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當(dāng)碳化硅遇見(jiàn)新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界

瞻芯電子 ? 來(lái)源:瞻芯電子 ? 2023-07-10 10:26 ? 次閱讀
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7月11日-13日,瞻芯電子將亮相慕尼黑上海電子展,并展示全系列碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片產(chǎn)品。我們將重點(diǎn)圍繞新能源汽車(chē)應(yīng)用、光伏與儲(chǔ)能、充電樁領(lǐng)域,展示適用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二極管功率模塊,以及驅(qū)動(dòng)芯片和參考設(shè)計(jì)方案。

我們誠(chéng)摯地邀請(qǐng)各界朋友們蒞臨參觀(guān),期待與您共同交流探討更高效、更緊湊、更可靠的能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方案,共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與發(fā)展。

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展會(huì)信息

日期:2023年7月11-13日 展館:上海國(guó)家會(huì)展中心,7.2H展館C210 參觀(guān)時(shí)間:9:00-17:00

產(chǎn)品概覽

瞻芯電子已開(kāi)發(fā)量產(chǎn)了650V-1700V平臺(tái)的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二極管及功率模塊產(chǎn)品,規(guī)格參數(shù)齊全,且有多種貼片、插件、模塊封裝。同時(shí),我們還圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用,開(kāi)發(fā)了多種系列柵極驅(qū)動(dòng)芯片,包括SiC專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)、通用驅(qū)動(dòng)、隔離型驅(qū)動(dòng)。此外,瞻芯電子首創(chuàng)了一系列CCM模擬控制芯片。

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參考設(shè)計(jì)方案

1、20kW充電樁模塊

該方案采用嶄新架構(gòu):電流源PFC+DC-X,利用電池作為超級(jí)電容,以減少了PFC輸出電容,再通過(guò)切換LLC級(jí)變壓器匝數(shù)比,使DC-X在最佳效率點(diǎn)運(yùn)行,讓器件開(kāi)關(guān)頻率提高了2-3倍,增加了系統(tǒng)功率密度、可靠性。

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2、2.5kW 圖騰柱PFC電源

該方案采用簡(jiǎn)單高效率的無(wú)橋功率因數(shù)校正電路,適用于鈦金級(jí)AC/DC交直流變換器設(shè)計(jì)。因采用CCM模擬控制芯片,而實(shí)現(xiàn)快速、精確、可靠的模擬控制,無(wú)需編程,節(jié)約開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本,從而快速開(kāi)發(fā)并推向市場(chǎng)。該方案額定功率為2.5kW,效率高達(dá)99%。拓?fù)鋱D如下:

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本方案中控制芯片為瞻芯電子開(kāi)發(fā)圖騰柱模擬控制芯片IVCC1102,Q1 和Q2 是高頻臂SiC MOSFET,采用了650V 60mΩ SiC MOSFET(IV1Q06060T4),高頻臂的兩顆驅(qū)動(dòng)芯片為SiC 專(zhuān)用·比鄰驅(qū)動(dòng)TMIVCR1401。Q3 和Q4 是低頻臂Si MOSFET。

延申閱讀:瞻芯電子CCM圖騰柱PFC模擬控制IC獲“中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)”

3、11kW三相橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

該方案為車(chē)載空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì),功率高達(dá)11kW,下橋共用一組驅(qū)動(dòng)電源,上橋自舉供電,同時(shí)采用開(kāi)爾文柵極接法,避免了驅(qū)動(dòng)回路與功率回路耦合,因而方案具備高頻率、高效率、高功率密度等特點(diǎn)。該方案所采用三相塑封模塊與比鄰驅(qū)動(dòng)TM芯片,也適用于車(chē)載充電機(jī)(OBC)。

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核心元器件簡(jiǎn)介:IVTM12080TA1Z:三相橋塑封功率模塊:1200V SiC MOSFET inside(車(chē)規(guī)級(jí)設(shè)計(jì))采用氮化鋁陶瓷基板,散熱性能好。IVCR1401:SiC 專(zhuān)用·比鄰驅(qū)動(dòng)TM芯片,采用8pin緊湊封裝,且集成了負(fù)壓驅(qū)動(dòng)、UVLO與故障警報(bào),退飽和保護(hù)與內(nèi)置消隱、負(fù)壓電源等功能。4、200W反激電源該方案是一款反激式輔助電源,可適應(yīng)300V-1000V的超寬范圍供電工作,輸出24Vdc,使用方便靈活,峰值效率可達(dá)90%+,適用于多種場(chǎng)景的輔助電源、開(kāi)關(guān)電源,能提高高功率密度,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。該方案中核心器件為車(chē)規(guī)級(jí)TO263-7封裝的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品。

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原文標(biāo)題:當(dāng)碳化硅遇見(jiàn)新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界

文章出處:【微信號(hào):瞻芯電子,微信公眾號(hào):瞻芯電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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