日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國芯思辰 | 鐵電存儲器PB85RS2MC用于RFID系統,存儲容量2M bit

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-03-31 11:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

RFID射頻識別是一種非接觸式的自動識別技術,它通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據,識別工作無須人工干預,可工作于各種惡劣環(huán)境。RFID技術可識別高速運動物體并可同時識別多個標簽,操作快捷方便。

短距離射頻產品不怕灰塵污染等惡劣的環(huán)境,可在這樣的環(huán)境中替代條碼,例如用在工廠的流水線上跟蹤物體。長距射頻產品多用于交通上,識別距離可達幾十米,如自動收費或識別車輛身份等。以下是典型的RFID系統框圖:

RFID.png

在系統框圖中,低功耗訪問在RFID系統是至關重要的,因為能源消耗是與距離呈指數下降的,鐵電存儲器PB85RS2MC待機電流也僅為9微安。在非接觸式存儲器領域里,PB85RS2MC可以提供一個理想的解決方案,通過對射頻發(fā)射機和接收機改進寫入距離,降低運動的靈敏性以及降低射頻功率需求,使需要寫入的應用獲得優(yōu)勢。

RFID技術識別相比傳統智能芯片更精確,識別的距離更靈活,可以做到穿透性和無屏障閱讀。RFID芯片標簽需要重復地新增、修改、刪除內部儲存的數據,方便信息的更新,內部數據內容經由密碼保護,使其內容不易被偽造,而且數據容量很大,PB85RS2MC的容量為2M bit,完全滿足RFID系統的存儲條件,PB85RS2MC最高讀寫次數100萬次,寫入次數壽命高達10萬億次,且掉電不會出現數據丟失的情況。

拍字節(jié)PB85RS2MC性能參數如下:

·容量:2M bit;

·接口類型:SPI接口;

·工作頻率:25兆赫茲;

·數據保持:10年@85℃(200年@25℃);

·高速讀特性:支持40MHz高速讀命令;

·工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃;

·封裝形式:8引腳SOP封裝,符合RoHS;

注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • RFID
    +關注

    關注

    392

    文章

    7017

    瀏覽量

    249208
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7758

    瀏覽量

    172279
  • 鐵電存儲器
    +關注

    關注

    2

    文章

    199

    瀏覽量

    18834
  • 國芯思辰
    +關注

    關注

    1

    文章

    1184

    瀏覽量

    2479
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    相變存儲器 (PCM) 技術介紹

    ,這種結合的優(yōu)勢顯著。它在提供更大存儲器容量和更高集成度的同時,提高了性能并降低了功耗。 穩(wěn)健可靠PCM技術經過開發(fā)和測試,可滿足高溫運行、抗輻射和數據保留要求。PCM的工作溫度高達+165C,可滿足
    發(fā)表于 04-29 15:58

    技術解析|MB85RS256B FRAM 工業(yè)級存儲方案

    富士通 MB85RS256B 高性能 FRAM,憑借 256Kbit 容量、SPI 接口及高耐久性、零延遲、真非易失性、工業(yè)級寬溫等優(yōu)勢,解決傳統存儲痛點,集成簡便,可優(yōu)化工業(yè)傳感
    的頭像 發(fā)表于 04-15 11:42 ?161次閱讀
    技術解析|MB<b class='flag-5'>85RS</b>256B FRAM 工業(yè)級<b class='flag-5'>存儲</b>方案

    Infineon CY15X108QN:低功耗隨機存儲器的卓越之選

    Infineon CY15X108QN:低功耗隨機存儲器的卓越之選 在各類電子設備中,存儲器的性能直接影響著設備的運行效率和數據安全性。英飛凌(Infineon)的CY15X108
    的頭像 發(fā)表于 03-29 12:00 ?334次閱讀

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點

    的選型。以下是選型時最關鍵的兩個因素:(1)產品對存儲器容量的要求。一般由系統設計部門和軟件設計部門,根據產品需求,共同確定對存儲器容量的要
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?472次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲器</b>選型的考慮要點

