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ICP-6800電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀原理及使用說(shuō)明書

macylab ? 來(lái)源:macylab ? 作者:macylab ? 2022-11-14 10:54 ? 次閱讀
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一、工作原理

(一)、工作原理:
ICP(即電感耦合等離子體)是由高頻電流經(jīng)感應(yīng)線圈產(chǎn)生高頻電磁場(chǎng),使工作氣體(Ar)電離形成火焰狀放電高溫等離子體,等離子體的最高溫度10000K。試樣溶液通過(guò)進(jìn)樣毛細(xì)管經(jīng)蠕動(dòng)泵作用進(jìn)入霧化器霧化形成氣溶膠,由載氣引入高溫等離子體,進(jìn)行蒸發(fā)、原子化、激發(fā)、電離,并產(chǎn)生輻射,光源經(jīng)過(guò)采光管進(jìn)入狹縫、反光鏡、棱鏡、中階梯光柵、準(zhǔn)直鏡形成二維光譜,譜線以光斑形式落在540×540個(gè)像素的CID檢測(cè)器上,每個(gè)光斑覆蓋幾個(gè)像素,光譜儀通過(guò)測(cè)量落在像素上的光量子數(shù)來(lái)測(cè)量元素濃度。光量子數(shù)信號(hào)通過(guò)電路轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)通過(guò)電腦顯示和打印機(jī)打印出結(jié)果。
(二)、結(jié)構(gòu)
ICP-AES由高頻發(fā)生器、蠕動(dòng)泵進(jìn)樣系統(tǒng)、光源、分光系統(tǒng)、檢測(cè)器(CID)、冷卻系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理等組成。
ICP光譜儀結(jié)構(gòu)示意圖:

