ARK（方舟微）研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315EL系列等產(chǎn)品。

該系列耗盡型MOSFET具有超高的閾值電壓參數(shù)，利用其壓閾值特性，非常適合直接用于各類PWM IC的供電方案中，既能實(shí)現(xiàn)PWM IC的寬電壓范圍輸入下的供電需求，又能很好的抑制電路浪涌，為PWM IC提供過(guò)壓保護(hù)。

UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品的主要參數(shù)如下：

01典型電路

UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET穩(wěn)壓應(yīng)用典型電路 (以DMZ1015E為例)如下：

圖1. UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET穩(wěn)壓應(yīng)用典型電路

02應(yīng)用原理

UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET穩(wěn)壓應(yīng)用原理：

如圖1電路所示，PWM IC與DMZ1015E的S-G并聯(lián)，因此PWM IC的VCC電壓就等于DMZ1015E的|V GS |電壓。當(dāng)輸入電壓較低時(shí)，DMZ1015E基本直通，僅在D-S兩端有較小壓降。當(dāng)DMZ1015E工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，MOSFET自身會(huì)工作在飽和區(qū)，根據(jù)耗盡型MOSFET的輸出特性曲線可知，在不同的飽和電流IDS下都會(huì)有唯一的VGS電壓相對(duì)應(yīng)，且該VGS電壓數(shù)值上與同樣IDS電流下的|V GS(OFF) |相等。

而在圖1所示電路中，V GS≤0V，因此VGS電壓的范圍為：0V≤|VGS |≤|V GS(OFF) | (MAX) ，即VCC的電壓大小根據(jù)IDS電流的不同，只能在DMZ1015E的閾值電壓范圍內(nèi)變化，IDS電流越大，|VGS|數(shù)值越小。當(dāng)IDS電流一定時(shí)，輸出電壓|VGS |也唯一確定。

因此使用ARK（方舟微）UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET可以直接給PWM IC進(jìn)行寬電壓范圍輸入條件下的穩(wěn)壓供電。

ARK（方舟微）

UltraVt?超高閾值耗盡型MOSFET

01

ARK（方舟微）UltraVt ? 超高閾值耗盡型MOSFET可直接替代傳統(tǒng)三極管供電方案：

圖2.UltraVt?超高閾值耗盡型MOSFET替代傳統(tǒng)供電方案

02

單繞組的VCC供電電路示意圖：

圖3.UltraVt ? 超高閾值耗盡型MOSFET在單繞組供電方案中的應(yīng)用

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雙繞組VCC供電供電電路示意圖：

圖4.UltraVt ? 超高閾值耗盡型MOSFET在雙繞組供電方案中的應(yīng)用