日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2022-01-21 15:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

我經(jīng)常感到的奇怪的是,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。通過共同努力,我們能夠大大增加這項(xiàng)高能效技術(shù)的市場(chǎng)滲透能力。

如果GaN取得勝利,我們都是贏家。世界范圍內(nèi)的能效只需提高1%就足以關(guān)閉45個(gè)火力發(fā)電廠。在我們的日常生活中,我們已經(jīng)目睹了GaN技術(shù)的部署和采用—在幾個(gè)月之前,有些事情我還不太明白,直到我女兒?jiǎn)栁褿aN長(zhǎng)得什么樣子時(shí),我才意識(shí)到,在家中的節(jié)日彩燈中有數(shù)百個(gè)GaN:GaN LED

一個(gè)很不錯(cuò)的合作主題就是GaN可靠性。即使GaN晶體管現(xiàn)在通過了傳統(tǒng)硅質(zhì)量檢測(cè)應(yīng)力測(cè)試,或被稱為“qual”,它的部署和采用仍然很慢。由于它是基于硅材料的,“qual”并不能提振低用戶對(duì)于投入回報(bào)的信心。雖然通過“qual”測(cè)試對(duì)于器件的生產(chǎn)制造、質(zhì)量和可靠性具有里程碑式的意義,但還不清楚它在器件使用壽命、故障率和應(yīng)用相關(guān)性方面對(duì)GaN晶體管具有怎樣的意義。開發(fā)人員有多種選擇,即使硅材料解決方案體積更大且能耗更高,但是它們已經(jīng)過了測(cè)試。

對(duì)于采用GaN的開發(fā)人員來說,他們需要對(duì)這一部件有信心,相信它們?cè)陬A(yù)期的使用壽命內(nèi)能夠在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健耐用運(yùn)行。在TI,我們始終在深入思考這意味著什么,并將其歸結(jié)為圖1中所表示的2個(gè)項(xiàng)目。首先,傳統(tǒng)硅技術(shù)方法需要針對(duì)GaN和其故障模式進(jìn)行拓展。第二,應(yīng)力測(cè)試需要包括電源管理的開關(guān)條件,而這是傳統(tǒng)硅材料qual測(cè)試無法解決的。

當(dāng)一個(gè)行業(yè)攜起手來共同開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)時(shí),這些標(biāo)準(zhǔn)就被認(rèn)為是可信的。預(yù)測(cè)性的可靠性標(biāo)準(zhǔn)需要對(duì)技術(shù)和其故障模式的深入了解;以及在測(cè)試、質(zhì)量鑒定和產(chǎn)品運(yùn)行方面的知識(shí)。預(yù)測(cè)性標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢(shì)在于極大加快了市場(chǎng)普及,而第一步就是意識(shí)到現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷。

我首先在一份白皮書中(一個(gè)鑒定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法)對(duì)這個(gè)問題進(jìn)行說明。這份白皮書引發(fā)了業(yè)內(nèi)的討論,這也促使我們將這個(gè)對(duì)話延續(xù)下去,我們?cè)诮衲?月召開的應(yīng)用電力電子會(huì)議 (APEC) 上提交了一份行業(yè)對(duì)話論文,并且接受IEEE國(guó)際可靠性物理學(xué)討論會(huì) (IRPS) 技術(shù)委員會(huì)的邀請(qǐng)。我們希望本次對(duì)話能夠進(jìn)一步擴(kuò)展至工作組層面,并且在其他人也針對(duì)這個(gè)重要話題發(fā)表看法時(shí)拓展工業(yè)領(lǐng)域的協(xié)作。

TI正在通過可靠且可信賴的GaN產(chǎn)品努力打造一個(gè)能效更高的未來,將數(shù)年的硅制造專業(yè)知識(shí)和先進(jìn)器件開發(fā)才能引入到GaN中。TI一直充分利用我們現(xiàn)有的生產(chǎn)制造基礎(chǔ)設(shè)施和能力,使我們的600V GaN工藝符合要求。為了確??煽啃院头€(wěn)健耐用性,在對(duì)我們的器件進(jìn)行測(cè)試時(shí),我們所使用的GaN特定測(cè)試方法遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了傳統(tǒng)硅質(zhì)量鑒定做法。

借助于合格的器件,電源設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)GaN的滿功率運(yùn)行,打破市場(chǎng)普及阻礙,而最為重要的一點(diǎn)是,使我們有可能生活在一個(gè)能效更高的世界中。

審核編輯:何安

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源管理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    117

    文章

    8664

    瀏覽量

    148268
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少?