pYYBAGNxrJaAHWOBAABgw6wcCpI108.png

二、操作規(guī)程
(一).開(kāi)機(jī)預(yù)熱
(若儀器一直處于開(kāi)機(jī)狀態(tài),應(yīng)保持計(jì)算機(jī)同時(shí)處于開(kāi)機(jī)狀態(tài))
1. 確認(rèn)有足夠的氬氣用于連續(xù)工作(儲(chǔ)量≥1瓶)。
2. 確認(rèn)廢液收集桶有足夠的空間用于收集廢液。
3. 打開(kāi)穩(wěn)壓電源開(kāi)關(guān),檢查電源是否穩(wěn)定,觀察約1分鐘。
4. 打開(kāi)氬氣并調(diào)節(jié)分壓在0.60—0.65Mpa之間。保證儀器驅(qū)氣1小時(shí)以上。
5. 打開(kāi)計(jì)算機(jī)。
6. 若儀器處于停機(jī)狀態(tài),打開(kāi)主機(jī)電源。儀器開(kāi)始預(yù)熱。
7. 待儀器自檢完成后,啟動(dòng)iTEVA軟件,雙擊“iTEVA” 圖標(biāo),進(jìn)入操作軟件主界面,儀器開(kāi)始初始化。檢查聯(lián)機(jī)通訊情況。
(二).編輯分析方法
新建方法
點(diǎn)擊桌面快捷圖標(biāo)TEVA→ 輸入用戶名:Admin,Ok,點(diǎn)擊應(yīng)用欄中“分析”出現(xiàn)方法列表(最后使用的方法顯示在最前面),不選擇其中的方法點(diǎn)擊取消。
進(jìn)入分析界面后,點(diǎn)擊任務(wù)欄中“方法”下拉菜單,選擇“新建”,或者點(diǎn)擊圖標(biāo)欄第二組第一個(gè)“新建方法”圖標(biāo),進(jìn)行新方法編輯。
1選擇元素及譜線
點(diǎn)擊元素變成綠色,并出現(xiàn)譜線列表(列表顯示譜線(級(jí)次)、相對(duì)強(qiáng)度、狀態(tài)),點(diǎn)擊譜線可以看到干擾元素及譜線,雙擊該譜線即可選定,此時(shí),該譜線前會(huì)出現(xiàn)藍(lán)色“√”,點(diǎn)擊“確定”完成譜線選擇。建議初建方法時(shí)多選擇幾條譜線進(jìn)行比較。
2設(shè)置參數(shù)
點(diǎn)擊左下角“方法”,在第二項(xiàng)“分析參數(shù)”中設(shè)置測(cè)定重復(fù)次數(shù)、樣品沖洗時(shí)間、等離子觀測(cè)、積分時(shí)間等參數(shù)。
1)重復(fù)次數(shù)、樣品沖洗時(shí)間和積分時(shí)間均可改變
2)等離子觀測(cè)一般選擇水平觀測(cè)
水平觀測(cè)——短波、長(zhǎng)波都是水平觀測(cè)
垂直觀測(cè)——短波、長(zhǎng)波都是垂直觀測(cè)
自動(dòng)——短波水平觀測(cè),長(zhǎng)波垂直觀測(cè)
譜線選擇——對(duì)同一元素中不同譜線設(shè)置不同觀測(cè)方式
3設(shè)置工作曲線
點(diǎn)擊第九項(xiàng)“標(biāo)準(zhǔn)”,選中“高標(biāo)”刪除,依次“添加”標(biāo)準(zhǔn),更改標(biāo)準(zhǔn)名稱,輸入標(biāo)準(zhǔn)濃度,完成工作曲線設(shè)置。(注;各種元素都是同一濃度)
方法參數(shù)設(shè)置完成后點(diǎn)擊任務(wù)欄中“方法”下拉菜單選擇“保存”以保存方法。
(三).點(diǎn)火操作
1.再次確認(rèn)氬氣儲(chǔ)量和壓力,并確保驅(qū)氣時(shí)間大于1小時(shí),以防止CID檢測(cè)器結(jié)霜,造成CID檢測(cè)器損壞。
2.光室溫度穩(wěn)定在38±0.2℃。CID溫度小于-40℃。
3.檢查并確認(rèn)進(jìn)樣系統(tǒng)(炬管、霧化室、霧化器、泵管等)是否正確安裝。
4.夾好蠕動(dòng)泵夾,把樣品管放入蒸餾水中。
5.開(kāi)啟通風(fēng)。
6.開(kāi)啟循環(huán)冷卻水。
8. 單擊右下腳點(diǎn)火圖標(biāo) ,打開(kāi)等離子狀態(tài)對(duì)話框,查看連鎖保護(hù)是否正常,若有紅燈警示,需做相應(yīng)檢查,若一切正常點(diǎn)擊等離子體開(kāi)啟,進(jìn)行點(diǎn)火操作。
7.待等離子體穩(wěn)定15分鐘后,即可開(kāi)始測(cè)定樣品。
(四).建立標(biāo)準(zhǔn)曲線并分析樣品
1.自動(dòng)尋峰:
