6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入
6.1 離子注入
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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