作為音頻領(lǐng)域的熱門單品，倍思 BP1 NC入耳式藍(lán)牙耳機(jī)憑借出色的降噪與續(xù)航表現(xiàn)收獲不少關(guān)注。為探究其核心實(shí)力，我們對(duì)這款耳機(jī)進(jìn)行深度拆機(jī)解析，揭開其背后搭載的杰理JL7106F芯片的

，是構(gòu)建無線個(gè)域網(wǎng)的主流技術(shù)之一。 二、五大核心特點(diǎn) 1. 短距 高效 ，即連即用 藍(lán)牙設(shè)備可自動(dòng)搜索并快速建立連接，無需復(fù)雜配置，實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的即時(shí)通信與數(shù)據(jù)交換。 2. 低功耗設(shè)計(jì)，持久續(xù)航 藍(lán)牙低功耗

無線個(gè)域網(wǎng)的主流技術(shù)之一。二、五大核心特點(diǎn)1. 短距高效，即連即用藍(lán)牙設(shè)備可自動(dòng)搜索并快速建立連接，無需復(fù)雜配置，實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的即時(shí)通信與數(shù)據(jù)交換。2. 低功耗設(shè)計(jì)，持久續(xù)航藍(lán)牙低功耗模式適用于穿戴設(shè)備

瀚昕微HP6017 LDO憑借0.9μA靜態(tài)電流與75dB PSRR，為藍(lán)牙耳機(jī)提供高效純凈供電。其110mV低壓差顯著延長(zhǎng)續(xù)航，低噪聲特性保障高清音質(zhì)，成為TWS耳機(jī)電源方案優(yōu)選。

數(shù)億臺(tái)支持谷歌FastPair協(xié)議的藍(lán)牙耳機(jī)，突然變成可能被人操控的遠(yuǎn)程追蹤器。比利時(shí)荷語魯汶大學(xué)團(tuán)隊(duì)曝光的WhisperPair高危漏洞，把索尼、小米、JBL這些大牌拉進(jìn)了安全信任危機(jī)。從15秒

一、認(rèn)識(shí)米勒電容 如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。 其中： 輸入電容Ciss=Cgs+Cgd， 輸出電容Coss=Cgd+Cds， 反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。 然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會(huì)影響柵極和源極電容的充電。 二、理解米勒效應(yīng) 米勒效應(yīng)是指MOS管g、d的極間電容Crss在開關(guān)動(dòng)作期間引起的瞬態(tài)效應(yīng)。 可以看成是一個(gè)電容的負(fù)反饋。在驅(qū)動(dòng)前，Crss上是高電壓，當(dāng)驅(qū)動(dòng)波形上升到閾值電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通，d極電壓急劇下降，通過Crss拉低g腳驅(qū)動(dòng)電壓，如果驅(qū)動(dòng)功率不足，將在驅(qū)動(dòng)波形的上升沿閾值電壓附近留下一個(gè)階梯，如下圖。 有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢(shì)平臺(tái)，而這個(gè)平臺(tái)增加了MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，造成了我們通常所說的導(dǎo)通損耗。 三、MOS管的開通過程 ①t0—t1階段 這個(gè)過程中，驅(qū)動(dòng)電流ig為Cgs充電，Vgs上升，Vds和Id保持不變。一直到t1時(shí)刻，Vgs上升到閾值開啟電壓Vg（th）。在t1時(shí)刻以前，MOS處于截止區(qū)。 ②t1—t2階段 t1時(shí)刻，MOS管就要開始導(dǎo)通了，也就標(biāo)志著Id要開始上升了。這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流仍然是為Cgs充電，Id逐漸上升，在上升的過程中Vds會(huì)稍微有一些下降，這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降。 從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變。 ③t2—t3階段 從t2時(shí)刻開始，進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)期，米勒平臺(tái)就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動(dòng)的一個(gè)平臺(tái)。此時(shí)漏電流Id最大。且Vgs的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)移給Cgd充電，Vgs出現(xiàn)了米勒平臺(tái)，Vgs電壓維持不變，然后Vds就開始下降了。 ④t3~t4階段 當(dāng)米勒電容Cgd充滿電時(shí)，Vgs電壓繼續(xù)上升，直至MOS管完全導(dǎo)通。 以上是MOS管開通的四個(gè)過程。 所以在米勒平臺(tái)，是Cgd充電的過程，這時(shí)候Vgs變化很小，當(dāng)Cgd和Cgs處在同等水平時(shí)，Vgs才開始繼續(xù)上升。 四、米勒效應(yīng)能避免嗎？ 由上面的分析可以看出米勒平臺(tái)是有害的，造成開啟延時(shí)，導(dǎo)致?lián)p耗嚴(yán)重。但因?yàn)镸OS管的制造工藝，一定會(huì)產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容一定會(huì)存在，所以米勒效應(yīng)不能避免。 目前減小 MOS 管米勒效應(yīng)的措施如下： 1. 提高驅(qū)動(dòng)電壓或者減小驅(qū)動(dòng)電阻，目的是增大驅(qū)動(dòng)電流，快速充電。但是可能因?yàn)榧纳姼袔碚鹗巻栴}； 2.ZVS 零電壓開關(guān)技術(shù)是可以消除米勒效應(yīng)的，即在 Vds 為 0 時(shí)開啟溝道，在大功率應(yīng)用時(shí)較多。

