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存儲器

RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個SDRAM控制器，可利用該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。

圖16. RA6M3存儲器映射

8.1 SRAM

RA6 MCU提供帶奇偶校驗位或ECC（糾錯碼）的片上高速SRAM模塊。SRAM0的前32KB區(qū)域受ECC控制。奇偶校驗在其他區(qū)域執(zhí)行。下表列出了SRAM規(guī)范。SRAM模塊的數(shù)量和容量因器件而異。有關(guān)詳細(xì)信息，請參見《硬件用戶手冊》。

圖17. RA6M3 SRAM規(guī)范示例

8.2 待機SRAM

RA6 MCU提供了一個片上SRAM，支持在深度軟件待機模式下保留數(shù)據(jù)。下表列出了備用SRAM規(guī)范。

在深度軟件待機模式下，待機SRAM的電源由DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位使能。如果DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位設(shè)置為00b，則將在深度軟件待機模式下保留待機SRAM中的數(shù)據(jù)。有關(guān)DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位的詳細(xì)信息，請參見后文第11節(jié)“低功耗模式”。

圖18. RA6M3待機SRAM規(guī)范示例

Renesas FSP中的LPM（低功耗模式）驅(qū)動程序提供了一個用于切斷或保持待機SRAM電源的選項，如下圖所示。仍然需要調(diào)用LPM驅(qū)動程序的API才能將所選設(shè)置寫入MCU寄存器。

圖19. 使用Renesas FSP配置器使能/禁用待機SRAM的電源

8.3 外設(shè)I/O寄存器

外設(shè)I/O寄存器塊出現(xiàn)在存儲器映射中的不同位置，具體取決于器件和當(dāng)前的工作模式。大多數(shù)外設(shè)I/O寄存器占用的地址范圍為4000 0000h到400F FFFFh。但是，位置和大小可能會因器件而異。有關(guān)詳細(xì)信息，請參見《硬件用戶手冊》。有關(guān)詳細(xì)信息，可參見“I/O寄存器”附錄，也可參見每個外設(shè)功能的寄存器說明。該區(qū)域包含在所有工作模式下始終可用的寄存器。用于控制訪問閃存的閃存I/O寄存器占據(jù)兩個區(qū)域，即407E 0000h至407E FFFFh和407F C000h至407F FFFFh。

Renesas FSP包含采用CMSIS數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的C語言頭文件，這些文件將特定器件的所有外設(shè)I/O寄存器映射到易于訪問的I/O數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

未完待續(xù)