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Adv. Mater.:甲基修飾COF,促進(jìn)高效氧還原

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 作者:清新電源 ? 2022-12-16 14:05 ? 次閱讀
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01

導(dǎo)讀

氧還原反應(yīng)(ORR)是綠色高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中的一個重要反應(yīng)過程。作為具有競爭活性的ORR催化劑,碳基無金屬電催化劑(CMFEs)已成為傳統(tǒng)貴金屬催化劑極具前途的替代品。通常采用雜原子摻雜和結(jié)構(gòu)缺陷等調(diào)控策略提高純碳材料的催化性能。但目前缺少準(zhǔn)確控制CMFEs中活性位點(diǎn)結(jié)構(gòu)以進(jìn)一步提高催化活性的有效策略。

共價(jià)有機(jī)框架(COFs)是一種通過共價(jià)鍵連接的多晶聚合物,其模塊化結(jié)構(gòu)可以使人們將具有明確功能的組件插入其骨架中。如在COFs有機(jī)骨架中加入雜原子來調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu),這大大改善了ORR性能。根據(jù)研究,催化活性不僅受到雜原子數(shù)量和位置的影響,還受到其他因素的影響,如嵌入組件的位阻效應(yīng)、鍵合角度和分子構(gòu)型等,這些因素的存在使得研究人員不易準(zhǔn)確識別COFs的活性中心。

02

成果背景

近期,Adv.Mater.期刊上發(fā)表了一篇題為“Metal-Free Carbon-Based Covalent Organic Frameworks with Heteroatom-Free Units Boost Efficient Oxygen Reduction”的文章。該工作在無金屬碳基COFs中引入了甲基(MG),驗(yàn)證了MG可以調(diào)整芳香族聯(lián)苯骨架的電子和化學(xué)環(huán)境,且證實(shí)了與MG相鄰的碳(位點(diǎn)-5)為ORR的活性中心。

03關(guān)鍵創(chuàng)新

在無金屬碳基共價(jià)有機(jī)框架中引入甲基基團(tuán),增強(qiáng)了分子間的極性,促進(jìn)了COF分子骨架的電荷再分配,提高了COF的導(dǎo)電特性,并促進(jìn)了氧在COF分子上的吸附活化,改善了氧氣還原動力學(xué)。

04

核心內(nèi)容解讀

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方案1.聯(lián)苯基BD-COF、MBD-COF和DAF-COF框架。@wiley

作者在溶劑熱條件下通過希夫堿縮合反應(yīng)合成了BD-COF,并在此COF中引入了甲基基團(tuán)(MGs),構(gòu)建了另外兩種COF:MBD-COF和DAF-COF。甲基基團(tuán)(MGs)只包含C和H元素,是有機(jī)化合物中的一個常見基團(tuán),雖然本身是電化學(xué)惰性的,但其空間效應(yīng)可以有效調(diào)節(jié)COF單元的分子構(gòu)型和偶極矩(方案1)。所述偶極矩是表征電子分布的一個重要參數(shù),在電催化反應(yīng)中得到了廣泛研究。MBD-COF和DAF-COF的偶極矩分別為0.54和0.75德拜,顯著大于不含MG的BD-COF(0德拜),表明引入甲基增強(qiáng)了分子間的極性,促進(jìn)了COF分子骨架的電荷再分配。且理論計(jì)算證明,三種COF具有相似的孔隙大小(~2.5nm),引入MG對COF分子骨架影響不大。

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圖1a)BD-COF、b)MBD-COF和c)DAF-COF的PXRD圖譜。@wiley

BD-COF、MBD-COF和DAF-COF的粉末X射線衍射(PXRD)圖譜在3.69°,3.42°和3.50°處有條最強(qiáng)峰,為它們的(100)晶面,表明三種COF都為層狀堆積結(jié)構(gòu),且層間距分別為3.5,3.8,3.9埃。進(jìn)一步使用Materials Studio(MS)軟件對三種COF的晶格結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,模擬了COF的AA-堆積和AB-堆積,結(jié)果顯示三種COF的晶格結(jié)構(gòu)都為AA-堆積。

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圖2a-c)BD-COF(a)、MBD-COF(b)和DAF-COF(c)的SEM圖像和EDS圖;d)DAF-COF的低倍率TEM圖像。e)DAF-COF的高分辨率TEM圖像;f)圖2e中粉色框的放大圖像。@wiley

