來源：SiSC半導(dǎo)體芯科技

隨著光刻精度的不斷提升，晶體管尺寸微縮逐漸接近硅原子的物理極限，摩爾定律似乎步入盡頭。芯片性能的提升主要是通過工藝突破來實(shí)現(xiàn)，而這一途徑的難度越來越大，隨之封裝性能的提升作為有效的補(bǔ)充越來越被重視。傳統(tǒng)封裝工藝不斷迭代出的先進(jìn)封裝技術(shù)嶄露頭角，它繼續(xù)著集成電路性能與空間在后摩爾時(shí)代的博弈。同時(shí)，晶圓鍵合（Wafer Bonding）、倒裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding)、混合鍵合等也是一項(xiàng)技術(shù)壁壘較高的新型工藝技術(shù)，且工藝要求極其嚴(yán)苛。

在14nm工藝后，襯底和晶片的厚度將成倍下降，熱應(yīng)力下的翹曲效應(yīng)使得凸點(diǎn)橋接(Solder Bump Bridge) 失效異常嚴(yán)重。熱壓鍵合（TCB）、臨時(shí)鍵合和解鍵合等技術(shù)方案在不斷完善。鍵合材料從金屬鋁、銅等，再到聚合物材料的推陳出新，使得鍵合材料的創(chuàng)新與鍵合技術(shù)的發(fā)展逐漸相輔相成。

先進(jìn)封裝與鍵合工藝技術(shù)與時(shí)俱進(jìn)，后摩爾時(shí)代下這一系列的技術(shù)不斷更新，支撐了先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的向前發(fā)展。2023年2月23日，晶芯研討會(huì)將邀請(qǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表領(lǐng)袖和專家，從先進(jìn)封裝、鍵合設(shè)備、材料、工藝技術(shù)等多角度，探討先進(jìn)封裝與鍵合工藝技術(shù)等解決方案。

審核編輯黃宇