1)打開(kāi)或新建分析方法,點(diǎn)擊“儀器”下拉菜單選擇“執(zhí)行自動(dòng)尋峰”,選擇譜線時(shí),如果譜線前有綠色“↙”表示該譜線已經(jīng)進(jìn)行過(guò)尋峰,如果沒(méi)有則需要進(jìn)行尋峰操作。
2)執(zhí)行自動(dòng)尋峰時(shí),標(biāo)準(zhǔn)溶液濃度不能太低,亦不能太高,最好控制在1ppm—10ppm左右,否則有可能出現(xiàn)尋峰失敗。遇到此種情況,可采用單標(biāo),對(duì)尋峰失敗的譜線重新進(jìn)行尋峰。尋峰結(jié)束后,需要重新保存方法,才可以繼續(xù)標(biāo)準(zhǔn)化。若譜線沒(méi)有漂移或漂移很小,可忽略此步驟。若譜線漂移很遠(yuǎn),需要重新做波長(zhǎng)校準(zhǔn)。
2.標(biāo)準(zhǔn)曲線法:(適用純標(biāo)曲線和高純基體匹配曲線)
1)點(diǎn)擊“運(yùn)行”下拉菜單,選擇“運(yùn)行校正標(biāo)準(zhǔn)”進(jìn)行工作曲線測(cè)定,或者點(diǎn)擊圖標(biāo)欄第三組第四個(gè)圖標(biāo)“運(yùn)行校正標(biāo)準(zhǔn)”。
2)點(diǎn)擊左下角“方法”,在第十項(xiàng)“元素”中選擇“擬合”查看元素曲線線性。如果某一點(diǎn)結(jié)果不好,可以將最后一列“權(quán)重”中的“1”改為“0”,將該點(diǎn)去除。
3)點(diǎn)擊“運(yùn)行”下拉菜單,選擇“未知樣”進(jìn)行樣品測(cè)定,或者點(diǎn)擊圖標(biāo)欄點(diǎn)擊第三組第一個(gè)圖標(biāo)“運(yùn)行未知樣”。每進(jìn)一個(gè)樣點(diǎn)擊一次,樣品序號(hào)自動(dòng)排列。
3.標(biāo)準(zhǔn)加入法:(適用于需要用標(biāo)準(zhǔn)加入法扣除基體空白的一般基體匹配曲線)
1)點(diǎn)擊“運(yùn)行”下拉菜單,選擇“運(yùn)行校正標(biāo)準(zhǔn)”進(jìn)行工作曲線測(cè)定,或者點(diǎn)擊圖標(biāo)欄第三組第四個(gè)圖標(biāo)“運(yùn)行校正標(biāo)準(zhǔn)”。點(diǎn)擊左下角“方法”,在第十項(xiàng)“元素”中選擇“擬合”查看元素曲線線性。檢查標(biāo)準(zhǔn)及試樣背景扣除情況,有必要時(shí)調(diào)整背景扣除位置,以得到較好的分析結(jié)果。
2)測(cè)定工作曲線后點(diǎn)擊“運(yùn)行未知樣”,選擇“MSA”進(jìn)行“MSA設(shè)置”,將濃度改為工作曲線濃度,確定后運(yùn)行,測(cè)定完畢“計(jì)算MSA值”。
3)點(diǎn)擊左下角“方法”,在第十項(xiàng)“元素”中選擇“標(biāo)準(zhǔn)”項(xiàng),將曲線濃度改為“原濃度+MSA值”,更改后保存方法版本。再“運(yùn)行未知樣”即可。
4)簡(jiǎn)易操作:先不做工作曲線,直接用曲線做標(biāo)準(zhǔn)加入法,操作同上。在“分析”欄右擊結(jié)果,選擇“改變樣品類型”,將“未知樣”改為“校正曲線”, 此時(shí)可以查看曲線線性,保存后進(jìn)行樣品測(cè)定。
(五). 定性分析
點(diǎn)擊桌面TEVA軟件快捷鍵→輸入用戶名:admin,OK→ 點(diǎn)擊 分析 →方法(新建…)→元素周期表上選擇好待查元素→點(diǎn)擊上端工具欄 運(yùn)行全譜圖(UV、VIS各一次)→觀察對(duì)應(yīng)方框有無(wú)光斑來(lái)判定其有無(wú),同樣條件下凈強(qiáng)度大小來(lái)大致估計(jì)其含量(半定量)。
(六).熄火
1.分析完畢后,將進(jìn)樣管放入蒸餾水中沖洗進(jìn)樣系統(tǒng)10分鐘。
2.打開(kāi)iTEVA軟件中的 等離子狀態(tài)對(duì)話框,點(diǎn)擊等離子關(guān)閉熄火。
3.點(diǎn)擊等離子體關(guān)閉等幾分鐘,關(guān)閉循環(huán)水,松開(kāi)泵夾及泵管,將進(jìn)樣管從蒸餾水中取出。
4.關(guān)閉排風(fēng)。
5.待CID溫度升至20℃以上時(shí),驅(qū)氣20分鐘后,關(guān)閉氬氣。
(七).停機(jī)
若儀器長(zhǎng)期停用,關(guān)閉主機(jī)電源和氣源使儀器處于停機(jī)狀態(tài)。建議用戶定期開(kāi)機(jī),以免儀器因長(zhǎng)期放置而損壞。

