谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工，本月開(kāi)始量產(chǎn)
據(jù)媒體報(bào)道稱(chēng)，谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開(kāi)始量產(chǎn)，代工方為三星，將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。
Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代Tensor將在本月開(kāi)始量產(chǎn)，據(jù)谷歌透露消息稱(chēng)，谷歌的新Pixel 7手機(jī)將會(huì)搭載第二代Tensor芯片。
與第一代不同的是，第二代Tensor芯片采用了PLP技術(shù)，這是一種封裝技術(shù)，通過(guò)這種技術(shù)能夠減少芯片制造過(guò)程中廢棄的邊緣，從而達(dá)到節(jié)省成本和提高生產(chǎn)力的效果。
第一代Tensor芯片采用了三星5nm制程工藝，但是其性能與其它同期芯片相比顯得相形見(jiàn)絀，并且伴隨的還有續(xù)航等問(wèn)題，這次有著更先進(jìn)的4nm制程工藝做支撐的第二代Tensor表現(xiàn)又會(huì)如何呢？
綜合整理自 IT之家 cnBeta PConline
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
谷歌
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
6259瀏覽量
111999 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1782瀏覽量
34467
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強(qiáng)勁的多功能芯片解決方案
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強(qiáng)勁的多功能芯片解決方案 在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備對(duì)于高性能、多功能芯片的需求愈發(fā)迫切。Renesas 的 RZ/G 系列第二代產(chǎn)品，包括 RZ/G2H、RZ
3nm大規(guī)模導(dǎo)入光模塊：Credo推出二代1.6T光DSP
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，在博通推出行業(yè)首款3nm光DSP后，Crdeo近日也宣布推出第二代Cardinal系列1.6T光DSP產(chǎn)品，同樣基于3nm先進(jìn)工藝。 AI計(jì)算集群正持續(xù)突破網(wǎng)絡(luò)基
消息稱(chēng)英偉達(dá)HBM4訂單兩家七三分，獨(dú)缺這一家
的相關(guān)產(chǎn)品。 三星電子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工藝，其數(shù)據(jù)處理速度超過(guò)了JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps，最高可達(dá)11.7
三星2nm良率提升至50%，2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期
據(jù)報(bào)道，三星電子第一代2nm GAA制程（SF2）良率已穩(wěn)定在50%，該數(shù)據(jù)也通過(guò)其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過(guò)提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性
類(lèi)比半導(dǎo)體全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80152和SPI高邊HD708204量產(chǎn)
致力于提供高品質(zhì)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)信號(hào)鏈芯片供應(yīng)商上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱(chēng)“類(lèi)比半導(dǎo)體”或“類(lèi)比”）宣布全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80152和SPI高邊HD708204量產(chǎn)。自
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開(kāi)關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測(cè)試與調(diào)試解決方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自動(dòng)化合規(guī)測(cè)試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層（PHY）合規(guī)性測(cè)試。
新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝
新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動(dòng)汽車(chē)充電、儲(chǔ)能
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展，可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox車(chē)規(guī)級(jí)開(kāi)發(fā)平臺(tái)
第二代OrangeBox開(kāi)發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
評(píng)論