日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NP2307DR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源: 微雨問(wèn)海棠 ? 作者: 微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-08 11:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

描述

NP2307DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這

該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -20v, id = -8a

RDS(上)(Typ) = 15.6Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 20 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開(kāi)關(guān)

?DFN2 * 2-6L-B

pYYBAGLHnlWAOdvYAACszz06iyw024.png

訂購(gòu)信息

pYYBAGLHnm6Ad2qMAAA32Kcc6Zw188.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLHnoaAPkoDAACjcCjxHRQ125.png

pYYBAGLHnvuAX8DoAAA10nSnHw0320.png

熱阻評(píng)級(jí)

pYYBAGLHnxmANQKBAABPaJZJQmM843.png

注:

a.包裝有限b.表面安裝在1“x 1”FR4板上

C . t = 5 s d.穩(wěn)態(tài)條件下最大為80°C/W

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLHnzGADXBnAAIZa_H_qHM381.png


審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 單片機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6078

    文章

    45607

    瀏覽量

    674462
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10861

    瀏覽量

    235234
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    RST2012:20V/12A N溝道功率MOSFET技術(shù)解析

    RST2012:20V/12A N溝道功率MOSFET技術(shù)解析 在便攜式電子設(shè)備與高密度電源管理系統(tǒng)中,中低壓功率MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是決定電路轉(zhuǎn)換效率與體積控制的核心元件
    發(fā)表于 05-08 18:31

    SOT-23封裝20V N溝道MOSFET技術(shù)特性分析

    ? 確保驅(qū)動(dòng)電壓不低于4.5V,以保證充分導(dǎo)通 7.3 熱管理 ? 在連續(xù)工作模式下,需計(jì)算實(shí)際功耗與溫升 ? 必要時(shí)增加散熱焊盤或使用熱過(guò)孔 八、結(jié)論 SOT-23封裝的20V N溝道MO
    發(fā)表于 05-08 18:16

    瑞斯特RSTD2080-RST 20V/80A 超低內(nèi)阻MOSFET技術(shù)解析

    突破功率密度極限:瑞斯特RSTD2080-RST 20V/80A 超低內(nèi)阻MOSFET技術(shù)解析
    發(fā)表于 05-08 15:23 ?0次下載

    RST20N02-RST 20V N溝道MOSFET技術(shù)規(guī)格與應(yīng)用分析

    產(chǎn)品概述 RST20N02-RST是瑞斯特(RSTTEK)推出的高性能N溝道MOSFET,采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝,專為低電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有20V的漏源擊穿電壓(VDS)、20
    發(fā)表于 05-07 16:00

    深入解析 FDV305N:20V N 溝道 PowerTrench MOSFET

    深入解析 FDV305N:20V N 溝道 PowerTrench MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。今天我們來(lái)深入了解一款由
    的頭像 發(fā)表于 04-20 14:45 ?249次閱讀

    SGMNE39220:一款高性能的20V通道N溝道MOSFET

    SGMNE39220:一款高性能的20V通道N溝道MOSFET 作為電子工程師,我們?cè)趯ふ液线m的MOSFET時(shí),總是關(guān)注性能、尺寸和應(yīng)用靈活性等因素。今天要給大家介紹的SGMNE39
    的頭像 發(fā)表于 03-20 17:00 ?697次閱讀

    SGMPE35220:20VP溝道MOSFET的性能剖析與應(yīng)用

    SGMPE35220:20VP溝道MOSFET的性能剖析與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來(lái)深入剖析SG M
    的頭像 發(fā)表于 03-20 16:20 ?379次閱讀

    CSD25481F4 20V P - Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量的電子利器

    CSD25481F4 20V P - Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量的電子利器 在電子設(shè)計(jì)的世界里,不斷追求更小尺寸、更高性能的器件是工程師們永恒的目標(biāo)。今天,我們
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:15 ?405次閱讀

    CSD25402Q3A:20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析

    CSD25402Q3A:20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理應(yīng)用中。今天,我們
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:55 ?564次閱讀

    CSD25310Q2 20V P - Channel NexFET? Power MOSFETs:小身材大能量

    CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET? Power MOSFETs:小身材大能量 在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,選擇合適的功率 MOSFET 至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:20 ?253次閱讀

    CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET:小身材大能量

    CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET:小身材大能量 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,我們常常面臨著在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能的挑戰(zhàn)。今天要給大家介紹
    的頭像 發(fā)表于 03-05 11:05 ?316次閱讀

    選型手冊(cè):VS6808DH 共漏極雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場(chǎng)景的共漏極雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持2.0V邏輯電平控制,采用SOT23
    的頭像 發(fā)表于 12-18 17:40 ?464次閱讀
    選型手冊(cè):VS6808DH 共漏極雙<b class='flag-5'>通道</b> N 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS2301BC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOT23小封裝,適配小型化低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類
    的頭像 發(fā)表于 12-18 17:37 ?518次閱讀
    選型手冊(cè):VS2301BC <b class='flag-5'>P</b> 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:04 ?714次閱讀
    選型手冊(cè):MOT2718J <b class='flag-5'>P</b> - 溝道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-23 15:03 ?2次下載
    和林格尔县| 新竹县| 安化县| 宝山区| 渝中区| 天气| 靖边县| 抚州市| 凉山| 徐闻县| 南京市| 崇明县| 南江县| 陵水| 肇州县| 开封县| 吉木乃县| 晋江市| 林州市| 尤溪县| 东港市| 罗山县| 西峡县| 正安县| 库伦旗| 双辽市| 兴隆县| 喀喇| 志丹县| 永平县| 潢川县| 抚松县| 阿拉善盟| 西吉县| 大新县| 沈阳市| 宁明县| 桃园县| 漳州市| 定日县| 溧阳市|