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回顧2021年國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)重大事件

lPCU_elecfans ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 2022-01-26 10:43 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導(dǎo)體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比,碳化硅的耐壓等級(jí)更高,可使用的平臺(tái)也更廣。尤其是在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅高效、耐高壓的特性被越來越多的車企認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。

在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。

天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊(duì),首發(fā)過會(huì)并成功上市

天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),天岳先進(jìn)在2019、2020年連續(xù)躋身半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)的世界前三,在襯底材料與產(chǎn)能方面均實(shí)現(xiàn)了自主可控。

2021年5月,獲得哈勃投資的天岳先進(jìn)正式向上交所提交了科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)。9月,天岳先進(jìn)科創(chuàng)板IPO成功過會(huì)。今年1月21日,正式登陸科創(chuàng)板成功上市。

從2018至2020的營(yíng)收與凈利潤(rùn)來看,天岳先進(jìn)的營(yíng)收成逐年遞增的發(fā)展態(tài)勢(shì),甚至在2019年實(shí)現(xiàn)了翻倍式的增長(zhǎng),但凈利潤(rùn)卻出現(xiàn)了連年虧損,凈利潤(rùn)由2018年的-0.43億元擴(kuò)大到2020年的-6.42億元。

盡管如此,得益于碳化硅產(chǎn)業(yè)的大熱,以及碳化硅功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和快速充電站中高效、高功率密度的表現(xiàn)。在天岳先進(jìn)披露的認(rèn)購(gòu)名單中出現(xiàn)了廣汽資本的廣祺柒號(hào)、上汽集團(tuán)、小鵬汽車等眾多車企的身影,甚至吸引來了新加坡最大的國(guó)際投資機(jī)構(gòu)(新加坡政府投資公司)的垂愛。上市首日股價(jià)上漲了3.27%,市值367.40億元。

博世碳化硅芯片啟動(dòng)量產(chǎn)計(jì)劃

經(jīng)過多年的研發(fā),以及長(zhǎng)時(shí)間的產(chǎn)品驗(yàn)證,博世已經(jīng)具備了碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)的能力,2021年12月,博世通過官網(wǎng)宣布正式開啟碳化硅芯片的大規(guī)模量產(chǎn)計(jì)劃。其實(shí),博世在2021年初就已經(jīng)生產(chǎn)并為特定用戶提供用于驗(yàn)證的碳化硅芯片,也因此獲得了大量碳化硅芯片訂單。據(jù)博世官方表示,目前已經(jīng)開始著手于研發(fā)能夠滿足更高功率密度應(yīng)用的第二代碳化硅功率器件,預(yù)計(jì)將會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)愈發(fā)明顯,市場(chǎng)需求不斷攀升,博世于2021年開始增建1000平方米的200mm晶圓生產(chǎn)無(wú)塵車間,意圖通過大尺寸晶圓,提升同一生產(chǎn)周期內(nèi)芯片的生產(chǎn)數(shù)量,增加產(chǎn)能。該生產(chǎn)車間已于去年9月實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),200mm晶圓產(chǎn)能提升10%。預(yù)計(jì)到2023年底,博世還會(huì)新建一個(gè)3000平方米的無(wú)塵生產(chǎn)車間,持續(xù)擴(kuò)大博世碳化硅功率器件的產(chǎn)能。

ST成功制出200mm碳化硅晶圓

近年來芯片短缺的問題限制了眾多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提高產(chǎn)能已成為了上游芯片廠商的主要目標(biāo)。2021年7月,ST宣布位于瑞典北雪平的200mm晶圓工廠,成功下線首批200mm的碳化硅晶圓片。200mm的晶圓與此前的150mm晶圓在可用面積上提升近一倍,這也就意味著,ST的碳化硅芯片產(chǎn)能也得到了進(jìn)一步擴(kuò)大。

在產(chǎn)品良率方面,憑借著ST在碳化硅領(lǐng)域多年的經(jīng)驗(yàn)積累,很好地規(guī)避了碳化硅硬度高且脆而帶來高制備損耗的問題,ST的首批200mm碳化硅晶圓良率極高,芯片合格數(shù)量達(dá)到了150mm碳化硅晶圓的1.8 - 1.9 倍,隨著產(chǎn)能的擴(kuò)大,ST的市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)效益也會(huì)得到進(jìn)一步的提升。

基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)線落成

汽車電氣化的快速普及,功率器件成為最大的受益者,作為高效、高壓代表碳化的硅功率器件市場(chǎng)需求異常旺盛。2021年12月,國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)基本半導(dǎo)體傳來好消息,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)線正式開通,也迎來了首批碳化硅功率模塊的下線。

