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我國(guó)在有機(jī)電化學(xué)晶體管及互補(bǔ)電路方面取得突破

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 2023-01-29 11:00 ? 次閱讀
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2023年1月19日,電子科技大學(xué)測(cè)試技術(shù)與儀器研究所程玉華教授課題組在全球頂級(jí)科研期刊Nature(《自然》)上以“Vertical organic electrochemical transistors for complementary circuits”為題,發(fā)表了在有機(jī)電化學(xué)晶體管及其互補(bǔ)電路方面的最新研究成果。該研究針對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的源頭基礎(chǔ)器件,首次提出了一種基于紫外光固化溝道的新型垂直結(jié)構(gòu),破解了電化學(xué)晶體管大規(guī)??煽恐苽涞氖澜缧噪y題,是新型傳感和精密測(cè)試領(lǐng)域的重大突破。電子科技大學(xué)自動(dòng)化工程學(xué)院黃偉為該文第一作者,程玉華、Tobin J. Marks及Antonio Facchetti等為共同通訊作者,電子科技大學(xué)自動(dòng)化工程學(xué)院為第一完成單位,美國(guó)西北大學(xué)、云南大學(xué)、浙江大學(xué)等為合作參與單位。

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有機(jī)電化學(xué)晶體管(OECT)及其電路得益于其超低的驅(qū)動(dòng)電壓(<1 V)、低功耗及生物相容性等優(yōu)勢(shì),能廣泛應(yīng)用于下一代智能傳感、生物電子、可穿戴電子和人工神經(jīng)態(tài)電子中。然而,當(dāng)前基于常規(guī)平面結(jié)構(gòu)的OECT尚存在一系列問(wèn)題,包括較差的器件穩(wěn)定性、較慢的電化學(xué)反應(yīng)及開(kāi)關(guān)速度、較低的集成密度和極差的N型器件性能,因此極大限制了其進(jìn)一步的發(fā)展與集成應(yīng)用。

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圖1 常規(guī)平面結(jié)構(gòu)示意圖及本文垂直結(jié)構(gòu)及垂直堆疊電路示意圖

面對(duì)上述挑戰(zhàn),研究團(tuán)隊(duì)利用納米限域下離子偏移增強(qiáng)的新機(jī)制,采用一種獨(dú)創(chuàng)的垂直結(jié)構(gòu),即垂直堆疊的致密源漏金電極間的溝道由一種具有電化學(xué)活性的聚合物半導(dǎo)體和另一種電化學(xué)穩(wěn)定且可光刻的聚合物絕緣體復(fù)合構(gòu)成,實(shí)現(xiàn)了可大規(guī)模制備的具有高度匹配P/N型性能的OECT,有效攻克了前述OECT存在的一系列問(wèn)題。

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圖2 本文垂直型OECT器件結(jié)構(gòu)表征及其性能與文獻(xiàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比

該種垂直型OECT(vOECT)在低于0.7 V的驅(qū)動(dòng)電壓下具有高于1 kA/cm^2的電流密度、高達(dá)0.4 S的跨導(dǎo)、快于1 ms的開(kāi)關(guān)速率及超過(guò)5萬(wàn)次的穩(wěn)定循環(huán),在器件性能指標(biāo)上全面超越了現(xiàn)有OECT?;诖耍蛇M(jìn)一步構(gòu)建三維垂直堆疊的互補(bǔ)電路,在更小的單位尺寸上進(jìn)一步提升電路集成密度;且其具有在0.7 V驅(qū)動(dòng)電壓下近150的電壓增益,遠(yuǎn)高于當(dāng)前報(bào)道的各類(lèi)基于OECT的反相器;該vOECT還可以集成到振蕩器、各類(lèi)邏輯門(mén)等更加復(fù)雜的電路中。

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圖3 基于本文vOECT構(gòu)建的垂直電路及其輸出特性

該研究分別在P型及N型OECT中實(shí)現(xiàn)了跨導(dǎo)10多倍和近1000倍的指標(biāo)提升,且將N型OECT中最高千次的循環(huán)穩(wěn)定性提升到了五萬(wàn)次以上,并實(shí)現(xiàn)了P/N型OECT在跨導(dǎo)、穩(wěn)定性、開(kāi)關(guān)速率、集成密度、制備成本及工藝可靠性方面的全面超越。該項(xiàng)研究成果將為眾多應(yīng)用開(kāi)辟全新的檢測(cè)/監(jiān)測(cè)/處理手段和系統(tǒng)解決方案,在亟需小體積、高跨導(dǎo)、低功耗智能傳感元件的領(lǐng)域(如疾病早期診斷、健康管理、腦機(jī)接口、可植入可穿戴電子、機(jī)能修復(fù)與增強(qiáng)以及柔性智能機(jī)器人等)發(fā)揮重要作用,并為拓展下一代柔性可拉伸集成電路提供新的設(shè)計(jì)理念。

此項(xiàng)成果依托于電子科技大學(xué)測(cè)試技術(shù)與儀器研究所,該研究所是國(guó)家電子測(cè)試儀器的定點(diǎn)骨干研制單位,通用電子測(cè)試儀器國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定單位。團(tuán)隊(duì)在王厚軍教授和黃建國(guó)教授的帶領(lǐng)下,通過(guò)產(chǎn)學(xué)研一體化自主創(chuàng)新體系,已形成從器件、整機(jī)到系統(tǒng)的完整測(cè)試技術(shù)鏈,產(chǎn)生了多項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)并填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白的先進(jìn)技術(shù)成果。近年來(lái),團(tuán)隊(duì)努力開(kāi)辟新型傳感器方向,該方向面向國(guó)家重大需求不斷催生高顯示度研究成果,多次在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊發(fā)表重要原創(chuàng)性成果,獲得了包括國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、何梁何利科技創(chuàng)新獎(jiǎng)、科學(xué)探索獎(jiǎng)在內(nèi)的多項(xiàng)重要科技獎(jiǎng)勵(lì),并入選國(guó)家級(jí)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。本項(xiàng)研究進(jìn)一步解決了我國(guó)有機(jī)電化學(xué)晶體管設(shè)計(jì)與制備領(lǐng)域的卡脖子關(guān)鍵技術(shù),是新型傳感器件領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破,彰顯出學(xué)校和團(tuán)隊(duì)在該領(lǐng)域的國(guó)際引領(lǐng)作用。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:我國(guó)在有機(jī)電化學(xué)晶體管及互補(bǔ)電路方面取得突破,賦能智能傳感元件

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