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一種聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝的新技術(shù)

MEMS ? 來(lái)源:《壓電與聲光》 ? 作者:《壓電與聲光》 ? 2021-06-15 10:12 ? 次閱讀
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摘要:通過(guò)對(duì)聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的探討,針對(duì)在模組封裝時(shí)器件塌陷成因進(jìn)行了有限元仿真模型研究,模擬了不同模壓量對(duì)器件中腔體最大的塌陷量位置。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,提出了一種新的金屬加強(qiáng)結(jié)構(gòu),在3Mpa較高模壓量時(shí)塌陷量幾乎為0,解決了聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝芯片灌封壓力導(dǎo)致的塌陷問題,降低了器件及模組失效風(fēng)險(xiǎn),是一種聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝的新技術(shù)。

0引言

聲表面波(SAW)濾波器作為一種無(wú)源的濾波器,廣泛用于無(wú)線通訊領(lǐng)域,隨著5G時(shí)代的到來(lái),因通訊頻段的增加,故需在一個(gè)手機(jī)內(nèi)放入大量的濾波器,芯片及封裝向著更小、更薄的方向發(fā)展。從傳統(tǒng)的打線表面貼裝(SMD)發(fā)展到金球倒裝焊接的芯片尺寸封裝(CSP),封裝面積比例從SMD(3mm × 3mm)的27%增加到CSP(1.1mm × 0.9mm)的48%。最新的晶圓級(jí)封裝(WLP)利用一種貼膜設(shè)備可以在晶圓表面貼上兩層A公司生產(chǎn)的聚酰亞胺膜,形成一個(gè)空腔,將工作區(qū)域保護(hù)起來(lái),同時(shí)使用電鍍等工藝將芯片外圍的焊盤引出至器件的表面,從而完成器件的封裝。按此方式制作的SAW濾波器體積小,尺寸與芯片尺寸一致,封裝面積比在90%以上,適合模組的集成操作,且滿足移動(dòng)終端對(duì)尺寸的要求。

WLP封裝工藝的成功應(yīng)用,使SAW濾波器從單體濾波器組合逐步向模組集成方向發(fā)展。但由于SAW濾波器設(shè)計(jì)的原因,很多腔體的尺寸過(guò)大(達(dá)到300μm × 400μm)。在射頻前端模組封裝時(shí),由于灌封時(shí)的高溫導(dǎo)致該封裝材料的機(jī)械強(qiáng)度下降,而無(wú)法抵御灌封時(shí)的高壓力;同時(shí),SAW濾波器的芯片變形塌陷,SAW濾波器中的叉指換能器(IDT)接觸到頂膜材料,這樣整個(gè)SAW濾波器無(wú)法工作,從而導(dǎo)致整個(gè)模組失效。

1結(jié)構(gòu)探討

1.1 WLP工藝制作流程

圖1為SAW濾波器WLP的工藝流程。

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圖1 SAW濾波器的WLP制作流程

1.2塌陷的形成及有限元仿真

SAW濾波器的設(shè)計(jì)需遵循最基本的公式:

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式中:v為材料聲速,一般為定值;λ為SAW波長(zhǎng);f為聲表濾波器頻率;a為金屬指條寬度。

由式(1) ~ (3)可知,f越低,a越寬。再加上通帶外抑制的需要,整個(gè)指條數(shù)量相對(duì)較多,這導(dǎo)致在低頻段的一些設(shè)計(jì)中不可避免地存在相對(duì)大的指條區(qū)域,則必須要大的空腔,其尺寸可達(dá)300μm × 400μm。

在一定壓力下,膜的變形量可按照如下的關(guān)系推理:

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式中:m為形變量;p為灌封壓力;s為腔體接受壓力的面積;h為頂層材料的厚度;E為彈性模量。

在同一灌封壓力的前提下,為了提高膜的耐模壓能力,我們需要提高頂膜的厚度及其彈性模量,同時(shí)需要降低空腔面積。當(dāng)然,我們也可在腔體中間加入起支撐作用的結(jié)構(gòu),如圖2所示。將左側(cè)的一個(gè)大腔體分為幾個(gè)小腔體,這樣能提高器件的抗模壓能力。

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圖2 分腔示意圖

對(duì)于那些無(wú)法分腔的器件,只能采用其他辦法來(lái)保證腔體不塌陷。通過(guò)有限元分析軟件模擬這些灌封的形變,可從一個(gè)定性的角度來(lái)討論形變量的大小。為了對(duì)塌陷情況進(jìn)行研究,我們采用的模型如圖3所示,其中一個(gè)腔體大小為297μm × 525μm。相關(guān)材料參數(shù)如表1所示,其中泊松比為廠家推薦值。

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圖3 模壓試驗(yàn)結(jié)構(gòu)

表1 有限元仿真模擬量列表

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按照3Mpa、5Mpa的正壓力(實(shí)際灌封壓力應(yīng)小于該壓力)定性地進(jìn)行模壓仿真分析,如圖4、5所示。

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圖4 3Mpa下在最大腔體處出現(xiàn)了塌陷

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圖5 5Mpa灌封壓力下器件腔體的最大塌陷量

由圖4可見,最大的塌陷位置出現(xiàn)在一個(gè)約300μm × 400μm的腔體位置,塌陷量約為3.71μm,而空腔結(jié)構(gòu)中空氣腔厚為10~15μm,并未塌陷到底部,器件可以正常工作。由圖5可見,器件中腔體最大的位置塌陷量為6.18μm。

