9.2.5 研磨工藝∈《集成電路產業(yè)全書》
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引言
在半導體制造過程中
研磨盤在哪些工藝中常用
的背面減薄，通過研磨盤實現(xiàn)厚度均勻性控制（如減薄至50-300μm），同時保證表面粗糙度Ra≤0.1μm。 在化學機械拋光（CMP）工藝中，研磨盤配合拋光液對晶圓表面進行全局平坦化，滿足集成電
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