無線個(gè)域網(wǎng)的主流技術(shù)之一。二、五大核心特點(diǎn)1. 短距高效，即連即用藍(lán)牙設(shè)備可自動(dòng)搜索并快速建立連接，無需復(fù)雜配置，實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的即時(shí)通信與數(shù)據(jù)交換。2. 低功耗設(shè)計(jì)，持久續(xù)航藍(lán)牙低功耗模式適用于穿戴設(shè)備

絕大多數(shù)用戶不知道，藍(lán)牙耳機(jī)和小音箱的清晰通話、主動(dòng)降噪都依賴MEMS麥克風(fēng)。本文詳解MEMS麥克風(fēng)原理、優(yōu)勢(shì)及其在音頻設(shè)備中的核心應(yīng)用，帶您了解這項(xiàng)關(guān)鍵科技。

隨著TWS（真無線立體聲）藍(lán)牙耳機(jī)的普及，消費(fèi)者對(duì)耳機(jī)的防水、防汗性能要求越來越高。許多藍(lán)牙耳機(jī)都標(biāo)有IPX4、IPX5甚至更高的防水等級(jí)，

金秋開學(xué)季，長(zhǎng)沙各大高校迎來新生報(bào)到高峰。面對(duì)數(shù)千名學(xué)子集中辦理入學(xué)手續(xù)、掃碼簽到及直播分享校園生活所產(chǎn)生的爆發(fā)式網(wǎng)絡(luò)需求，中國(guó)移動(dòng)湖南分公司（簡(jiǎn)稱“湖南移動(dòng)”）攜手華為，創(chuàng)新引入智能追焦單元

科研新程，賦能啟航！開學(xué)季，店鋪購機(jī)即贈(zèng)好禮！

在追求極致輕薄、高音質(zhì)與智能化的耳機(jī)市場(chǎng)中，有一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)默默支撐著這些特性的實(shí)現(xiàn)——柔性印刷電路板（FPC）。它如同耳機(jī)的“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”，在有限的空間內(nèi)高效連接各組件，賦予耳機(jī)前所未有

一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工中為什么會(huì)出現(xiàn)冷焊?PCBA加工中冷焊的主要原因。PCBA加工中，冷焊問題是影響焊接質(zhì)量的常見缺陷之一。冷焊指的是焊點(diǎn)未完全形成牢固的金屬結(jié)合，表現(xiàn)為焊點(diǎn)表面粗糙、無光澤，甚至在機(jī)械或電氣應(yīng)力下容易斷裂。理解冷焊問題的根源，有助于我們?cè)谏a(chǎn)中加以預(yù)防，提高產(chǎn)品質(zhì)量。 一、PCBA加工中冷焊的主要原因 1. 焊接溫度不足 焊接時(shí)如果溫度未達(dá)到焊錫的熔點(diǎn)，焊料無法充分融化，導(dǎo)致焊點(diǎn)與焊盤或元

始終存在三大痛點(diǎn)，一是音質(zhì)失真率難以突破、二是無損音樂續(xù)航大多低于6小時(shí)、三是環(huán)境復(fù)雜導(dǎo)致耳機(jī)容易斷連，這些痛點(diǎn)阻礙了聆聽體驗(yàn)的升級(jí)。直到MOS管在無線耳機(jī)深度應(yīng)用，