據(jù)韓媒報(bào)道稱，近日三星已經(jīng)對(duì)高管進(jìn)行了大換血，芯片半導(dǎo)體研發(fā)中心的負(fù)責(zé)人等高管已經(jīng)得到了更換。

目前新上任的芯片半導(dǎo)體研發(fā)中心負(fù)責(zé)人之前在NAND閃存開發(fā)領(lǐng)域創(chuàng)造出了不錯(cuò)的成績，本次任職受到各方面一致的期待。而芯片代工制造技術(shù)中心負(fù)責(zé)人則由目前三星一流的存儲(chǔ)半導(dǎo)體工藝專家來擔(dān)任，其他重要職位也紛紛交給了經(jīng)驗(yàn)豐富的專家來擔(dān)當(dāng)。

在這次高管換血之前，曾有傳言稱三星內(nèi)部嚴(yán)重不和，其嚴(yán)重程度甚至影響到了芯片良率，本來就落后于臺(tái)積電的三星再受到內(nèi)部影響，超越臺(tái)積電自然就更不可能了，目前又是在3nm制程上趕超臺(tái)積電的大好機(jī)會(huì)，所以三星才會(huì)如此大規(guī)模的對(duì)高管進(jìn)行換血，以保證接下來項(xiàng)目的良好進(jìn)行。

據(jù)了解，三星的3nm工藝將采用GAA晶體管工藝，這種工藝相較于之前的工藝在功耗與性能方面都有很大的優(yōu)化，而臺(tái)積電并不會(huì)在3nm工藝上采用GAA技術(shù)，故而三星才要如此急迫的研發(fā)推動(dòng)3nm工藝量產(chǎn)，在3nm時(shí)代趕超臺(tái)積電。

三星方面表示，最快在6月份便能夠?qū)崿F(xiàn)3nm工藝的量產(chǎn)。

綜合整理自 未來半導(dǎo)體 快科技 雷科技

審核編輯 黃昊宇