鐵電半導體的自發(fā)極化與光生載流子相互作用，孕育產生了具有重要應用前景的物理特性，成為發(fā)展新型光電器件的有力候選材料。近年來，二維RP-型鈣鈦礦在該領域嶄露頭角，然而，其晶體結構中相鄰的有機離子層之間通過范德華弱相互作用連接，不利于維持自身結構的穩(wěn)定性。在實現(xiàn)RP-型晶格鐵電性的前提下，如何消除或降低層間能隙、增強結構穩(wěn)定性是該方向面臨的一項挑戰(zhàn)性課題。

在前期工作基礎上，中國科學院福建物質結構研究所結構化學國家重點實驗室“無機光電功能晶體材料”研究員羅軍華團隊提出了一種新穎的結構組裝策略，通過引入柔性羧酸胺基元，利用氫鍵作用來消除/降低晶體結構中的能隙，從而增強鐵電化合物的結構穩(wěn)定性。結果表明，同構型反式異構體的羧酸根之間存在較強的O–H···O氫鍵結合力，將相鄰有機陽離子層連接起來，有效降低了層間能隙，晶格穩(wěn)定性得到顯著提升。同時，羧酸胺基元的有序-無序轉變誘導對稱性破缺結構相變，對產生自發(fā)極化起到重要作用，變溫單晶結構分析、非線性光學和電學等性能研究證實了材料的鐵電效應。

氫鍵作用消除/降低范德華能隙構筑新穎雜化光鐵電半導體

立足二維RP-型鈣鈦礦骨架，該化合物具有強烈的結構各向異性與面內自發(fā)極化效應。在偏振光照射下，表現(xiàn)出依賴于鐵電性的體光伏特性，材料本征的二向色性比率達到~3.2，優(yōu)于多數(shù)傳統(tǒng)無機二維材料體系。該研究首次利用同構型反式異構體的結構基元設計二維RP-型鐵電體，通過氫鍵作用消除/降低范德華能隙的策略為設計合成新穎鐵電材料提供了重要參考。

相關研究成果發(fā)表在《美國化學會志》（J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 4, 2130-2137）上。研究員孫志華為論文通訊作者，中國科學院大學博士研究生劉藝為論文第一作者。研究工作得到國家自然科學基金、中科院基礎前沿0-1原始創(chuàng)新項目、中科院戰(zhàn)略性先導科技專項等的資助。

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