BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 選型說(shuō)明
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概述
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MOSFET相關(guān)問(wèn)題分享
、TO-252、TO-247等。
3.Q: 我們的MOSFET采用什么工藝？
A：采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專(zhuān)為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間
發(fā)表于 01-26 07:46
車(chē)規(guī)電容：700V 高壓耐受 適配車(chē)載 OBC 充電器主電路
及行業(yè)趨勢(shì)四個(gè)維度展開(kāi)分析： 一、技術(shù)適配性：700V耐壓覆蓋高壓平臺(tái)需求 車(chē)載OBC（On-Board Charger）作為新能源汽車(chē)的核心部件，需將交流電轉(zhuǎn)換為直流電為電池充電。隨著800V高壓平臺(tái)普及，OBC主電路工作電壓普遍達(dá)6
選型手冊(cè)：MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管
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龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品
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220V交流轉(zhuǎn)5V/100mA直流設(shè)計(jì)的降壓芯片PM1132
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前端整流濾波
整流橋：選1A/600V以上（如GBU4J）。
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發(fā)表于 09-12 09:37
三相隔離變壓器（480V 轉(zhuǎn) 380V/208V/220V）：UL 認(rèn)證 600V 級(jí)干式設(shè)備
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PFR20200CTF肖特基二極管TO-220F封裝200V20A
等。
PFR20200CT 封裝：TO-220AB
PFR20200CTF 封裝：TO-220F
PFR20200CTI 封裝：TO-262
PFR20200CTB 封裝 ：T0-263
PFR20200CTF肖特基二極管
發(fā)表于 08-20 14:53
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
電壓裕量，有助于滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動(dòng)汽車(chē)充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用提供額外的浪涌保護(hù)。我們的650V
KP85302SGA 650V集成自舉二極管的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器核心設(shè)計(jì)
產(chǎn)品架構(gòu)與核心特性
1. 高壓耐受與負(fù)壓免疫
650V開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 ：應(yīng)對(duì)電機(jī)反電動(dòng)勢(shì)和MOSFET開(kāi)關(guān)尖峰
-7V VS負(fù)壓承受 ：消除體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致的負(fù)壓擊穿
發(fā)表于 06-25 08:34
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