三、日常儀器維護(hù)及注意事項(xiàng)
1.開(kāi)關(guān)氣氬氣原則
在啟動(dòng)光譜儀前1小時(shí)打開(kāi)氬氣瓶,分別調(diào)節(jié)兩瓶氣體使分壓表壓力到0.60-0.65Mpa,吹掃光室和 CID檢測(cè)器;在熄火后,不要馬上關(guān)掉氬氣,必須繼續(xù)開(kāi)氣吹掃CID 20分鐘后才關(guān)掉氬氣瓶。
2.定期清洗炬管
一般在炬管變臟后(表面變黑)時(shí)須拆卸下來(lái),用 8-10%的稀硝酸浸泡2-3小時(shí),然后用去離子水沖洗干凈,涼干裝上。
3.定期更換冷卻循環(huán)水:
經(jīng)常開(kāi)機(jī)情況下,一般半年至一年需要對(duì)冷卻循環(huán)水進(jìn)行更換。
4.樣品測(cè)定完成后,先用3-5%的稀硝酸沖洗2-3分鐘,然后再用去離子水沖洗2-3分種后熄滅等離子體,松開(kāi)泵夾。
5.點(diǎn)火分析前確保驅(qū)氣時(shí)間大于1小時(shí),以防止CID檢測(cè)器結(jié)霜,造成CID檢測(cè)器損壞。
6.定量測(cè)定時(shí)須在光室溫度達(dá)到并穩(wěn)定在38±0.2℃。CID溫度小于-40℃時(shí),點(diǎn)火15分鐘后測(cè)定。
7.檢查霧化器,看是否有堵塞現(xiàn)象,及時(shí)清潔霧化器、中心管。
8.定期更換泵管。
9.計(jì)算機(jī)專用。
10.未點(diǎn)火期間保持泵夾松弛。
11.樣品必須清亮透明,否則容易堵塞霧化器;萬(wàn)一霧化器堵塞,絕不能用金屬絲清理異物。
12.遇停氣熄火,應(yīng)立即更換上供氣,讓CID在常溫(20攝氏度左右)狀態(tài)下吹掃2-4小時(shí)后,方可重新點(diǎn)火分析測(cè)定。不能更換上新氣源后立即馬上點(diǎn)火分析。

