當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。

面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車第三方零部件供應(yīng)商如及時做出相應(yīng)布局，將能率先搶占發(fā)展高地。

具體來看，不同于普通的硅基半導(dǎo)體功率器件MOSFET，不同品牌之間的第三代半導(dǎo)體功率器件MOSFET的參數(shù)差異大，可替代性較差，在實際應(yīng)用中主要存在以下幾個方面的難點：

一是驅(qū)動控制敏感。第三代半導(dǎo)體功率器件MOSFET的柵極氧化層由于比傳統(tǒng)的硅基更薄，其表面的缺陷更容易造成器件可靠性問題。傳統(tǒng)硅基MOSFET驅(qū)動電平的設(shè)計范圍在±30V，對驅(qū)動的設(shè)計要求較低，而第三代半導(dǎo)體功率器件MOSFET的負向驅(qū)動電平普遍要求在-7V以內(nèi)，驅(qū)動電平設(shè)計不合理會造成產(chǎn)品失效率大幅增加，進而造成產(chǎn)品質(zhì)量問題，對應(yīng)用該類器件的產(chǎn)品的驅(qū)動電路參數(shù)設(shè)計、電路布局設(shè)計提出了更高的要求。

二是瞬態(tài)熱管理難度大。第三代半導(dǎo)體功率器件MOSFET器件采用了更小的晶圓，使得器件的瞬態(tài)散熱要求更加嚴(yán)苛，傳統(tǒng)的熱設(shè)計和熱評估手段無法直接應(yīng)用到該類器件上，需采用更加高效的散熱方式和專門熱評估手段，才能確保該類器件的可靠應(yīng)用。

三是EMC電磁干擾問題更加嚴(yán)重。第三代半導(dǎo)體功率器件MOSFET由于結(jié)電容的減少，在降低開關(guān)損耗的同時，也帶來了更加嚴(yán)重的EMC電磁干擾問題，對應(yīng)用該類器件的產(chǎn)品的電路布局設(shè)計技術(shù)、EMC濾波設(shè)計技術(shù)提出了更高的要求。

針對上述痛點，威邁斯通過針對第三代半導(dǎo)體功率器件出臺各項設(shè)計規(guī)范、測試規(guī)范，針對不同品牌的差異采用不同的參數(shù)和控制方式，形成了標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計規(guī)范。

其中，在驅(qū)動控制敏感方面，威邁斯研究評估不同廠商的第三代半導(dǎo)體器件的參數(shù)，通過功率地和驅(qū)動地回路獨立控制的硬件電路設(shè)計解決功率回路中等效串聯(lián)電感對驅(qū)動電壓的影響；在瞬態(tài)熱管理方面，公司通過建立瞬態(tài)熱仿真模型、晶圓直接溫度標(biāo)定等方法，獲得瞬態(tài)下的熱分布數(shù)據(jù)，并基于此數(shù)據(jù)形成系統(tǒng)級的瞬態(tài)熱管理策略；在EMC設(shè)計方面，為實現(xiàn)部件內(nèi)部開關(guān)電磁干擾抑制的系統(tǒng)性優(yōu)化，公司通過專利保護的EMC濾波器件以及主動EMC抑制技術(shù)，優(yōu)化開關(guān)電磁干擾源頭，并通過優(yōu)化高低壓布局、高低壓屏蔽，實現(xiàn)更優(yōu)的開關(guān)電磁干擾路徑控制及耦合串?dāng)_抑制。

一系列的布局，使得威邁斯在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域中取得了亮眼的成績。據(jù)威邁斯IPO上市招股書披露，公司在11kW車載電源產(chǎn)品及40kW液冷充電樁模塊產(chǎn)品，成功應(yīng)用第三代半導(dǎo)體功率器件MOSFET，并實現(xiàn)量產(chǎn)發(fā)貨，已于2022年實現(xiàn)銷售收入14,579.97萬元。

可以預(yù)見的是，依托先發(fā)優(yōu)勢，威邁斯在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場的份額有望繼續(xù)擴大。