FQD8P10 / FQU8P10 P-Channel QFET? MOSFET：特性與應(yīng)用解析

一、公司背景與產(chǎn)品編號(hào)變更

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，F(xiàn)airchild部分可訂購(gòu)的產(chǎn)品編號(hào)需變更，原編號(hào)中的下劃線“_”將替換為破折號(hào)“-”。大家可訪問ON Semiconductor官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。

文件下載：FQU8P10-D.pdf

二、FQD8P10 / FQU8P10 MOSFET產(chǎn)品概述

（一）產(chǎn)品描述

FQD8P10 / FQU8P10是P-Channel QFET? MOSFET，采用Fairchild Semiconductor專有的平面條紋和DMOS技術(shù)制造。該先進(jìn)技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。此產(chǎn)品適用于開關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)電源等應(yīng)用。

（二）產(chǎn)品特性

1. 電氣性能
   • 電流與電壓：-6.6 A，-100 V，在VGS = -10 V、ID = -3.3 A時(shí)，RDS(on) 最大為530 mΩ。
   • 低柵極電荷：典型值為12 nC。
   • 低Crss：典型值為30 pF。
   • 100%雪崩測(cè)試：保證了產(chǎn)品在雪崩情況下的可靠性。
2. 熱特性
   • 結(jié)到外殼的熱阻（RθJC）最大為2.84 °C/W。
   • 結(jié)到環(huán)境的熱阻（RθJA）：最小2盎司銅焊盤時(shí)最大為110 °C/W；1平方英寸2盎司銅焊盤時(shí)最大為50 °C/W。

（三）絕對(duì)最大額定值

（四）封裝標(biāo)記與訂購(gòu)信息

（五）電氣特性

1. 關(guān)斷特性
   • 漏源擊穿電壓（BVDSS）：VGS = 0 V，ID = -250 μA時(shí)為 -100 V。
   • 擊穿電壓溫度系數(shù)（ΔBVDSS / ΔTJ）：ID = -250 μA，參考25°C時(shí)為 -0.1 V/°C。
   • 零柵壓漏極電流（IDSS）：VDS = -100 V，VGS = 0 V時(shí)最大為 -1 μA；VDS = -80 V，TC = 125°C時(shí)最大為 -10 μA。
   • 柵體泄漏電流（IGSSF、IGSSR）：正向和反向最大為100 nA。
2. 導(dǎo)通特性
   • 柵極閾值電壓（VGS(th)）：VDS = VGS，ID = -250 μA時(shí)為 -2.0 至 -4.0 V。
   • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：VGS = -10 V，ID = -3.3 A時(shí)典型值為0.41 Ω，最大值為0.53 Ω。
   • 正向跨導(dǎo)（gFS）：VDS = -40 V，ID = -3.3 A時(shí)典型值為4.1 S。
3. 動(dòng)態(tài)特性
   • 輸入電容（Ciss）：VDS = -25 V，VGS = 0 V，f = 1.0 MHz時(shí)為360 - 470 pF。
   • 輸出電容（Coss）：為120 - 155 pF。
   • 反向傳輸電容（Crss）：為30 - 40 pF。
4. 開關(guān)特性
   • 開啟延遲時(shí)間（td(on)）：VDD = -50 V，ID = -8.0 A，RG = 25 Ω時(shí)為11 - 30 ns。
   • 開啟上升時(shí)間（tr）：為110 - 230 ns。
   • 關(guān)斷延遲時(shí)間（td(off)）：為20 - 50 ns。
   • 關(guān)斷下降時(shí)間（tf）：為35 - 80 ns。
   • 總柵極電荷（Qg）：VDS = -80 V，ID = -8.0 A，VGS = -10 V時(shí)為12 - 15 nC。
   • 柵源電荷（Qgs）：典型值為3.0 nC。
   • 柵漏電荷（Qgd）：典型值為6.4 nC。
5. 漏源二極管特性和最大額定值
   • 最大連續(xù)漏源二極管正向電流（IS）：最大為 -6.6 A。
   • 最大脈沖漏源二極管正向電流（ISM）：最大為 -26.4 A。
   • 漏源二極管正向電壓（VSD）：VGS = 0 V，IS = -6.6 A時(shí)最大為 -4.0 V。
   • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：VGS = 0 V，IS = -8.0 A，dIF / dt = 100 A/μs時(shí)為98 ns。
   • 反向恢復(fù)電荷（Qrr）：典型值為0.35 μC。

（六）典型特性

文檔中還給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、傳輸特性、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更深入地了解產(chǎn)品在不同條件下的性能表現(xiàn)。

（七）測(cè)試電路與波形

文檔提供了柵極電荷測(cè)試電路及波形、電阻開關(guān)測(cè)試電路及波形、無鉗位電感開關(guān)測(cè)試電路及波形和峰值二極管恢復(fù)dv/dt測(cè)試電路及波形，為工程師進(jìn)行產(chǎn)品測(cè)試和驗(yàn)證提供了參考。

（八）機(jī)械尺寸

給出了TO252（D - PAK）和TO251（I - PAK）兩種封裝的機(jī)械尺寸圖，同時(shí)提醒用戶圖紙可能會(huì)隨時(shí)更改，可訪問Fairchild Semiconductor的在線包裝區(qū)域獲取最新的封裝圖紙。

三、商標(biāo)與相關(guān)政策

（一）商標(biāo)

Fairchild Semiconductor擁有眾多商標(biāo)，如AccuPower?、AX - CAP?等。部分商標(biāo)是經(jīng)授權(quán)使用的。

（二）免責(zé)聲明

Fairchild Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行改進(jìn)的權(quán)利，不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任，也不授予專利權(quán)利許可。

（三）生命支持政策

Fairchild的產(chǎn)品未經(jīng)書面批準(zhǔn)，不得用于生命支持設(shè)備或系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

（四）防偽政策

Fairchild采取措施保護(hù)自身和客戶免受假冒零件的影響，鼓勵(lì)客戶從Fairchild或授權(quán)經(jīng)銷商處購(gòu)買產(chǎn)品。

（五）產(chǎn)品狀態(tài)定義

文檔給出了產(chǎn)品狀態(tài)的定義，包括提前信息（Formative / In Design）、初步（First Production）、無需標(biāo)識(shí)（Full Production）和過時(shí)（Not In Production）等不同狀態(tài)及其含義。

四、總結(jié)與思考

FQD8P10 / FQU8P10 P - Channel QFET? MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度等特性，在開關(guān)模式電源、音頻放大器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師在使用該產(chǎn)品時(shí)，需仔細(xì)參考文檔中的各項(xiàng)參數(shù)和特性曲線，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。同時(shí)，要注意產(chǎn)品編號(hào)的變更以及相關(guān)的商標(biāo)、政策等信息。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似產(chǎn)品的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。