如掃描電子顯微鏡(SEM)圖所示,不引入甲基基團(tuán)(MG)的BD-COF直徑為100 nm、長度為200 nm的納米棒團(tuán)塊,而引入MG構(gòu)建的MBD-COF由二維納米片組成的三維(3D)花狀結(jié)構(gòu)組成,DAF-COF為直徑約250 nm的相互連接的球形納米顆粒狀。C與N元素在整個COF骨架中均勻分布。通過高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)觀察到DAF-COF的晶格間距為0.25 nm,MBD-COF為0.24 nm,BD-COF為0.21 nm。

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圖3a)FT-IR譜;b)室溫下的電流-電壓曲線;c)N2下的TGA和DTG曲線;e)在77K下的N2吸脫附等溫線;f)DAF-COF在不同化學(xué)環(huán)境下處理3天后的PXRD圖。@wiley

MFMG-COF的FTIR光譜中存在特征C=N拉伸振動模式(1625 cm-1),而二胺單體的N-H拉伸帶(3307和3376 cm-1)和TFB的C=O拉伸帶(1693 cm-1)消失,證明醛和氨基單體之間成功實(shí)現(xiàn)亞胺縮合反應(yīng)。三種COF都存在有序結(jié)構(gòu),雙探針電流-電壓(I-V)測量結(jié)果表明經(jīng)過MG修飾的MBD-COF和DAF-COF比無MG修飾的BD-COF表現(xiàn)出更高的電導(dǎo)率。熱重分析(TGA)和衍生熱重分析(DTG)顯示,經(jīng)過MG修飾的MBD-COF和DAF-COF催化劑具有更好的熱穩(wěn)定性,說明MG修飾有效地提高了COF框架的穩(wěn)定性。

紫外可見漫反射(UV-Vis DRS)可用于研究固體樣品的光吸收性能,催化劑表面過渡金屬離子及其配合物的結(jié)構(gòu)、氧化狀態(tài)、配位狀態(tài)、配位對稱性等。與不含MG的BD-COF相比,MG修飾的MBD-COF和DAF的帶隙減小,分別為2.29和2.05 eV。此外,DAF-COF在457nm處觀察到存在肩峰,表明分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移源于甲基結(jié)合的骨架的供體-受體(D-A)特性。

三種COF表現(xiàn)出相似的BET表面積,約為700m2g-1,表明甲基的修飾對比表面積產(chǎn)生的影響不大。將三種COF浸泡在6M KOH、6M HCl、乙醇和丙酮溶液中3天,COF基本保留了它們原有的骨架和晶體結(jié)構(gòu),說明三種COF具有較高的穩(wěn)定性,這對于它們能夠?qū)崿F(xiàn)較高的ORR性能是非常重要的。

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圖4a)LSV曲線;b起始電位、半波電位和電子轉(zhuǎn)移數(shù)的比較;c)Cdl值;d)Tafel圖;e)長期穩(wěn)定性測試;f)CH3OH中毒對DAF-COF的i-t時間測速反應(yīng)的影響;g)已報(bào)道的無金屬COF催化劑和DAF-COF的起始電位和半波電位比較;h)在DAF-COF上進(jìn)行ORR過程示意圖。@wiley

線性掃描伏安法(LSV)曲線顯示,DAF-COF比類似的COF催化劑表現(xiàn)出更好的ORR性能(起始電位和半波電位分別為0.89V和0.74V vs. RHE),這一結(jié)果是報(bào)道的MFMG-COFs作為ORR催化劑的最高值之一。相對于MBD-COF和BD-COF來說,DAF-COF的極限電流密度也明顯增加。在0.2 V時,根據(jù)Koutecky-Levich(K-L)方程計(jì)算的電子轉(zhuǎn)移數(shù)(n)為3.88,表明其ORR過程為四電子轉(zhuǎn)移機(jī)制。

作者采用電化學(xué)雙層電容(Cdl)來估計(jì)電催化劑的電化學(xué)活性表面積(ECSA)。甲基修飾的DAF-COF具有最大的Cdl值,即5.78 mF cm-2,清楚地表明其具有較高活性位點(diǎn)密度。且DAF-COF具有最小的塔菲爾斜率,表明其在堿性條件下具有最高的電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)。DAF-COF在0.1M KOH電解液中反應(yīng)10h后,電流密度損失很低(5.7%),表明其具有出色的電化學(xué)穩(wěn)定性(圖4e)。在加入0.5M CH3OH溶液后,電流密度變化較小,這表明甲基修飾的DAF-COF具有優(yōu)異的耐甲醇性能(圖4f)。

