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國芯思辰|基本半導體650V SiC肖特基二極管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力車載充電機PFC升壓

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-08-02 10:10 ? 次閱讀
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車載充電機可實現(xiàn)交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆變、輸出整流四部分組成。

其中PFC部分將工頻交流電升壓轉(zhuǎn)化為高壓直流電輸出給DC/DC部分做輸入,如果PFC設計的損耗過大、采用的元器件過多,就無法實現(xiàn)高效率、小體積設計。

通常傳統(tǒng)的SiC器件由于其反向恢復和開關頻率的限制,已經(jīng)不能滿足車載充電機對效率的需求,文本針對車載充電機的PFC升壓部分講到基本半導體650V的SiC肖特基二極管B1D10065F,該二極管是支持車載的SiC肖特基二極管,可降低開關損耗,可高速開關,提升車載充電機整機效率。

碳化硅肖特基二極管B1D10065F的特點如下:

1、結(jié)溫最大額定值為175℃,存儲溫度范圍為-55~175℃,符合高溫應用要求。

2、反向電壓(重復峰值)最大額定值為650V,耐壓性能出色,滿足車載大電壓應用對二極管的要求。

3、連續(xù)正向電流最大額定值為10A,可承受的正向浪涌電流最大額定值為75A(10ms正弦波,25℃),浪涌保護能力強。

4、在25℃溫度條件下,產(chǎn)品的正向壓降最大為1.45V,正向?qū)▔航档?,反向電流的典型值?uA,反向電流小,系統(tǒng)功耗低。

B1D10065F封裝TO-263-2

基本半導體碳化硅肖特基二極管的低開關損耗和高開關頻率可達MHz特性,可無限的將PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代羅姆的SCS210AJ、英飛凌的IDK10G65C5、意法半導體的STPSC10H065G、安森美的FFSB1065B。

采用基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D10065F,可獲得更快的開關頻率和更高的效率,該器件是車載充電機PFC設計的理想選擇。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

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