3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點
編者按
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報告，實現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關(guān)注的實用技術(shù)，征得教師和學(xué)生的同意，本公眾號將陸續(xù)展示一些學(xué)生的調(diào)研結(jié)果。這些報告還很初步，甚至有少許謬誤之處，請業(yè)界專家批評指正。
以下為報告PPT：
審核編輯：湯梓紅
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原文標(biāo)題：【Study】3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點
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