與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率，隨著5G通信和新能源汽車的迅猛發(fā)展，GaN快充技術(shù)也隨之受到關(guān)注。

GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案供應(yīng)商聚能創(chuàng)芯推出純國(guó)產(chǎn)技術(shù)30W~120W氮化鎵PD快充方案，涵蓋熱門的30W單口，65W三口，100W單口和120W四口，并可根據(jù)客戶需求定制，其中120W四口PD快充采用PFC+LLC架構(gòu)，次級(jí)同步整流，輸出固定電壓。多口輸出采用二次降壓方案，實(shí)現(xiàn)接口獨(dú)立快充和功率智能分配。聚能創(chuàng)芯下設(shè)全資的GaN外延公司聚能晶源，與政府合作設(shè)立GaN晶圓制造公司聚能國(guó)際，產(chǎn)品線還包括GaN功率器件，電壓為650V，導(dǎo)阻55~350mΩ，封裝PQFN8*8mm，開關(guān)速度快，減小無源器件需求，耐高溫抗輻照。

11月1日，聚能創(chuàng)芯與世強(qiáng)達(dá)成戰(zhàn)略合作，授權(quán)世強(qiáng)全線代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等產(chǎn)品，聚能創(chuàng)芯產(chǎn)品等相關(guān)資料已在世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)上線。

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審核編輯:湯梓紅