全球最大的移動應(yīng)用解決方案提供商—JSC濟(jì)州半導(dǎo)體
DRAM主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。
DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機(jī)存取存儲器（ram）一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設(shè)備。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動應(yīng)用解決方案提供商之一的DRAM廠家。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體LPDRAM產(chǎn)品線主要包括LPDRAM (KGD)，LPDRAM (SDR/DDR1)，LPDRAM (DDR2)，LPDRAM (DDR4x),產(chǎn)品更新到16Gb的容量，LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR（部分陣列自刷新、自動 TCSR（溫度補(bǔ)償自刷新）根據(jù)芯片溫度改變刷新周期、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強(qiáng)度的模式、DPD 深度掉電）模式等。
LPDRAM可為計算設(shè)備、手機(jī)以及汽車信息娛樂系統(tǒng)提供各種特性和功能。用更低的功耗、更少的時間和空間來設(shè)計應(yīng)用。提供各種低功耗DRAM (LPDRAM)，這些器件具有低功耗、高性能、各種密度選項和寬溫度范圍，可充分利用各類設(shè)計。更多產(chǎn)品相關(guān)詳情及技術(shù)支持、解決方案咨詢JSC官方代理英尚微電子。
LPDDR4X產(chǎn)品型號
| Type | Part Number | Density | BUS | Voltage | Max Frequency | Package Type | Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4BAG329ZAMF-05 | 16Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4BAG329ZAMF-05A | 16Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4A8G329ZAMF-05 | 8Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL04A8G329ZAMF-05A | 8Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4B8G168ZAMF-05 | 8Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHX16 | JSL4B8G168ZAMF-05A | 8Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4A4G168ZAMF-05A | 4Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4A4G168ZAMF-05 | 4Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
審核編輯：符乾江
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