據(jù)悉,這是國(guó)內(nèi)首條車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊專用生產(chǎn)線。為滿足車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件的生產(chǎn)要求和提升產(chǎn)品的品質(zhì)與性能,基本半導(dǎo)體為該產(chǎn)線導(dǎo)入了車規(guī)級(jí)碳化硅專用的封裝設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了功率模塊在使用壽命、電流流通量、散熱性能的大幅度提升。同時(shí)該產(chǎn)線還是一條數(shù)字化、智能化的生產(chǎn)線,通過全自動(dòng)化的生產(chǎn)流程,進(jìn)一步提升了碳化硅功率模塊的生產(chǎn)效率與一致性。

該產(chǎn)線將于今年3月開始小批量的試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能交付,首年碳化硅功率模塊計(jì)劃產(chǎn)能在25萬(wàn)只左右,預(yù)計(jì)將會(huì)在2025年之前完成年產(chǎn)能150萬(wàn)只的目標(biāo)。基本半導(dǎo)體的前瞻部署,有利于緩解車規(guī)級(jí)芯片緊缺的問題,助力“雙碳”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。

韓國(guó)最大無(wú)晶圓廠收購(gòu)LG碳化硅業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒報(bào)道,2021年12月韓國(guó)最大的無(wú)晶圓半導(dǎo)體制造商LX Semicon收購(gòu)了LG Innotek包括碳化硅晶圓、器件生產(chǎn)設(shè)備和芯片、晶圓制造方法及外延片的相關(guān)專利,并完成了資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓合同的簽署。

自2019年開始,LG Innotek的碳化硅業(yè)務(wù)一直被作為國(guó)家級(jí)的產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目發(fā)展,因此LG Innotek在碳化硅生產(chǎn)、制備技術(shù)方面有一定的經(jīng)驗(yàn)積累。LX Semicon同屬于LG集團(tuán)的控股公司,LCD驅(qū)動(dòng)芯片為該公司的主要營(yíng)收來源,受韓國(guó)國(guó)內(nèi)LCD市場(chǎng)動(dòng)蕩影響,LX Semicon危機(jī)感十足。為擺脫這一僵局,LX Semicon試圖通過布局SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)獲得新的營(yíng)收增長(zhǎng)。對(duì)收購(gòu)LG Innotek SiC資產(chǎn)后的商業(yè)計(jì)劃,LX Semicon相關(guān)負(fù)責(zé)人稱“是為了強(qiáng)化碳化硅半導(dǎo)體研發(fā)”

積塔完成80億融資,發(fā)力碳化硅

積塔半導(dǎo)體是一家專注于模擬電路與功率器件生產(chǎn)工藝研發(fā)與制造的企業(yè),生產(chǎn)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了汽車電子、工業(yè)控制、電源管理、智能終端等多領(lǐng)域的覆蓋。

11月30日,積塔半導(dǎo)體對(duì)外宣稱已完成了80億人民幣戰(zhàn)略融資,本輪融資吸引了上汽集團(tuán)旗下尚頎資本、匯川技術(shù)、創(chuàng)維投資、小米長(zhǎng)江基金等資本的支持。據(jù)積塔半導(dǎo)體表示,該輪融資主要用于車規(guī)級(jí)電源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等方向的研發(fā),進(jìn)一步提升積塔半導(dǎo)體在汽車電子領(lǐng)域的產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固積塔半導(dǎo)體在車規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域的制造優(yōu)勢(shì),緩解目前汽車芯片產(chǎn)能的困境。

同時(shí),積塔半導(dǎo)體在臨港芯片區(qū)的6英寸碳化硅產(chǎn)線已于2020年順利投產(chǎn),月產(chǎn)能可達(dá)5000片。

三安半導(dǎo)體:國(guó)內(nèi)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線投產(chǎn)

2021年6月,湖南三安半導(dǎo)體的6英寸碳化硅產(chǎn)線點(diǎn)亮投產(chǎn),該產(chǎn)線是國(guó)內(nèi)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線,提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式,該產(chǎn)線的建成能夠讓三安半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域,充分保證產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)性和交付的時(shí)效性。加速了上游Fabless芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的產(chǎn)品驗(yàn)證與迭代,縮短了下游終端產(chǎn)品的上市周期。有利于推動(dòng)我國(guó)碳化硅的產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展。

三安半導(dǎo)體的6英寸碳化硅產(chǎn)線項(xiàng)目總投資160億元,規(guī)劃用地達(dá)1000畝,碳化硅晶圓月產(chǎn)能在30000片左右。

