臺(tái)積電將于2024年引進(jìn)ASML最新EUV光刻機(jī)，主要用于相關(guān)研究
日前，在臺(tái)積電召開的會(huì)議上，有一名高管稱臺(tái)積電將于2024年引進(jìn)ASML正在研發(fā)的最新的High-NA EUV光刻機(jī)。
會(huì)議中，該高管稱：為了滿足客戶所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā)等，臺(tái)積電將于2024年引進(jìn)ASML最先進(jìn)的High-NA EUV光刻機(jī)，并且推動(dòng)臺(tái)積電的創(chuàng)新能力。不過另一位高管補(bǔ)充道：臺(tái)積電并不打算在2024年將High-NA EUV光刻機(jī)投入到生產(chǎn)工作中去，將首先與合作伙伴進(jìn)行相關(guān)的研究。
據(jù)了解，High-NA EUV光刻機(jī)的High-NA代表的是高數(shù)值孔徑，相比于現(xiàn)在的光刻技術(shù)，這種光刻機(jī)能夠降低66%的尺寸，2nm及其之后的技術(shù)也都要靠High-NA EUV光刻機(jī)才能夠?qū)崿F(xiàn)，所以這種光刻機(jī)也被認(rèn)為是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)。
目前ASML還在制造High-NA EUV光刻機(jī)，首臺(tái)將會(huì)在明年完工，不過正式投入使用估計(jì)要等到2025年了。
綜合整理自 同花順財(cái)經(jīng) 澎湃新聞 IT之家
審核編輯 黃昊宇
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%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
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