TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片
TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片
概述
TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。
一般說明
?RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V?
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
?高功率和電流處理能力
?ESD保護(hù)
?表面安裝包
?無鉛和綠色設(shè)備可用（RoHS兼容）
應(yīng)用
?PWM應(yīng)用程序
?負(fù)載交換機(jī)
?電源管理
?供電系統(tǒng)
審核編輯 黃宇
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