CREE更名Wolfspeed專注碳化硅

2021年10月,CREE正式更名Wolfspeed,并于10月4日在納斯達(dá)克交易所將原本的“CREE”股票代號(hào)更換為“WOLF”。

10月8日,Wolfspeed官方發(fā)布的推文中提到,Wolfspeed經(jīng)歷了4年的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,最終剝離了原先占比近2/3的業(yè)務(wù),并將碳化硅作為公司戰(zhàn)略發(fā)展的核心。Wolfspeed這一名字在該公司的碳化硅產(chǎn)品中已經(jīng)延續(xù)使用六年,此次更名也意味著Wolfspeed將會(huì)更加專注碳化硅技術(shù)的研發(fā)。在正式更名當(dāng)天,Wolfspeed還與通用汽車達(dá)成了碳化硅戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議,為通用汽車提供更節(jié)能的碳化硅產(chǎn)品,延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

Wolfspeed在碳化硅領(lǐng)域有著垂直一體化的產(chǎn)業(yè)布局,其中碳化硅襯底占據(jù)市場(chǎng)總額的60%。據(jù)Wolfspeed披露,該公司位于MohawkValley的全球最大8英寸碳化硅晶圓廠有望在今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),屆時(shí)產(chǎn)能的釋放有望能夠緩解SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張的問題,加速碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的滲透。

正海集團(tuán)與羅姆就成立合資公司達(dá)成協(xié)議,大力發(fā)展碳化硅

2021年10月,正海集團(tuán)與功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)正式簽署合資協(xié)議,根據(jù)協(xié)議規(guī)定,正海集團(tuán)和羅姆半導(dǎo)體將會(huì)合資成立上海海姆??瓢雽?dǎo)體有限公司,在股權(quán)出資方面正海集團(tuán)出資80%、羅姆出資20%,正海集團(tuán)由100%控股權(quán)。

據(jù)介紹,海姆??浦鳡I(yíng)業(yè)務(wù)為新能源汽車碳化硅功率模塊業(yè)務(wù),包括產(chǎn)品的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售。羅姆與正海集團(tuán)的合作,主要是為了將羅姆在碳化硅領(lǐng)域芯片與模塊的先進(jìn)工藝與正海集團(tuán)在逆變器領(lǐng)域額開發(fā)技術(shù)進(jìn)行整合,致力于開發(fā)出更高效車用碳化硅模塊,力爭(zhēng)在碳化硅功率模塊領(lǐng)域成為中國(guó)第一。

據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)獲悉,海姆??菩麻_發(fā)的碳化硅功率模塊已獲得新能源車企應(yīng)用于高端車型的訂單。在產(chǎn)能方面,海姆??频奶蓟韫β誓K前期將會(huì)在羅姆的日本工廠進(jìn)行小批量的生產(chǎn),到2023年交由上海閔行工廠開始大批量生產(chǎn)。

安森美斥4.15億美元收購(gòu)GTAT

2021年8月 ,安森美與GTAT達(dá)成最終協(xié)議,安森美將以4.15億美元收購(gòu)GTAT,延伸安森美的碳化硅版圖,該收購(gòu)項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2022年上半年完成。

GTAT是碳化硅的主要供應(yīng)商,在制造碳化硅和藍(lán)寶石材料,以及碳化硅晶體生長(zhǎng)方面有用著豐富的經(jīng)驗(yàn)積累。此次收購(gòu)對(duì)于安森美而言是一次戰(zhàn)略性垂直整合,安森美在收購(gòu)GTAT之前,大部分用于芯片生產(chǎn)的碳化硅晶圓均由外部采購(gòu)而來,完成收購(gòu)后,安森美不會(huì)再因供應(yīng)鏈產(chǎn)能緊張的問題而影響產(chǎn)品的交付。充足的資源平臺(tái),進(jìn)一步推動(dòng)了安森美在碳化硅領(lǐng)域的差異化和領(lǐng)先地位。

同時(shí),安森美還計(jì)劃加大GATA在碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)力度,進(jìn)而推進(jìn)150mm和200mm SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù),擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,盡可能地降低安森美發(fā)展碳化硅受到的產(chǎn)能限制。

原文標(biāo)題:2021碳化硅十大熱門事件盤點(diǎn):擴(kuò)產(chǎn)、收購(gòu)、合資、上市

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審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:2021碳化硅十大熱門事件盤點(diǎn):擴(kuò)產(chǎn)、收購(gòu)、合資、上市

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    國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)應(yīng)用的空白,更為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力,同時(shí)也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前,該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8英寸碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1930次閱讀

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7406次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?2038次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1452次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計(jì)與市場(chǎng)開拓 ,但很快意識(shí)到IDM(集成設(shè)計(jì)制造)模式
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1508次閱讀

    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動(dòng)行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:42 ?746次閱讀
    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>勞動(dòng)者致敬
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