本文要點：

1. 核心網絡分析值：電阻、電容和電感

2. 線性被動元件及其電路應用

3. 非線性和有源半導體器件在電路使用方面的區(qū)別

常見的PCB組件及其功能定義了標準電路操作

學習網絡分析有點像學習一門語言：就像一個基礎的字母表可以構建單詞、句子、段落等等，只需要幾個離散的電路元件就可以構建出豐富的電子功能。雖然這是一個非常令人振奮的發(fā)現(xiàn)，但也令人驚訝。少數(shù)幾個PCB組件及其功能如何涵蓋整個電子設計的范圍？關鍵是要理解電子設計是一個廣泛的主題，包含多個子學科，而這些基本組件通常在每個子學科中都有獨特的作用。

Major PCB Component Families

被動線性PCB組件及其功能

電阻、電容和電感在最低抽象級別上代表了組件對系統(tǒng)中電流和電壓的被動響應。電阻是無處不在的；從力學角度來看，它類似于摩擦。就像無摩擦運動是對真實世界表面相互作用的簡化一樣，零電阻是無法實現(xiàn)的。零歐姆電阻器 - 一種可以隨時購買的組件 - 看起來似乎與此相矛盾，但這些電阻器只是提供一個在大多數(shù)情況下可以忽略不計的接近零的電阻值。

電容和電感都存在，盡管不一定同時存在。這兩個值代表了組件的電抗或對交流電的阻抗；電阻則是對直流電的阻抗，這兩個測量值構成了阻抗的矢量分量。與電阻不同，電抗通常可以是正或負的，前者代表電感，后者代表電容。重要的是，電抗是頻率依賴的，在低頻和高頻上分別偏向電容和電感。

每個組件都包含一定量的電阻和電抗，如果在一個不打算提供該參數(shù)的組件中無意間包含了其中之一，這被稱為寄生效應。理解理想化電路元件不能提供對真實電路響應的完整圖像，考慮一下作為基本構建塊的三個組件：

電阻器 - 電阻器抵抗直流電的流動；要求兩個電阻器在終端上獲得相同的電壓降，需要相對較大的電流來實現(xiàn)較高電阻值。電阻器在電路中的一個主要作用是作為對敏感元件的電流限制器。然而，限制電流所產生的功耗會產生歐姆熱，這個熱量必須從其產生點和任何對熱敏感的元件中熱傳導開來，以防止故障、減少使用壽命或火災危險。電阻器還用于電壓分壓、偏置操作條件和終止傳輸線。

電容器 - 電容器通過在兩個電極之間建立電荷分離來以電場形式存儲能量。電容器的充電和放電與其電阻和電容的乘積相當；較小的電容器存儲的能量較少，但可以更動態(tài)地響應不斷變化的電路條件（反之亦然）。由于電容在低頻時增長，在高頻時降為零（確切的值將取決于電容器的具體值），它們可以用作高通濾波器，阻擋直流信號并通過足夠快速的交流信號。電容器還可以為信號提供較小的變化、調節(jié)天線頻率，并實現(xiàn)電力系統(tǒng)的一致、可靠的分配。

電感器 - 電感器在許多方面與電容器相反：它通過磁場存儲能量，在高頻下其電抗增加，并在通過直流信號時濾波交流信號。然而，它也執(zhí)行與電容器相同甚至互補的功能，如紋波濾波、調節(jié)和構建開關電源。電感器是通過將絕緣線圈繞繞和穿過一個環(huán)形鐵磁芯構建而成的。

非線性和半導體器件

僅由被動、線性元件組成的電路可以實現(xiàn)出人意料的功能，然而主動的半導體器件可以實現(xiàn)更廣泛的應用。半導體存在于導體和絕緣體之間的空間，并且通過摻雜過程來控制其狀態(tài)，引入過剩的電子、電子空穴和電子富集（n型）和電子貧窮（p型）區(qū)域之間的結。

最基本的半導體器件是二極管。它是一個單個p-n結，表現(xiàn)出極化，在一個方向上導電非常好，在另一個方向上導電很差（理想情況下根本不導電）。從這個意義上講，二極管的功能類似于流體系統(tǒng)中的單向閥，可以讓電流單向通過，同時防止回流。二極管在電路中扮演著各種角色，包括電壓調節(jié)、調諧、振蕩和發(fā)光。

與前面討論過的組件不同，二極管是一個非線性元件：其電流和電壓不成比例，而是通過I-V曲線相關。非線性在操作的階梯區(qū)域中是顯而易見的，比如閾值和雪崩電壓，需要在一個結的方向上滿足特定的電壓最小值，才能發(fā)生非可忽略的導電。然而，I-V曲線的任何方向的指數(shù)增長是不可持續(xù)的，會導致在擊穿區(qū)域永久損壞，或者在正向偏置方向產生焦耳熱。

另一個主要的半導體器件系列是晶體管。它也像二極管一樣表現(xiàn)出非線性，但它是一個主動元件，能夠將其他形式的能量轉化為電能。晶體管有兩個主要的分支：

雙極性結型晶體管（BJT）- BJT由共享一個半導體結的兩個二極管構成，即p-n-p或n-p-n設計。這三個摻雜的半導體區(qū)域對應于BJT的三個端子：基極、集電極和發(fā)射極。通過施加偏置電壓，使基極處于活動狀態(tài)，從而使集電極和發(fā)射極之間的導電路徑成立。為了實現(xiàn)最佳性能，BJT被設計為從集電極到發(fā)射極導電，然而，它仍然可以從發(fā)射極到集電極導電，但增益較低。在正向或反向偏置基-發(fā)射結和基-集電結的情況下，BJT可以分別作為邏輯高電平或低電平工作。

場效應晶體管（FET）- 與BJT類似，F(xiàn)ET也包含三個端子-源極、柵極和漏極，這些端子類比于發(fā)射極、基極和集電極。相比之下，F(xiàn)ET只用一種電荷載流子（電子或電子空穴）傳導，而不是BJT中的電子和電子空穴的混合。FET在一般功率應用中具有幾個優(yōu)勢。首先，由于柵極端子只在切換時消耗功耗，因此其功耗較低。這可以實現(xiàn)更小型化的封裝。其次，F(xiàn)ET是對稱構造的，對正向和反向操作、增益等沒有區(qū)別。