2實(shí)驗(yàn)結(jié)果及優(yōu)化

根據(jù)模擬結(jié)果進(jìn)行了實(shí)際器件的測(cè)試,整個(gè)器件的腔體設(shè)計(jì)與軟件模擬的各項(xiàng)尺寸一致。在實(shí)際模壓灌封時(shí)分為兩步:

1)采用3MPa壓力觀察塌陷情況,若無(wú)塌陷,則進(jìn)行下一步。

2)繼續(xù)增加壓力至5MPa,觀察塌陷情況。

2.1實(shí)驗(yàn)結(jié)果

當(dāng)壓力為3MPa,溫度為180℃,時(shí)間為90s時(shí),空腔剩余量為2.24μm,即塌陷量約為10μm,實(shí)測(cè)結(jié)果與仿真結(jié)果差距較大,如圖6所示。在實(shí)際灌封時(shí)還存在如基板翹曲、器件到灌封口的遠(yuǎn)近等因素,這無(wú)法在仿真軟件中進(jìn)行模擬,仿真結(jié)果僅作為方向性等。

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圖6 3MPa模壓下的實(shí)測(cè)結(jié)果

2.2優(yōu)化方案

通過(guò)在最大腔體位置處增加一層金屬來(lái)加強(qiáng)該結(jié)構(gòu),從而保證腔體的完整性,如圖7所示。

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圖7 金屬加強(qiáng)層位置

設(shè)壓力為3MPa,溫度為180℃,時(shí)間為90s,對(duì)該結(jié)構(gòu)的抗模壓能力進(jìn)行有限元模擬,結(jié)果如圖8所示。

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圖8 金屬加強(qiáng)層3MPa下塌陷量模擬結(jié)果

由圖8可見,金屬層可以減少模壓的塌陷量(由3.71μm 減少到約2μm)。我們對(duì)此器件的實(shí)物進(jìn)行模壓灌封實(shí)驗(yàn),設(shè)壓力為3MPa,溫度為180℃,時(shí)間為90s,進(jìn)行多個(gè)器件的模壓,再進(jìn)行磨片分析。實(shí)物測(cè)試照片如圖9、10所示。

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圖9 帶金屬加強(qiáng)層模壓實(shí)測(cè)結(jié)果(3MPa)

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圖10 模壓實(shí)測(cè)細(xì)節(jié)

由圖9、10可知,金屬層結(jié)構(gòu)起到了支撐作用,整個(gè)腔體幾乎無(wú)塌陷(約為1μm ),這樣的結(jié)構(gòu)能滿足實(shí)際模組封裝的需要。

更進(jìn)一步,我們將頂層膜的厚度從40μm降低到25μm,采用同樣的結(jié)構(gòu)進(jìn)行多次試驗(yàn)均發(fā)現(xiàn),整個(gè)腔體能夠抵御3MPa模壓的壓力,只出現(xiàn)了輕微變形,如圖11所示。

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圖11 模壓實(shí)測(cè)結(jié)果

此加強(qiáng)結(jié)構(gòu)對(duì)于采用一種最簡(jiǎn)易的金屬材料,其加強(qiáng)的效果明顯,能夠很好地抵御模組封裝中的壓力,保證器件的正常工作。但該結(jié)構(gòu)也有兩個(gè)地方需要進(jìn)一步研究,即:

1)該結(jié)構(gòu)對(duì)于性能是否有影響。

2)該結(jié)構(gòu)金屬與灌封材料的粘附性如何。

3其他問題

3.1性能影響

由于該結(jié)構(gòu)在聲表模組里使用,還需考慮此結(jié)構(gòu)對(duì)于器件性能的影響,這種金屬結(jié)構(gòu)在一定程度上成為了一個(gè)天線或電感的結(jié)構(gòu)。為此,我們進(jìn)行了相關(guān)的性能測(cè)試工作,按照這個(gè)結(jié)構(gòu)中芯片的頻率,對(duì)有無(wú)金屬層器件在性能方面進(jìn)行了實(shí)際的測(cè)試工作,如圖12所示。

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圖12 實(shí)測(cè)曲線

由圖12可知,在這個(gè)頻段上,加入金屬層與未加入金屬層的測(cè)試曲線基本重合,這說(shuō)明金屬層的加入對(duì)器件性能的影響不大。

3.2模組可靠性

由于模組用灌封樹脂和金屬的結(jié)合力不及頂膜的結(jié)合力,因此考慮到整個(gè)模組的長(zhǎng)期可靠性,設(shè)計(jì)了其他圖形結(jié)構(gòu),如圖13所示。

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圖13 其他加強(qiáng)結(jié)構(gòu)示意

4結(jié)束語(yǔ)

本文采用有限元仿真模型模擬3MPa、5MPa不同模壓量對(duì)器件中腔體最大的位置塌陷量。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證及金屬加強(qiáng)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,獲得3MPa模壓量時(shí)仍能保持空腔高度的方法,解決了聲表面波濾波器晶圓級(jí)封裝芯片灌封壓力導(dǎo)致的塌陷問題,有利于降低器件及模組的失效風(fēng)險(xiǎn)。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:SAW濾波器WLP封裝中腔體抗模壓塌陷研究

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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