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駐波效應(yīng)是什么?如何產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制駐波效應(yīng)?

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:Tom聊芯片智造 ? 2023-10-13 18:17 ? 次閱讀
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駐波效應(yīng),在先進(jìn)光刻制程中一個(gè)不可忽視的現(xiàn)象,能引發(fā)一系列的光刻質(zhì)量問(wèn)題,以至于嚴(yán)重影響著圖案的精度。那么駐波效應(yīng)是什么?如何產(chǎn)生的?有什么危害?怎么抑制呢?

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什么是駐波效應(yīng)?

當(dāng)光束經(jīng)過(guò)光刻膠并射向晶圓基底時(shí),光束的一部分會(huì)從襯底表面反射回光刻膠內(nèi)部。這反射的光束與原始的入射光束產(chǎn)生干涉,造成了明暗交替的干涉條紋,這就是“駐波效應(yīng)”。

這種效應(yīng)會(huì)使光刻膠中的光強(qiáng)度呈現(xiàn)出上下起伏的模式:那些處于高光強(qiáng)的部分會(huì)發(fā)生更多的光化學(xué)反應(yīng),而低光強(qiáng)區(qū)域的反應(yīng)則相對(duì)較少。

這導(dǎo)致了在顯影階段,光刻膠的溶解呈現(xiàn)出與光強(qiáng)度模式相匹配的不均勻性,最終在光刻膠的剖面上形成了明顯的起伏結(jié)構(gòu)。

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什么是光的干涉?

當(dāng)兩束或多束同一波長(zhǎng)的光波在同一個(gè)處相交時(shí),相同相位的兩束波振幅相加,形成一個(gè)振幅更大的波,即明條紋。相反相位的兩束波振幅相互抵消,即暗條紋。

相同相位指的是波峰與波峰相遇,波谷與波谷相遇,因此相互疊加。

而相反相位一般為波峰與波谷相遇,波谷與波峰相遇,因此相互抵消。

證明光的干涉的著名實(shí)驗(yàn),則是楊氏雙縫干涉實(shí)驗(yàn),以驗(yàn)證光的波動(dòng)理論。

什么情況下駐波效應(yīng)會(huì)加?。?/strong>

高反射率襯底

如果襯底的反射率較高,反射回來(lái)的光強(qiáng)度較大,與入射光波形成的駐波將更為顯著,相應(yīng)的圖案質(zhì)量問(wèn)題也更加嚴(yán)重。

反射率較高的襯底材料有: 鋁(Al),鉻(Cr),銀(Ag),硅(Si),氧化硅(SiO2),碳化硅(SiC),氮化硅(SiNx),藍(lán)寶石襯底等。

這些襯底能夠形成鏡面反射的效果,會(huì)加劇光刻的駐波效應(yīng)。

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不恰當(dāng)?shù)钠毓鈪?shù)

曝光劑量:曝光劑量指的是單位面積上投射到光刻膠的光子數(shù)量。若曝光劑量過(guò)高,可能在亮帶區(qū)域產(chǎn)生過(guò)度交聯(lián),使光刻膠在該區(qū)域更難以去除。相反,如果曝光劑量過(guò)低,暗帶區(qū)域的光刻膠可能不足以實(shí)現(xiàn)充分交聯(lián),導(dǎo)致這些區(qū)域在后續(xù)顯影過(guò)程中被過(guò)度溶解。

曝光焦距:正確的曝光焦距確保光刻膠上的圖像清晰,如果曝光焦距設(shè)置不精確,光的分布在晶圓上形成不均勻的光強(qiáng)分布。這就意味著某些接收到的光量可能大于或小于預(yù)期,進(jìn)一步放大由駐波效應(yīng)。

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如何抑制駐波效應(yīng)?

PEB

PEB,(Post-Exposure Bake),指的是在曝光后進(jìn)行適當(dāng)烘烤,高溫促進(jìn)光敏劑的擴(kuò)散,一定程度上彌補(bǔ)了光強(qiáng)分布不均,在顯影過(guò)程中得到更均勻的圖案剖面。

涂抗反射膜

使用TARC,BARC等抗反射層。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:光刻中的駐波效應(yīng)

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    發(fā)表于 05-16 08:47
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