三星計劃6月完成第六代1cDRAM開發(fā)

據(jù)報導，三星電子計劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開發(fā)。

據(jù)悉，三星近期通知公司內(nèi)部半導體研究人員，公司決定跳過并放棄12納米制程1b DRAM的開發(fā)。 先前傳出三星1b遇到研發(fā)障礙，可能修改產(chǎn)品軌道與戰(zhàn)略。

三星已經(jīng)設定了目標，即在今年6月前完成11納米的第六代1c DRAM 芯片的開發(fā)。據(jù)說該公司已經(jīng)要求其研究人員停止或跳過 1b DRAM 的開發(fā)，這是一種 12 納米芯片。

長江存儲即將推出存儲卡類產(chǎn)品

長江存儲官網(wǎng)發(fā)布預告，即將推出存儲卡類產(chǎn)品，滿足手機，相機，無人機等數(shù)碼產(chǎn)品使用，官網(wǎng)顯示“敬請期待”。

長江存儲近日宣布推出 UFS 3.1 通用閃存 ——UC023，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR / VR 等智能終端領域。

新型存儲ReRAM，存算一體

在后摩爾時代，單純通過工藝制程的提升降低芯片功耗的路徑也日漸捉襟見肘，已經(jīng)接近摩爾定律的物理極限。

但隨著基于ReRAM的全數(shù)字存算一體架構(gòu)大算力、低功耗、易部署芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，這一難題似乎有了新的解決思路。

基于憶阻器ReRAM技術(shù)的計算單元可以通過阻值器件的存儲記憶特性，利用基礎物理定律和原理完成海量的AI計算；

通過存算一體的架構(gòu)，可以節(jié)省把數(shù)據(jù)從內(nèi)存單元逐層搬遷到計算單元的環(huán)節(jié)，從而得以節(jié)省因為數(shù)據(jù)搬遷而產(chǎn)生的大量衍生成本。

這此類方式也符合國家對于碳中和、碳達峰的技術(shù)發(fā)展路線，改變了傳統(tǒng)AI運算數(shù)據(jù)量需要帶來巨大能耗的現(xiàn)狀。

文章綜合愛集微、PConline、IT之家、Ai芯天下

編輯：黃飛