臺(tái)積電3nm制程取得突破，新芯片N3B將于8月投產(chǎn)
今日，據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道，近期臺(tái)積電研發(fā)已久的3nm制程工藝取得了重大突破。
經(jīng)歷多番波折的3nm工藝終于有所突破，臺(tái)積電為此改變了策略，決定將要于今年8月份量產(chǎn)第二版名為N3B的3nm制程，據(jù)報(bào)道，今年8月，臺(tái)積電的新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠和南科18廠P5廠將會(huì)同步投片，以鰭式場(chǎng)效晶體管架構(gòu)與對(duì)手三星的環(huán)繞閘極制程展開(kāi)對(duì)決。
在前段時(shí)間，有業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)蘋(píng)果新一代產(chǎn)品iPhone 14的A16處理器將會(huì)搭載臺(tái)積電的5nm加強(qiáng)版的N4P工藝，如今最新的N3B工藝看來(lái)只能等到蘋(píng)果下一代產(chǎn)品才能用上了。
聯(lián)合報(bào)還報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電目前規(guī)劃新竹工廠和臺(tái)南工廠的月產(chǎn)能分別為1~2萬(wàn)片和1.5萬(wàn)片。
綜合整理自 王石頭 澎湃新聞 半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟
編輯 黃昊宇
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