合作將支持快速增長(zhǎng)的應(yīng)用市場(chǎng),共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術(shù)
英國(guó)劍橋,2025 年 10 月 13 日 —— 無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(CGD) 13日宣布與領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)格芯(GlobalFoundries,簡(jiǎn)稱(chēng) GF)達(dá)成合作伙伴關(guān)系。此次合作強(qiáng)化了 CGD 的無(wú)晶圓廠戰(zhàn)略,拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應(yīng)鏈。
CGD 的創(chuàng)新單芯片技術(shù)可與標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器兼容,并基于標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 晶圓制造工藝。這意味著制造 GaN 晶圓無(wú)需專(zhuān)用工藝——通過(guò)利用 GF 的先進(jìn) 8 英寸制造工藝,CGD 產(chǎn)品的制造成本將保持高度競(jìng)爭(zhēng)力。
ICeGaN 的知識(shí)產(chǎn)權(quán)基于設(shè)計(jì)而非工藝,具備“晶圓廠無(wú)關(guān)性”(fab agnostic),可輕松遷移至新的代工廠。此外,CGD 的設(shè)計(jì)流程建立在多年 GaN 技術(shù)經(jīng)驗(yàn)之上,采用成熟的方法學(xué),實(shí)現(xiàn)快速工藝移植。GF 通過(guò)對(duì)專(zhuān)有測(cè)試芯片特征數(shù)據(jù)應(yīng)用先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)算法,持續(xù)優(yōu)化模型,從而實(shí)現(xiàn)新產(chǎn)品的可靠、可預(yù)測(cè)性能,并確保及時(shí)交付。
這一能力實(shí)現(xiàn)了“設(shè)計(jì)一次成功”的目標(biāo),使 ICeGaN 功率器件能夠更快推向市場(chǎng),為 CGD 提供快速創(chuàng)新和靈活應(yīng)對(duì)應(yīng)用變化的能力。
CGD 首席運(yùn)營(yíng)官 Simon Stacey 表示:
“將 CGD 的設(shè)計(jì)流程與 GF 優(yōu)秀的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)結(jié)合,是我們加速下一代 GaN 功率器件開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)的關(guān)鍵。我們非常高興能與 GF 合作,他們?cè)诖し?wù)方面的專(zhuān)業(yè)實(shí)力及對(duì) GaN 技術(shù)的投入,與我們的 ICeGaN 器件完美契合?!?br />
GaN 技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)前景
氮化鎵(GaN)技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì):更高效率、更高功率密度、更小體積及更快開(kāi)關(guān)速度。這些特性使電力電子設(shè)計(jì)師能夠開(kāi)發(fā)出更加可持續(xù)、節(jié)能的系統(tǒng)。結(jié)合無(wú)晶圓廠商業(yè)模式具有的靈活性,CGD 得以充分把握快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。對(duì) GaN 技術(shù)持續(xù)增長(zhǎng)的需求見(jiàn)證了這一趨勢(shì)。
ICeGaN 的獨(dú)特之處在于:它將 GaN 開(kāi)關(guān)、接口電路及保護(hù)電路集成于同一 GaN 芯片,而非像市面其他方案那樣采用多芯片或共封裝設(shè)計(jì)。CGD 的集成方案簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),使其可直接使用標(biāo)準(zhǔn)硅驅(qū)動(dòng)器,并具備極高的可靠性。CGD 目前是全球唯一能夠在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器上運(yùn)行的單芯片 GaN 技術(shù)供應(yīng)商,使新一代電源系統(tǒng)更高效、更具可擴(kuò)展性。這讓設(shè)計(jì)工程師們相信GaN 技術(shù)在效率、尺寸及熱性能方面均顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件。
關(guān)于 Cambridge GaN Devices(CGD)
Cambridge GaN Devices(CGD)是一家設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)并商業(yè)化GaN 晶體管和集成電路的公司,致力于實(shí)現(xiàn)能效和緊湊性的新突破。我們的使命是通過(guò)提供易于使用的高效 GaN 解決方案,將創(chuàng)新帶入日常生活。
CGD 的 ICeGaN? 技術(shù)已被驗(yàn)證適用于大規(guī)模量產(chǎn),公司正通過(guò)完善的供應(yīng)鏈與客戶(hù)合作伙伴關(guān)系快速擴(kuò)張。CGD 是一家無(wú)晶圓廠企業(yè),源自劍橋大學(xué),由首席執(zhí)行官 Giorgia Longobardi 博士 和首席技術(shù)官 Florin Udrea 教授 創(chuàng)立,他們與劍橋大學(xué)著名的高壓微電子與傳感器研究組(HVMS)保持著緊密聯(lián)系。
CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)受到強(qiáng)大且不斷擴(kuò)展的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合保護(hù),體現(xiàn)了公司對(duì)創(chuàng)新的長(zhǎng)期承諾。CGD 團(tuán)隊(duì)的技術(shù)與商業(yè)專(zhuān)長(zhǎng),加之在功率電子市場(chǎng)的豐富經(jīng)驗(yàn),是其專(zhuān)有技術(shù)獲得市場(chǎng)認(rèn)可的關(guān)鍵。
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