東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920
東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線
東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超結結構N溝道功率MOSFET中推出四款新產品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”,它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備的開關電源。
產品線擴展了器件的封裝、漏源導通電阻和柵漏電荷。
與上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源導通電阻×柵漏電荷”的品質因數(shù)降低約40%,關電源效率提高約0.36%。
景嘉微旗艦新品JH920隆重發(fā)布
此前,景嘉微以“創(chuàng)‘芯’視界,應用無界”為主題發(fā)布了旗艦新品JH920。
JH920是景嘉微第三代具有完全自主知識產權的高性能圖形處理器芯片,對比前兩代,性能有了大幅度提升。JH920主要應用于中高端圖形顯示、通用計算、嵌入式等領域。支持4路獨立顯示輸出,支持多屏同時輸出,支持4路視頻解碼,1路視頻編碼,支持OpenGL4.0、Vulkan1.1等圖形編程接口,支持OpenCL3.0計算編程接口,支持4路4K@60fps HDMI2.0外視頻輸入。全面支持國產CPU、國產操作系統(tǒng)和國產固件,可廣泛應用于PC、服務器、圖形工作站等設備,滿足地理信息系統(tǒng)、圖像匹配、信號處理、機載車載艦載顯控等顯示計算需求。同時,JH920還可以支持多種游戲引擎,如OGRE,UE4,Unity3D等。
飛騰入選首批CITIVD信創(chuàng)政務產品安全漏洞專業(yè)庫技術支撐單位
在工業(yè)和信息化部網(wǎng)絡安全管理局組織指導下,由國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心負責建設和運營的 “信創(chuàng)政務產品安全漏洞專業(yè)庫”(簡稱:CITIVD)正式頒發(fā)首批技術支撐單位證書。憑借在信創(chuàng)和信息網(wǎng)絡安全領域深厚的技術積累及研發(fā)實力,飛騰成功入選。
作為國內領先的自主核心芯片提供商,飛騰公司一直以實際行動防范安全漏洞,設計研發(fā)主動免疫的可信計算 CPU 并推動落地應用。2019 年,飛騰就發(fā)布了國內首個處理器安全架構規(guī)范 PSPA,并在 FT-2000/4、飛騰騰銳 D2000 處理器中相繼得到實現(xiàn)。飛騰研究院安全研究團隊對處理器安全及其相關領域進行廣泛研究與前沿探索,涉及處理器微架構攻擊與防御、側信道攻擊與防御、固件安全和虛擬化安全等諸多方向。
綜合自東芝 景嘉微 飛騰 企業(yè)官網(wǎng)
-
處理器
+關注
關注
68文章
20339瀏覽量
255348 -
MOSFET
+關注
關注
151文章
10834瀏覽量
235084 -
東芝
+關注
關注
6文章
1511瀏覽量
124741 -
飛騰
+關注
關注
2文章
385瀏覽量
14486 -
景嘉微
+關注
關注
0文章
61瀏覽量
5886
發(fā)布評論請先 登錄
探索NTPF250N65S3H:650V N溝道SUPERFET III MOSFET的卓越性能
探索 onsemi NTPF125N65S3H:高性能 650V N 溝道 MOSFET 的卓越表現(xiàn)
onsemi NTP095N65S3HF 650V N溝道MOSFET深度解析
Onsemi NTHL019N65S3H:高性能650V N溝道MOSFET的卓越之選
深入剖析NTD360N65S3H:高性能650V N溝道MOSFET
探索 onsemi NTH4LN040N65S3H 650V N 溝道功率 MOSFET
深入解析 FCB260N65S3:650V N 溝道 SUPERFET III MOSFET 的卓越性能與應用
onsemi FCB070N65S3:650V N溝道功率MOSFET的卓越性能與應用
探究 onsemi FCP190N65S3 650V N 溝道 MOSFET 特性與應用
東芝推出三款最新650V SiC MOSFET
東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920
評論