儀器參數(shù)

ICP-6800電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(標(biāo)準(zhǔn)機(jī))

poYBAGNxrSWAaWUhABgjQUUre2k588.png

產(chǎn)品簡(jiǎn)介ICP-6800型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀是我公司經(jīng)多年技術(shù)積累而開(kāi)發(fā)的電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀,用于測(cè)定各種物質(zhì)(可溶解于鹽酸、硝酸、氫氟酸等)中的微量、痕量金屬元素或非金屬元素的含量,自動(dòng)化程度高、操作簡(jiǎn)便、穩(wěn)定可靠。目前儀器廣泛應(yīng)用于稀土、地質(zhì)、冶金、化工、環(huán)保、臨床醫(yī)藥、石油制品、半導(dǎo)體、食品、生物樣品、刑事科學(xué)、農(nóng)業(yè)研究等各個(gè)領(lǐng)域。

工作環(huán)境

內(nèi)容 適應(yīng)范圍

貯存運(yùn)輸溫度 15℃-25℃

貯存運(yùn)輸相對(duì)濕度 ≤70%

大氣壓 86-106 kPa

電源適應(yīng)能力 220±10v50-60MHz

工作濕度 ≤70%

工作溫度 15℃-30℃

技術(shù)指標(biāo)

固態(tài)電源技術(shù)指標(biāo)

電路類型:電感反饋式自激振蕩電路,同軸電纜輸出,匹配調(diào)諧,功率反饋閉環(huán)自動(dòng)控制

工作頻率:27.12MHz±0.05%

頻率穩(wěn)定性:<0.1%

輸出功率:800W—1200W

輸出功率穩(wěn)定性:<0.3%

電磁場(chǎng)泄漏輻射強(qiáng)度:距機(jī)箱30cm處電場(chǎng)強(qiáng)度E:<2V/m

進(jìn)樣系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

輸出工作線圈內(nèi)徑25mm

矩管,三同心型,外徑20mm的石英矩管

同軸型噴霧器外徑6mm

雙筒形霧室外徑34mm

氬氣流量計(jì)規(guī)格和載氣壓力表規(guī)格

1.等離子氣流量計(jì)(100-1000)L/h (1.6-16L/min)

2.輔助氣流量計(jì)(10-100)L/h (0.16-1.66L/min)

3.載氣流量計(jì)(10-100)L/h (0.16-1.66L/min)

4.載氣穩(wěn)壓閥(0-0.4MPa)

5.冷卻循環(huán)水:水溫20-25℃ 流量>5L/min水壓>0.1MPa

審核編輯 黃昊宇

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    <b class='flag-5'>電感</b><b class='flag-5'>耦合</b><b class='flag-5'>等離子</b><b class='flag-5'>發(fā)射光譜</b>法(<b class='flag-5'>ICP</b>-OES)測(cè)定電池生產(chǎn)廢水中的金屬元素

    光纖光譜儀和傳統(tǒng)光譜儀有何區(qū)別?看完就懂

    ”。 其實(shí),兩者的差別,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止“加了根光纖”這么簡(jiǎn)單。 一、什么是傳統(tǒng)光譜儀?核心在于“光學(xué)臺(tái)架一化” 傳統(tǒng)光譜儀一般指那類結(jié)構(gòu)一化、光源、樣品室、分光系統(tǒng)、探測(cè)器集成在同一主機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:19 ?1781次閱讀

    高端芯片制造裝備的“中國(guó)方案”:等離子體相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破

    圖1.射頻放電診斷系統(tǒng)與相似射頻放電參數(shù)設(shè)計(jì) 核心摘要: 清華大學(xué)與密歇根州立大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在頂級(jí)期刊《物理評(píng)論快報(bào)》發(fā)表重大成果,首次通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了射頻等離子體的相似性定律,并成功構(gòu)建全球首個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 07-29 15:58 ?912次閱讀
    高端芯片制造裝備的“中國(guó)方案”:<b class='flag-5'>等離子體</b>相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破

    遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)介紹

    遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子束刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:34 ?1672次閱讀
    遠(yuǎn)程<b class='flag-5'>等離子體</b>刻蝕技術(shù)介紹

    安泰高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置研究中的應(yīng)用

    等離子體發(fā)生裝置通過(guò)外部能量輸入使氣體電離生成等離子體,在工業(yè)制造、材料科學(xué)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件,直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:59 ?729次閱讀
    安泰高壓放大器在<b class='flag-5'>等離子體</b>發(fā)生裝置研究中的應(yīng)用

    上海光機(jī)所在多等離子體通道中實(shí)現(xiàn)可控Betatron輻射

    圖1. 等離子體多通道Betatron振蕩產(chǎn)生的示意圖 近期,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所超強(qiáng)激光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于雙激光脈沖干涉的新型高亮度X射線源產(chǎn)生方案。該團(tuán)
    的頭像 發(fā)表于 06-12 07:45 ?611次閱讀
    上海光機(jī)所在多<b class='flag-5'>等離子體</b>通道中實(shí)現(xiàn)可控Betatron輻射

    半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?5781次閱讀
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