    幫助整機(jī)提升效率、降低熱損耗、支持高功率密度設(shè)計(jì)的 AHB 方案,有望繼續(xù)獲得更多廠商關(guān)注;尤其是與 GaN、高集成控制器結(jié)合后,其工程價(jià)值還會(huì)進(jìn)一步提升。 而在這其中,內(nèi)置氮化已成為當(dāng)前 AHB
    發(fā)表于 04-18 10:35

    意法半導(dǎo)體推出氮化功率開關(guān)半橋模塊MasterGaN6

    意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化功率開關(guān)半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6,該功率系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)在一個(gè)封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動(dòng)器和導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅140mΩ的高性能
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:44 ?1810次閱讀

    氮化GaN FET/GaN HEMT 功率驅(qū)動(dòng)電路選型表

    PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),集成了單通道低端驅(qū)動(dòng)器,專為高速應(yīng)用中的氮化
    發(fā)表于 03-17 16:26 ?3次下載

    PC5200 700V_10A GaN HEMT驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    PC5200 是一種增強(qiáng)型硅基氮化GaN-on-Silicon)晶體管。氮化是一種寬禁帶
    發(fā)表于 03-16 17:57 ?1次下載

    PC5012氮化 PIIP 單片集成電路數(shù)據(jù)手冊(cè)

    PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),集成了單通道低端驅(qū)動(dòng)器,專為高速應(yīng)用中的氮化
    發(fā)表于 03-11 15:37 ?1次下載

    CHA6154-99F三級(jí)單片氮化GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級(jí)單片氮化GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級(jí)單片氮化
    發(fā)表于 02-04 08:56

    CGH40006P射頻晶體管

    CGH40006P射頻晶體管CGH40006P是Wolfspeed(原CREE)推出的一款 6W 射頻功率氮化高電子遷移率晶體管GaN
    發(fā)表于 02-03 10:00

    新品 | 第五代氮化CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

    新品第五代氮化CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化CoolGaN650VG5雙通道晶體管
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:09 ?2914次閱讀
    新品 | 第五代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>CoolGaN? 650V G5雙通道<b class='flag-5'>晶體管</b>

    TI TPS7H60x3-SP:適用于太空應(yīng)用的氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器

    )的TPS7H60x3-SP系列輻射加固(RHA)氮化GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)柵極驅(qū)動(dòng)器就是為滿足這些苛刻需求而設(shè)計(jì)的。該系列產(chǎn)品包括TPS7H6003-SP(額定200V
    的頭像 發(fā)表于 01-07 09:55 ?740次閱讀

    英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管,推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)(AEC)汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化GaN晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?6w次閱讀
    英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)<b class='flag-5'>晶體管</b>,推動(dòng)汽車領(lǐng)域<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)技術(shù)創(chuàng)新

    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化功率晶體管G5

    GaN氮化晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本,專為各種工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào):■IGD70R500D2■IGD7
    的頭像 發(fā)表于 11-03 18:18 ?3168次閱讀
    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>G5

    氮化GaN)技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破

    氮化GaN)技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì),從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來,硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解,使其成為電子行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 08-21 06:40 ?8888次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破

    淺談氮化器件的制造難點(diǎn)

    制造氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?5052次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件的制造難點(diǎn)

    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化 (GaN) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化 (GaN) 功率級(jí)適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:56 ?4425次閱讀
    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (<b class='flag-5'>GaN</b>) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

    TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化功率晶體管

    新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化功率
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:07 ?2797次閱讀
    TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>
    扬中市| 紫云| 上杭县| 东明县| 武冈市| 绥棱县| 陇川县| 峡江县| 酉阳| 同德县| 合江县| 略阳县| 海城市| 双桥区| 嘉峪关市| 扎鲁特旗| 阿拉善左旗| 鱼台县| 逊克县| 原平市| 建瓯市| 玉门市| 新源县| 南昌市| 英德市| 尼木县| 石台县| 金溪县| 肇源县| 龙江县| 三明市| 甘谷县| 襄汾县| 宣城市| 渑池县| 交城县| 芮城县| 南岸区| 铜鼓县| 南郑县| 海丰县|