日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝,可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全

東芝半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-06-29 17:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻,比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過(guò)同樣的比較,TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴(kuò)展了76%[3],使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外,其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V,不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。

新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。

未來(lái),東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品線,通過(guò)減少損耗來(lái)提高電源效率,并幫助降低設(shè)備功耗。

應(yīng)用

● 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源

開(kāi)關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

特性

● 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=3.1mΩ(最大值)(VGS=10V)

●寬安全工作區(qū)

●高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃

主要規(guī)格

(除非另有說(shuō)明,Ta=25℃)

960d157c-1660-11ee-962d-dac502259ad0.png

注:

[1] 在設(shè)備運(yùn)行時(shí),在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。

[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。

[3] 脈沖寬度:tw=10ms,VDS=48V

①:https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH3R70APL.html

如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息,請(qǐng)復(fù)制以下鏈接至瀏覽器訪問(wèn):

MOSFET

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線分銷(xiāo)商網(wǎng)站的供貨情況,請(qǐng)復(fù)制以下鏈接至瀏覽器訪問(wèn):

TPH3R10AQM

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH3R10AQM.html

*本文提及的公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

962d053a-1660-11ee-962d-dac502259ad0.gif

965a0fd0-1660-11ee-962d-dac502259ad0.gif點(diǎn)擊“閱讀原文”,了解更多東芝產(chǎn)品信息!

關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新,為客戶(hù)和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶(hù)的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開(kāi)拓新市場(chǎng),公司現(xiàn)已擁有超過(guò)8,598億日元(62億美元)的年銷(xiāo)售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。

如需了解有關(guān)東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社的更多信息,請(qǐng)復(fù)制以下鏈接進(jìn)行訪問(wèn):https://toshiba-semicon-storage.com

96950752-1660-11ee-962d-dac502259ad0.jpg


原文標(biāo)題:東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝,可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全工作區(qū)—

文章出處:【微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

原文標(biāo)題:東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝,可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全工作區(qū)—

文章出處:【微信號(hào):toshiba_semicon,微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Onsemi MOSFETN-Channel 100V 器件的技術(shù)剖析

    : NTB6412AN-D.PDF 產(chǎn)品特性 導(dǎo)通電阻 這些 MOSFET 具有 (R {DS(on)}) 的特性,這意味著在
    的頭像 發(fā)表于 04-10 10:35 ?347次閱讀

    onsemi FDB1D7N10CL7:100V N溝道屏蔽柵功率MOSFET的卓越性能與應(yīng)用

    FDB1D7N10CL7是采用安森美先進(jìn)POWERTRENCH工藝并結(jié)合屏蔽柵技術(shù)的100V N
    的頭像 發(fā)表于 03-31 17:40 ?786次閱讀

    100V N溝道功率MOSFET SMT10T07ALU簡(jiǎn)介

    SMT10T07ALU 是款高性能 100V N 溝道功率 MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:14 ?970次閱讀

    選型手冊(cè):AGM012N10LL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    AGMSEMI推出的AGM012N10LL是款面向100V中壓超大功率場(chǎng)景的N
    的頭像 發(fā)表于 01-08 15:16 ?455次閱讀
    選型手冊(cè):AGM012<b class='flag-5'>N</b>10LL <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率
    的頭像 發(fā)表于 01-06 11:20 ?547次閱讀
    選型手冊(cè):VS1606GS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 12-30 14:58 ?414次閱讀
    選型手冊(cè):VSE011<b class='flag-5'>N</b>10MS-G <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VSO013N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:52 ?625次閱讀
    選型手冊(cè):VSO013<b class='flag-5'>N</b>10MS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VST018N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VST018N10MS是款面向100V中壓大功率場(chǎng)景的N
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:30 ?585次閱讀
    選型手冊(cè):VST018<b class='flag-5'>N</b>10MS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 12-25 16:14 ?423次閱讀
    選型手冊(cè):VSD090<b class='flag-5'>N</b>10MS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 12-23 11:22 ?530次閱讀
    選型手冊(cè):VSE090<b class='flag-5'>N</b>10MS <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:23 ?592次閱讀
    選型手冊(cè):VS1602GMH <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT1165G是款面向100V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:27 ?618次閱讀
    選型手冊(cè):MOT1165G <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    HGK075N10L加濕器MOS管應(yīng)用方案 TO-252 100V15A

    。 強(qiáng)化阻特性:SGT 工藝的深溝槽結(jié)構(gòu)(深度為傳統(tǒng)溝槽的 3 - 5 倍)形成垂直導(dǎo)電通道,搭配屏蔽電極的電荷耦合效應(yīng),可在 100V 耐壓的前提下提高外延層摻雜濃度,進(jìn)步壓低
    發(fā)表于 11-17 14:04

    選型手冊(cè):MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 11-05 12:01 ?573次閱讀
    選型手冊(cè):MOT1793G P <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    Toshiba推出采用新一代工藝技術(shù)[1]的100V N溝道功率MOSFET,以提升工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源效率

    Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V
    的頭像 發(fā)表于 09-28 15:17 ?901次閱讀
    伊宁市| 蓬莱市| 银川市| 盈江县| 朝阳区| 兴安县| 阳春市| 宜君县| 托克逊县| 屯昌县| 慈利县| 乐安县| 南宫市| 仲巴县| 泰州市| 东平县| 新丰县| 象山县| 湖北省| 平江县| 晋中市| 漠河县| 平山县| 乌审旗| 台北市| 东明县| 岳阳县| 伊金霍洛旗| 万年县| 中牟县| 泾阳县| 和顺县| 正镶白旗| 绵竹市| 山阴县| 泽库县| 九寨沟县| 灌南县| 宜兰县| 宿迁市| 佛坪县|