Negative Capative MOSFET(NC-MOSFET)
審稿人:北京大學 蔡一茂 喻志臻
https://www.pku.edu.cn
審稿人:北京大學 張興
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊




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晶體管
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發(fā)表于 09-15 15:31
現(xiàn)代集成電路半導體器件
目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
發(fā)表于 07-12 16:18
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
大多數(shù)電路中,兩種晶體管共用一個柵極,但壁會阻擋這種連接,除非柵極延伸到其上方,這會增加不必要的電容。
最后,內(nèi)壁叉柵僅覆蓋溝道的三面,與 GAA 設(shè)計相比,其控制能力有所減弱,尤其是
發(fā)表于 06-20 10:40
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發(fā)表于 05-15 14:24
10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
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