    DRAM動態(tài)隨機存取存儲器DDR2 SDRAM內存解決方案

    在半導體存儲領域,DRAM動態(tài)隨機存取存儲器始終是電子設備性能的核心支撐。作為存儲解決方案的重要組成部分,DDR2 SDRAM內存解決方案憑借其高效的數據處理能力和穩(wěn)定的運行表現,廣泛
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:31 ?718次閱讀

    FIFO存儲器的種類、IP配置及應用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名義,FIFO是一個數據具有先進先出的存儲器
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?652次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲器</b>的種類、IP配置及應用

    雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器存儲原理

    在各類存儲設備中,SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?813次閱讀

    武漢源小容量存儲芯片EEPROM產品的特點

    和讀取,適用于需要長期保存關鍵數據的設備。 多種存儲容量:武漢源半導體的EEPROM產品提供多種存儲容量選擇,從2KB到512KB不等,以
    發(fā)表于 11-21 07:10

    源的片上存儲器介紹

    域主要用于存放應用程序代碼和用戶數據,用戶可編程。 ●● 啟動程序存儲器,共 2.5KB,地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區(qū)域主要用于存儲 BootL
    發(fā)表于 11-12 07:34

    技術資訊 I 如何設計存儲卡讀卡

    本文重點存儲卡可以適配各類操作系統存儲容量無上限。標準USB接口為讀卡提供了雙重功能:既能供電,又能實現高速數據傳輸。數字讀卡集成電路
    的頭像 發(fā)表于 10-17 16:16 ?702次閱讀
    技術資訊 I 如何設計<b class='flag-5'>存儲</b>卡讀卡<b class='flag-5'>器</b>

    Flash閃存-RSUN2M:高性能微型 SPI 閃存,開啟智能存儲新體驗

    在萬物互聯與智能終端飛速發(fā)展的時代,存儲器件的性能、可靠性與小型化成為設備創(chuàng)新的關鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲器,以卓越性能、極致設計與全面保障,為各類智能設備注入高效
    的頭像 發(fā)表于 08-19 15:23 ?2215次閱讀
    Flash閃存-RSUN<b class='flag-5'>2M</b>:高性能微型 SPI 閃存,開啟智能<b class='flag-5'>存儲</b>新體驗

    紫光推出低功耗高性能PSRAM產品(低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器

    近日,紫光自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器)芯片系列產品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產品兼容業(yè)界主流接口協議Xccela,容量覆蓋32Mb,
    的頭像 發(fā)表于 07-01 16:42 ?1866次閱讀

    |同步采樣24位模數轉換軟硬件替換ADS1174應用于關口表

    |同步采樣24位模數轉換軟硬件替換ADS1174應用于關口表
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:02 ?1129次閱讀
    <b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>辰</b>|同步采樣24位模數轉換<b class='flag-5'>器</b>軟硬件替換ADS1174應<b class='flag-5'>用于</b>關口表

    MCU存儲器層次結構解析

    ? ? ? ?MCU的存儲器層次結構通過整合不同性能與功能的存儲單元,優(yōu)化系統效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構可分為以下層次: 一、寄存層(最高速) 定位?:集成于CPU內核中,
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?938次閱讀

    多軸控制可使用國產存儲器SF25C20(MB85RS2MT)

    多軸控制可使用國產存儲器SF25C20(MB85RS2MT)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 09:47 ?924次閱讀
    多軸控制<b class='flag-5'>器</b>可使用國產<b class='flag-5'>鐵</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>存儲器</b>SF25C20(MB<b class='flag-5'>85RS2</b>MT)
    西乌珠穆沁旗| 龙口市| 张家界市| 澄城县| 瑞金市| 广平县| 荣成市| 阿克陶县| 嘉峪关市| 吐鲁番市| 友谊县| 克山县| 花莲县| 玛沁县| 怀集县| 常山县| 涿州市| 罗源县| 大安市| 修文县| 大理市| 安远县| 兴国县| 桦川县| 泰兴市| 肥乡县| 江门市| 洪雅县| 金阳县| 资兴市| 定兴县| 潞城市| 鄂伦春自治旗| 惠水县| 丹阳市| 峡江县| 鲁甸县| 开江县| 青冈县| 石柱| 西宁市|