在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，低功耗DRAM正成為越來越多嵌入式系統(tǒng)和移動終端的首選。本文介紹的EM639325 SDRAM是一款高速CMOS同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，采用128兆位內(nèi)部架構(gòu)，專為需要高內(nèi)存帶寬與低功耗平衡的應(yīng)用場景打造。

低功耗DRAM架構(gòu)與工作模式
低功耗DRAM EM639325內(nèi)部配置為四個1M×32位存儲體，每個存儲體組織成4096行、256列、32位結(jié)構(gòu)。所有信號均在時鐘上升沿鎖存，實現(xiàn)完全同步運行。低功耗DRAM芯片支持突發(fā)導(dǎo)向的讀寫訪問，從選定起始地址開始，可按預(yù)設(shè)長度連續(xù)操作。用戶可編程設(shè)置突發(fā)長度：1、2、4、8或整頁，并支持突發(fā)終止選項。自動預(yù)充電功能可在突發(fā)結(jié)束后自動執(zhí)行行預(yù)充電時序，降低軟件開銷。

DRAM低功耗特性突出
作為一款低功耗DRAM產(chǎn)品，EM639325在待機(jī)模式下表現(xiàn)優(yōu)異。時鐘使能（CKE）信號可同步凍結(jié)內(nèi)部時鐘：當(dāng)CKE為低電平時，內(nèi)部時鐘暫停，輸出與突發(fā)地址狀態(tài)保持，所有輸入緩沖器被禁用，從而進(jìn)入掉電或自刷新模式。低功耗DRAM在自刷新模式下，CKE變?yōu)楫惒娇刂?，直到退出該模式。這種設(shè)計使得器件在空閑時功耗極低，非常適合電池供電或?qū)ι崦舾械慕K端設(shè)備。

低功耗DRAM主要技術(shù)參數(shù)
①時鐘訪問時間：5/5.4/5.4 ns
②最高時鐘頻率：200/166/143 MHz
③內(nèi)部流水線架構(gòu)，四存儲體并行
④可編程CAS延遲：2或3
⑤突發(fā)類型：順序與交錯
⑥支持突發(fā)讀取單次寫入及突發(fā)停止功能
⑦字節(jié)控制通過DQM0-3獨立實現(xiàn)
⑧低功耗DRAM有自動刷新與自刷新兩種模式
⑨4096個刷新周期/64ms
⑩單電源3.3V±0.3V，工作溫度0~70℃
?低功耗DRAMLVTTL接口，提供86引腳TSOP II封裝（400密耳）及90球FBGA封裝（8×13×1.2mm）

低功耗DRAM應(yīng)用場景
EM639325的低功耗DRAM特性使其適用于工業(yè)控制、通信設(shè)備、便攜式儀器、車載信息娛樂系統(tǒng)等領(lǐng)域。靈活的模式寄存器允許系統(tǒng)工程師根據(jù)實際性能需求調(diào)整CAS延遲、突發(fā)長度等參數(shù)，最大化內(nèi)存子系統(tǒng)的效率。同時，自動刷新與自我刷新功能簡化了刷新時序設(shè)計，降低了主控芯片的負(fù)擔(dān)。
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審核編輯 黃宇