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英特爾發(fā)布硅自旋量子比特芯片,采用300毫米的硅晶圓

要長(zhǎng)高 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2023-06-16 15:30 ? 次閱讀
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英特爾最近宣布推出了一款名為T(mén)unnel Falls的量子芯片,這是他們迄今為止研發(fā)的最先進(jìn)的硅自旋量子比特芯片。該芯片采用了12個(gè)硅自旋量子比特,具備更高的實(shí)用性,并充分利用了英特爾數(shù)十年來(lái)在晶體管設(shè)計(jì)和制造能力方面積累的經(jīng)驗(yàn)。

Tunnel Falls量子芯片是在英特爾的晶圓廠進(jìn)行制造的,使用的是300毫米的硅晶圓。他們借助英特爾在晶體管工業(yè)化制造方面的領(lǐng)先能力,如極紫外光刻技術(shù)(EUV)以及柵極和接觸層加工技術(shù)。

硅自旋量子比特的編碼原理是將信息(0/1)嵌入到單個(gè)電子的自旋狀態(tài)(上/下)中。

這種硅自旋量子比特本質(zhì)上是一個(gè)單電子晶體管,因此英特爾可以采用類似于標(biāo)準(zhǔn)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)邏輯生產(chǎn)線的工藝流程進(jìn)行制造。

與其他量子比特技術(shù)相比,英特爾認(rèn)為硅自旋量子比特具有更多優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗梢岳孟冗M(jìn)的晶體管類似的生產(chǎn)技術(shù)。

硅自旋量子比特的尺寸與一個(gè)晶體管相似,約為50x50納米。相比其他類型的量子比特,它小了100萬(wàn)倍,并且有望更快實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

編輯:黃飛

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