在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測(cè)過程中需要進(jìn)行電性能參數(shù)的表征，這些測(cè)量需要將精密源表(Source /Measure Unit），LCR表（LCR Meter），數(shù)字萬用表(Digital Multi-Meter）等多種精密儀器組成自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)量非常低的電流，皮安或更小，測(cè)試系統(tǒng)中任何漏電流的存在都會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成很大影響。

聯(lián)訊儀器低漏電流開關(guān)矩陣RM1010-LLC（Low Leakage Current Switch Matrix）采用了特殊的技術(shù)和元器件，能夠有效地抑制電路中的漏電流，提供更高的分辨率和準(zhǔn)確度，可以滿足更高級(jí)別的測(cè)試需求，并且配備了多重保護(hù)功能，可防止過載、短路等情況發(fā)生，保護(hù)測(cè)試儀器和被測(cè)件。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

聯(lián)訊儀器RM1010-LLC 4槽型半導(dǎo)體開關(guān)矩陣可支持多種開關(guān)矩陣卡，用戶可通過上位機(jī)應(yīng)用軟件便捷切換不同測(cè)試通道，迅速搭建測(cè)試系統(tǒng)。

RM1010-LLC支持傳統(tǒng)的SCPI命令，讓測(cè)試代碼的遷移變得輕松快捷，RM1010-LLC還可支持多機(jī)并聯(lián)，便于組建大規(guī)模的測(cè)試系統(tǒng)，提高測(cè)試效率并降低成本。

2

特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

01

多路輸入輸出

14 路輸入48 路輸出（低泄漏矩陣配置多達(dá) 96 交叉節(jié)點(diǎn)）

02

低漏電流

失調(diào)電流小于100fA(低漏電流通道)

03

高速信號(hào)測(cè)量

高帶寬10 MHz 帶寬（- 3dB）

04

模塊化設(shè)計(jì)，輕松搭配使用

模塊化設(shè)計(jì)支持 x12、x24、x36 和 x48 三軸輸出配置

開關(guān)矩陣框圖

3

應(yīng)用場(chǎng)景

在聯(lián)訊儀器半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)WAT6200S中,系統(tǒng)將高精度PXIe數(shù)字源表S2012C 與DMM(DigitalMulti-meter）、LCR儀表和低泄漏開關(guān)矩陣RM1010-LLC結(jié)合在一起，以在測(cè)試點(diǎn)之間共享資源。
三軸電纜及低漏電流開關(guān)矩陣對(duì)整個(gè)測(cè)試過程中維持低泄漏至關(guān)重要。

S2012C 作為系統(tǒng)I-V測(cè)量核心源表 / 三同軸探針卡

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)示意圖 /S2012C及RLM1010在WAT6200S中的應(yīng)用

關(guān)于聯(lián)訊

聯(lián)訊儀器是國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器和設(shè)備提供商。主要專注于光網(wǎng)絡(luò)測(cè)試、光芯片測(cè)試、電性能測(cè)試和功率芯片測(cè)試?？梢蕴峁┌ǜ咚僬`碼儀、網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀、寬帶采樣示波器、高精度波長(zhǎng)計(jì)、光譜儀，通用數(shù)字源表等高端測(cè)試儀器，以及高速光電混合ATE， 激光器芯片老化機(jī)，激光器芯片測(cè)試機(jī)，硅光晶圓測(cè)試機(jī)，功率芯片測(cè)試機(jī)，晶圓老化機(jī)等高端測(cè)試設(shè)備。