01 16:42 ?1866次閱讀
    辉南县| 运城市| 琼结县| 襄垣县| 平湖市| 翁源县| 蚌埠市| 鲁山县| 宿州市| 团风县| 和田县| 昂仁县| 乐安县| 扎赉特旗| 元江| 滨州市| 克东县| 山阴县| 开封市| 阿克陶县| 巴青县| 察雅县| 剑川县| 麻江县| 锦州市| 沧州市| 江孜县| 隆昌县| 七台河市| 澜沧| 东丽区| 高平市| 衡山县| 开平市| 南和县| 邵东县| 华坪县| 阿瓦提县| 施甸县| 延安市| 日土县|