NP2012(20 v n溝道增強型MOSFET)
描述
NP2012使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門和收費
操作門電壓2.5 v。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制
應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID= 12
DS(上)(Typ) = 15 m? @VGS= 2.5 v
DS(上)(Typ) = 12 m? @VGS= 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費 產(chǎn)品
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開關(guān)
封裝
? DFN2*2-6L-B
原理圖
標(biāo)記和引腳分配
訂購信息
典型的性能特征
審核編輯 黃昊宇
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