做電子產(chǎn)品，不免要跟存儲類產(chǎn)品打交道，也就是我們說的MEMORY。

MEMORY從類別上可以分兩類：RAM和ROM。 目前消費類電子中的ROM幾乎都是FLASH型的，主要有NAND和NOR兩大類，還有極小一部分是EPROM或者EEPROM的FLASH。而RAM多是SDRAM或者DDRx SDRAM型的。

實際上還有一類MEMORY，也是手機產(chǎn)品通常采用的:MCP。 它實際上是把RAM和ROM包在一起了。而根據(jù)內(nèi)部包的東西，可以分為NAND+SDRAM型、NOR+SDRAM型，eMMC+SDRAM型。這里邊eMMC就是NAND型的一種，只不過它里邊包了NAND、SDRAM和相應的NAND接口控制器。

具體分類見下圖：

我們先來說FLASH。

通常，手機類嵌入式系統(tǒng)里的Flash相當于電腦的硬盤。用來做硬件啟動、 軟件數(shù)據(jù)存儲和一些用戶數(shù)據(jù)存儲的。

NOR FLASH的特點是傳輸效率高、容量小、貴。 NOR FLASH實行的是芯片內(nèi)執(zhí)行，應用程序可以直接跑在NOR上面，而不用把代碼取到RAM再讀。由于它自身結構特點，很難把NOR FLASH做大，目前能做的最大的就是128MB的，做到這么大的巨貴無比。。。一般都是4MB、8MB以下的應用場景會使用NOR FLASH較多。基于它的特點，手機上已經(jīng)看不見NOR FLASH了。

NAND FLASH的特點是高的寫入和擦除速度、容量大、便宜。 一個8MB的NOR FLASH 比一個128MB的NAND FLASH便宜不了幾毛錢，可想而知這個價格差距是有多大。但是NAND有自己的缺點：就是在使用過程中會產(chǎn)生壞塊，并且容易產(chǎn)生位反轉（NOR也會發(fā)生位反轉，但概率不高）。這就要求NAND在使用時候CPU要有針對它相應的壞塊管理和ECC校驗位檢測。

NAND還能往下分類，分為SLC、MLC和TLC的，它們是單層單元、多層單元和三層單元。 我說下大概原理。SLC一個晶圓根據(jù)它的電壓儲存一個位，內(nèi)容為0或1兩個數(shù)字。MLC一個晶圓能存兩位，內(nèi)容為00、01、10、11四個。TLC就是能存三位了，表示八個數(shù)字?？梢园l(fā)現(xiàn)相同晶圓的TLC要比SLC容量多了7倍。但是，MLC是根據(jù)電壓來分成八位的，存在很多不穩(wěn)定因素，可靠性極差，擦寫次數(shù)也很少，大概壽命500次擦寫左右，因此一般來講很少會用MLC。相對來講SLC的品質就很高，品質好的壽命可以達到上萬次的擦寫。我們通常使用的以SLC居多，MLC也有少量。

現(xiàn)在，由于工藝的提高，要求元器件尺寸越來越小，NAND和NOR的大尺寸不能滿足生產(chǎn)需要，于是一種SPI NAND/NOR FLASH 應運而生。顧名思義，它的本質還是NAND/NOR，只不過接口改用了SPI接口?，F(xiàn)在很多CPU都會兼容SPI NAND/NOR的FLASH，讓選擇可以更多一些。而SPI NAND FLASH由于做了接口處理，所以也有相應的壞塊管理功能在里面，減少了CPU的內(nèi)存資源。

多說一句，我們通常說的SPI FLASH默認指的是SPI NOR FLASH，如果你想要NAND的話一定要特別強調(diào)說出來是SPI NAND FLSH。