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圖5(a)BD-COF、(b)MBD-COF和(c)DAF-COF的LUMO和HOMO;(d)BD-COF、(e)MBD-COF和(f)DAF-COF的結(jié)構(gòu)優(yōu)化;g)BD-COF,MBD-COF和DAF-COF的態(tài)密度(DOS)和h)自由能圖(位點(diǎn)5)。@wiley

利用高斯函數(shù)計(jì)算了三種COFs的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)和最高占據(jù)分子軌道(HOMO)。BD-COF和MBD-COF的LUMO和HOMO分別在聯(lián)苯和二甲基聯(lián)苯單元上局部離域。對于甲基修飾的DAF-COF,LUMO位于苯基核上,而HOMO位于芴基(甲基結(jié)合的聯(lián)苯)單元上,且LUMO-HOMO帶隙最小,為3.28 eV。DAF-COF中LUMO-HOMO的分布源于苯基和芴基單元之間更容易的電荷轉(zhuǎn)移。且甲基修飾的DAF-COF和MBD-COF在費(fèi)米能級附近表現(xiàn)出比不含MG的BD-COF更小的帶隙,這表明MG修飾賦予MFMG-COFs優(yōu)異的半導(dǎo)體性能(圖5g)。采用VASP估算COF框架中七個可能活性中心的ORR反應(yīng)過電勢,DAF-COF聯(lián)苯基鄰位碳原子的超電勢僅為0.97 eV,表明甲基修飾調(diào)控了COF骨架的電子分布和電荷轉(zhuǎn)移,使得此處成為活性位點(diǎn),提高了ORR性能。

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圖6(a)BD-COF、(b)MBD-COF和(c)DAF-COF模型在吸附氧氣及其中間體前后的理論拉曼光譜;(d)BD-COF、(e)MBD-COF和(f)DAF-COF在O2飽和的0.1M KOH溶液(pH=13)中,從1.0到0.4V間隔為100mV時的原位電化學(xué)拉曼光譜;g)MFMG-COFs上ORR的吸附/解吸機(jī)制示意圖。@wiley

利用DFT計(jì)算構(gòu)建了四種可能的理論吸收模型(C=C--O和C=N--O),以闡明氧氣及其氧還原反應(yīng)中間體在C=N(N)和C=C(C)位點(diǎn)的潛在吸附位置。且以O(shè)--C=C(位點(diǎn)5)為反應(yīng)活性位點(diǎn)形成了BD-COF、MBD-COF和DAF-COF模型在吸附氧氣及其中間體前后的理論拉曼光譜。電化學(xué)原位拉曼光譜顯示,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論模型對應(yīng)良好,說明C=C(位點(diǎn)5)確實(shí)是氧及其中間產(chǎn)物的吸附位點(diǎn)。

當(dāng)電位從1.0V逐漸下降到0.4V時,在DAF-COF的大約1069和1625cm-1處觀察到兩個峰。而在ORR過程中,O--C=C(位點(diǎn)5)理論拉曼光譜在1157和1700 cm-1處也存在這兩個峰,這兩個峰分別是OOH--C=C(位點(diǎn)5)和O2--C=C(位點(diǎn)5)的信號。然而,BD-COF和MBD-COF中只存在OOH--C=C(位點(diǎn)5)拉曼峰,這證實(shí)了甲基修飾的DAF-COF有效地促進(jìn)了氧在位點(diǎn)5碳原子上的吸附活化,從而調(diào)節(jié)了氧及其中間產(chǎn)物的吸附/解吸能力。因此,與BD-COF和MBD-COF催化劑相比,DAF-COF對氧氣及其中間體(OOH*)的良好吸附改善了氧氣還原動力學(xué)(圖6g)。

05

成果啟示

該工作采用甲基修飾策略調(diào)節(jié)COF活性中心的電子環(huán)境,開發(fā)了一系列具有純碳單元的無金屬COF,合成的COFs表現(xiàn)出穩(wěn)定的分子骨架、良好的電荷再分配和良好的導(dǎo)電性。甲基修飾有效地調(diào)節(jié)了COFs的帶隙,誘導(dǎo)了局部電荷的再分布,增強(qiáng)了中間產(chǎn)物的吸附,改善了催化反應(yīng)動力學(xué)。甲基修飾提供了一種新的策略來研究電催化劑結(jié)構(gòu)和催化活性之間的關(guān)系,并能設(shè)計(jì)出高性能的無金屬碳基電催化劑,以應(yīng)用于可再生能源轉(zhuǎn)換和儲存領(lǐng)域。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:Adv. Mater.:甲基修飾COF,促進(jìn)高效氧還原

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