于近日舉辦的英飛凌CoolGaN IPS第三代寬禁帶（WBG）功率半導體媒體溝通會上，英飛凌展示并介紹了面向30W至500W功率級應用的這一系列新品。英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)副總裁陳志豪和電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部應用市場經(jīng)理盧柱強對新品做了詳細介紹和解答。

陳志豪對英飛凌的在國內的營運現(xiàn)狀進行了簡介，英飛凌在大中華區(qū)的業(yè)務不斷拓展，從成立上海辦公室，到無錫擴廠，隨后在北京成立分公司，之后又在無錫第二次擴廠。今年3月，英飛凌還在深圳成立了智能應用能力中心。在完成收購賽普拉斯半導體之后，英飛凌已成為全球十大半導體供應商之一。

盧柱強隨后對氮化鎵和英飛凌在這一材料上的創(chuàng)新作了簡述，目前充電器的技術和市場趨勢主要分為大功率、小尺寸、通用性和低成本四個方面。在英飛凌和賽普拉斯合并之后，英飛凌得以在充電器設計上為客戶提供一站式的解決方案。

英飛凌已經(jīng)在18W-100W的功率范圍內為客戶提供了理想的解決方案，包括高性價比和高功率密度的方案。而氮化鎵降低耗電和總系統(tǒng)成本，并提高工作頻率、功率密度和系統(tǒng)整體效率的優(yōu)勢，使得這一寬禁帶半導體材料愈發(fā)受到充電器市場和廠商的重視。

比如在電源應用中，氮化鎵可以減少開關損耗，尤其是高頻開關。這一優(yōu)勢要歸結于其FOM RDS(on)×Qg只有硅器件的6%，可以顯著減少驅動損耗。

自2018來了起，英飛凌的氮化鎵開關管產(chǎn)品就已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，在通信與服務器領域為客戶提供電源支持。2021年英飛凌推出了新品CoolGaN IPS系列，IPS的全名為集成功率級，即在GaN的開關管的基礎上把驅動IC集成在一個封裝內。

英飛凌600 V CoolGaNTM 半橋式 IPS IGI60F1414A1L適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設計應用。該產(chǎn)品采用了8x8 QFN-28的封裝，針對散熱效能進行強化，可為系統(tǒng)提供極高的功率密度。IPS IGI60F1414A1L還集成了兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 （e-mode） HEMT 開關以及英飛凌 EiceDRIVER?系列中的電氣隔離專用高低側柵極驅動器。

系統(tǒng)級封裝集成和柵極驅動器具備的高精度和穩(wěn)定的傳輸延遲，可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統(tǒng)死區(qū)時間。 這將有助于系統(tǒng)效率極大化，使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平，達到35 W/in3。

盡管氮化鎵在高頻下性能更好，但頻率越高震蕩越大，越容易損壞，所以英飛凌將驅動IC和開關器件集中起來，放到一個封裝內，減少外部與相互的干擾，提高其可靠性，也易于工程師設計。而外圍器件的減少，也相應減少了PCB面積。目前CoolGaN IPS的主要封裝是8x8，未來英飛凌會提供更多的封裝類型供客戶選用。

盧柱強繼續(xù)解釋道，氮化鎵一定是往高頻跑的，工程師都在想辦法往高頻推，頻率高了之后，尖鋒或者是dv/dt會是一個很大挑戰(zhàn)，這時候我們集成Driver以后依然留了一部分的便利性給工程師，我們會把門極驅動和Driver輸出的驅動信號之間拉出來，把這個R/C/D網(wǎng)絡留給工程師，根據(jù)他的實際線路來做配置，根據(jù)你具體的設計來進行優(yōu)化。這里會給大家?guī)砗艽蟮谋憷涂煽啃缘膬?yōu)化。

在問及全氮化鎵的方案什么時候能夠普及時，盧柱強回答到：“從產(chǎn)品層面來看，英飛凌已經(jīng)具備了全氮化鎵方案，也就是包括原邊的高壓氮化鎵，和復變同步整流的100V的氮化鎵，我們這方面的方案也已經(jīng)在跟客戶合作，也就意味著這個從技術方向來看是可以做的，至于什么時候流行還是要看市場，因為這個市場變得太快，但是我們從器件的廠家來看，會配合市場的發(fā)展方向來提供產(chǎn)品?！?br />
針對氮化鎵的良率和成本問題，陳志豪表示：“以英飛凌這么多年在功率器件的生產(chǎn)工藝技術來看，我們生產(chǎn)的良率是非常高的。良率還牽扯到可靠性，你要提供給客戶到哪個可靠性的產(chǎn)品，這都是決定良率的關鍵因素。我們觀察過去20多年來硅的趨勢，20多年前硅在剛推出的時候，跟氮化鎵的現(xiàn)狀很像，它的單價很高。我們的客戶也希望推動碳化硅和氮化鎵發(fā)展，原因是當它的使用量提高之后，它的成本自然就壓下來了，這是一個最關鍵的因素。當然英飛凌一定會在這兩者找到最佳的平衡點?！?br />