10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Impact Ionization MOS
撰稿人：清華大學(xué) 許軍 梁仁榮
https://www.tsinghua.edu.cn
審稿人：北京大學(xué) 張興 蔡一茂
https://www.pku.edu.cn
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
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jf_15747056
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現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
發(fā)表于 07-12 16:18
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發(fā)表于 06-10 11:25
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