據(jù)外國媒體報道,st. st.半導體不久前與知名汽車公司tier 1生產(chǎn)企業(yè)bergwarner達成協(xié)議,決定向汽車guest power模塊供應碳化硅mosfet零部件。
據(jù)報道,博格華納將使用第三代750v sic mosfet芯片作為現(xiàn)在和未來沃爾沃bev型號的牽引變頻。在此之前,博格華納已經(jīng)與安森美簽訂了10億美元的sic配件合同。stpower mosfet的大量生產(chǎn)在新加坡和意大利的工廠進行,并在摩洛哥和中國的后端工廠進行包裝和測試。
博格華納副總裁斯蒂芬-德默瑞爾表示:“博格華納與意法半導體合作,為我們的老客戶沃爾沃汽車提供了下一代bev平臺逆變器,對此感到非常高興。”
意法半導體汽車部門總經(jīng)理Marco Monti表示:“通過與世界頂級電動汽車供應商伯格-華納的合作,沃爾沃將為顧客提供出色的性能和行駛距離?!蔽覀冋谂U大sic的生產(chǎn)能力并加強供應,包括通過垂直整合和生產(chǎn)來支持全球汽車和工業(yè)客戶的電氣化和效率化。”
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54484瀏覽量
469830 -
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
2201瀏覽量
95873 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3879瀏覽量
70214 -
博格華納
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
31瀏覽量
683
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
博格華納動力驅(qū)動系統(tǒng)蕪湖工廠正式開業(yè)
2026年3月20日,博格華納動力驅(qū)動系統(tǒng)蕪湖工廠(以下簡稱“博格華納蕪湖工廠”)正式開業(yè)。在以
功率半導體銷售培訓手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應用
傾佳電子功率半導體銷售培訓手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電
SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊:電源拓撲與解析
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動板等功率半導體
Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎
作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺與 1200V 工業(yè)級、1200V 車規(guī)級產(chǎn)
瑞能半導體榮膺2025行家極光獎年度中國碳化硅器件Fabless十強企業(yè)
瑞能半導體憑借在碳化硅功率器件領域的持續(xù)創(chuàng)新實力,再度榮獲由半導體行業(yè)知名媒體研究機構(gòu)【行家說三代半】主辦的【2025行家極光獎】的“年度中國碳化硅
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源
簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級
半導體碳化硅(Sic) MOSFET 驅(qū)動電路的詳解;
如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網(wǎng)絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 在我之前的文章里我曾有跟大家分享過典型功率器件的基本概念,又引出碳化硅MOSFET的基本驅(qū)動電壓要求,碳化硅MOSFET在驅(qū)動設計上和傳
傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應用深度分析
傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導體(BASiC Semiconductor)提供的
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了
激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略
提供理論與技術(shù)支持。
引言
隨著碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴苛,晶圓總厚度變化(TTV)作為關(guān)鍵質(zhì)量指標,其精確測量至關(guān)重要。激光干涉法
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;?b class='flag-5'>半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅
意法半導體、博格華納簽署車規(guī)碳化硅器件供應協(xié)議
評論