中國突破2nm芯片技術(shù) 臺(tái)積電2nm芯片量產(chǎn)
臺(tái)積電公布了下一代的2nm制程技術(shù)的部分細(xì)節(jié)信息，同時(shí)預(yù)計(jì)N2工藝將于2025年內(nèi)量產(chǎn)。
在工藝技術(shù)方面臺(tái)積電N2工藝制程是首個(gè)使用環(huán)繞柵極晶體管 （GAAFET） 的節(jié)點(diǎn)，將提供全面的性能和功率優(yōu)勢，同時(shí)在速度和功耗上都有著明顯提升。
N2工藝帶來兩大納米片晶體管和backside power rail兩大重要?jiǎng)?chuàng)新技術(shù)，可以在降低成本和功耗的同時(shí)提高性能，同時(shí)還可利用工藝技術(shù)解決對(duì)抗電阻的問題。
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審核編輯：郭婷
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