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NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-12 10:17 ? 次閱讀
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描述

NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至2.5V。這

該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -30v, id = -4.2a

RDS(上)(Typ) = 48 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 60 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?SOT-23-3L

poYBAGLM2OeAWDvbAABoJfNnpws204.png

訂購信息

poYBAGLM2RyAaZdHAAA1aq8K8X0086.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLM2TyAP0znAACeSGWTpRQ855.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLM2WmAO2MOAAJ4Q4lVwRk165.png

熱特性

pYYBAGLM2YOAfWs9AABm51mnVQw037.png

A.將設(shè)備安裝在1in2上測量RθJA的值

FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

TA = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。

B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結(jié)環(huán)境熱阻。

審核編輯 黃昊宇

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