1nm工藝是不是極限了 芯片1納米后還能再小嗎
現(xiàn)在科技越來(lái)越發(fā)達(dá)，芯片設(shè)計(jì)也在不斷創(chuàng)新與突破，前段時(shí)間IBM就研制出了全球首顆2nm芯片，這顆芯片能夠容納500億個(gè)晶體管，它的最小單元比DNA的單鏈還要小。2nm芯片的到來(lái)，在半導(dǎo)體行業(yè)影響重大，臺(tái)積電隨之也宣布了聯(lián)合臺(tái)達(dá)和麻省理工在一納米芯片領(lǐng)域取得了關(guān)鍵性的進(jìn)展，所以很多小伙伴都想知道芯片工藝的極限在哪里？我們就來(lái)了解下1nm芯片的工藝是否已經(jīng)是到達(dá)了極限？
其實(shí)現(xiàn)在芯片的特征尺寸只是一個(gè)代號(hào)，只要性能、密度能夠提升30%—50%就能出現(xiàn)新一代的工藝技術(shù)，所以芯片的工藝極限是不可預(yù)估的，1nm也不是芯片工藝的極限。
總的來(lái)說(shuō)，芯片工藝技術(shù)發(fā)展肯定是越來(lái)越小的，因?yàn)槿藗儗?duì)于性能的追求是永無(wú)止境的，所以芯片1nm之后肯定是還能再小的，只是時(shí)間問(wèn)題。
審核編輯;chenchen
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54463瀏覽量
469730 -
1nm
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
16瀏覽量
4108
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
臺(tái)積電2026年Q1業(yè)績(jī)亮眼，1nm技術(shù)突破瞄準(zhǔn)“埃米時(shí)代”
全球半導(dǎo)體龍頭臺(tái)積電于2026年第一季度交出亮眼成績(jī)單，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收359億美元，環(huán)比增長(zhǎng)6.4%，創(chuàng)同期歷史新高。這一增長(zhǎng)主要得益于AI芯片需求的持續(xù)爆發(fā)，公司先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率維持高位，7nm及以下節(jié)點(diǎn)貢獻(xiàn)超65%營(yíng)收，其中3nm
三星力爭(zhēng)2030年量產(chǎn)1nm芯片，引入“fork sheet”新結(jié)構(gòu)
在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門(mén)正全力沖刺，計(jì)劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術(shù)被譽(yù)為“夢(mèng)想半導(dǎo)體”工藝，每個(gè)計(jì)算單元大小僅相當(dāng)于五個(gè)原子。此舉目標(biāo)明確，直指與臺(tái)積電展開(kāi)全面技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，鞏固自身在下一代半導(dǎo)
納米AZO
便宜，性價(jià)比很高，對(duì)環(huán)境無(wú)害的透明導(dǎo)電材料，可以耐受1975°C的高溫，導(dǎo)電性用蒸鍍法沉積可達(dá)到6X104Ω.cm的極限，而且高溫穩(wěn)定性也非常強(qiáng)，被認(rèn)為21世紀(jì)最有發(fā)展?jié)摿Φ?b class='flag-5'>納米材料。該產(chǎn)品由于具備了
發(fā)表于 03-23 13:22
我們?cè)撊绾卫斫狻拔⒓庸ぁ保?b class='flag-5'>納米級(jí)精度技術(shù)構(gòu)成的重新解讀
Duo技術(shù)，通過(guò)兩面同時(shí)加工和“自下而上”的工藝路徑，實(shí)現(xiàn)了直徑32微米、長(zhǎng)徑比34:1的玻璃通孔。這個(gè)指標(biāo)的背后，是對(duì)光束控制、工件定位和工藝參數(shù)的極致優(yōu)化。
這種能力，
發(fā)表于 03-16 16:27
1nm 芯片！為了 AI 算力，IBM 和泛林再次聯(lián)手
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 3 月 11 日，IBM 與美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林（Lam Research）共同宣布一項(xiàng)為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦 亞 1nm 尖端邏輯制程 的開(kāi)發(fā)。這一合作標(biāo)志著
僅1nm！北大實(shí)現(xiàn)芯片領(lǐng)域重要突破
IC設(shè)計(jì)行業(yè)芯事
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
發(fā)布于 :2026年02月24日 15:36:06
從3D堆疊到二維材料：2026年芯片技術(shù)全面突破物理極限
2026年半導(dǎo)體行業(yè)跨越物理極限：3D堆疊芯片性能提升300%，二維材料量產(chǎn)為1納米工藝鋪路。探討芯片
0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)的背后需要“背面供電”支撐
實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨
MediaTek發(fā)布天璣座艙P(yáng)1 Ultra芯片
MediaTek 正式發(fā)布旗下全新座艙芯片——天璣座艙 P1 Ultra。天璣座艙 P1 Ultra 憑借先進(jìn)的生成式 AI 技術(shù)和 4nm 制程工
國(guó)產(chǎn)芯片真的 “穩(wěn)” 了？這家企業(yè)的 14nm 制程，已經(jīng)悄悄滲透到這些行業(yè)…
最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)”
發(fā)表于 11-25 21:03
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片
又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點(diǎn)不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越，也預(yù)示著未來(lái)AI、通信與汽車等核心領(lǐng)域即將迎來(lái)一場(chǎng)深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)再突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電
對(duì)于沒(méi)有bsp包，也沒(méi)有芯片創(chuàng)建的功能是不是就不能用rtthread？
公司用的冷門(mén)芯片，不能生成BSP包，然后發(fā)現(xiàn)芯片創(chuàng)建也沒(méi)有，是不是不能用rtthreead了？
發(fā)表于 09-23 08:27
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話
個(gè)先例，其變化形式如圖6所示。
晶背供電技術(shù)已被證明，它可以很好地解決5nm以下芯片的電源完整性問(wèn)題，同樣也證明
它是優(yōu)化特定版圖設(shè)計(jì)任務(wù)的用力工具。
圖6 功能性晶
隨著工藝創(chuàng)新的層出不窮，相信摩爾神話
發(fā)表于 09-06 10:37
下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了！
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過(guò)，產(chǎn)
發(fā)表于 06-20 10:40
評(píng)論