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從零了解電控IGBT模塊

貞光科技 ? 2023-11-20 16:44 ? 次閱讀
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當(dāng)前電動(dòng)汽車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。

從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊

電驅(qū)系統(tǒng)IGBT模塊的作用

要弄明白IGBT模塊,就要先了解新能源汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話(huà)概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車(chē)時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡?a target="_blank">AC)(這個(gè)過(guò)程即逆變),讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,再通過(guò)傳動(dòng)系統(tǒng)(主要是減速器)讓汽車(chē)的輪子跑起來(lái)。反過(guò)來(lái),把車(chē)輪的機(jī)械能轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)到電池的過(guò)程就是動(dòng)能回收。

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1、什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅(qū)系統(tǒng)”?

三電系統(tǒng),即動(dòng)力電池(簡(jiǎn)稱(chēng)電池)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)(簡(jiǎn)稱(chēng)電機(jī))、電機(jī)控制器(簡(jiǎn)稱(chēng)電控),也被人們成為三大件,加起來(lái)約占新能源車(chē)總成本的70%以上,是決定整車(chē)運(yùn)動(dòng)性能核心的組件。

電驅(qū)系統(tǒng),我們一般簡(jiǎn)單把電機(jī)、電控、減速器,合稱(chēng)為電驅(qū)系統(tǒng)。

但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進(jìn)精電動(dòng)招股說(shuō)明書(shū),電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動(dòng)電機(jī)總成(將動(dòng)力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機(jī)械能,是輸出動(dòng)力的來(lái)源)、控制器總成(基于功率半導(dǎo)體的硬件及軟件設(shè)計(jì),對(duì)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)控制,并持續(xù)豐富其他控制功能)、傳動(dòng)總成(通過(guò)齒輪組降低輸出轉(zhuǎn)速提高輸出扭矩,以保證電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)持續(xù)運(yùn)行在高效區(qū)間)。

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圖:電驅(qū)系統(tǒng)示意圖

圖片來(lái)源:進(jìn)精電動(dòng)招股說(shuō)明書(shū)

2、什么是“多合一電驅(qū)系統(tǒng)”?

一開(kāi)始電機(jī)、電控、減速器都是各自獨(dú)立的零部件,但隨著技術(shù)的進(jìn)步,我們把這三個(gè)部分集合在一起做成一個(gè)部件,就變成了“三合一電驅(qū)”。集成的目的主要是節(jié)省空間、降低重量、提升性能、降低成本。

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圖片來(lái)源,巨一科技官網(wǎng)、翠展微整理

目前市場(chǎng)上集成度較高的有比亞迪旗下弗迪動(dòng)力的“八合一電動(dòng)力總成”,這套八合一電驅(qū)系統(tǒng)集成了驅(qū)動(dòng)電機(jī)、電機(jī)控制器、減速器、車(chē)載充電器、直流變換器、配電箱、整車(chē)控制器、電池管理器。

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圖片來(lái)源,弗迪動(dòng)力

當(dāng)然,也并不是說(shuō)集成度越高就越好,需要解決的有散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、系統(tǒng)穩(wěn)定性、生產(chǎn)工藝成熟度等問(wèn)題,對(duì)消費(fèi)者來(lái)說(shuō),后期維修成本也是一大問(wèn)題。所以具體怎樣選用多合一電驅(qū)系統(tǒng)還需要綜合。

CIAS半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)

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3、IGBT模塊究竟如何工作?

在電控模塊中,IGBT模塊是逆變器的最核心部件,總結(jié)其工作原理

通過(guò)非通即斷的半導(dǎo)體特性,不考慮過(guò)渡過(guò)程和寄生效應(yīng),我們將單個(gè)IGBT芯片看做一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。我們?cè)谀K內(nèi)部搭建起若干個(gè)IGBT芯片單元的并串聯(lián)結(jié)構(gòu),當(dāng)直流電通過(guò)模塊時(shí),通過(guò)不同開(kāi)關(guān)組合的快速開(kāi)斷,來(lái)改變電流的流出方向和頻率,從而輸出得到我們想要的交流電。

IGBT模塊結(jié)構(gòu)汽車(chē)IGBT模塊應(yīng)用

上面提到了IGBT模塊在電驅(qū)系統(tǒng)中的作用,下面我們展開(kāi)來(lái)具體看看IGBT模塊的結(jié)構(gòu)。

4、IGBT模塊實(shí)物長(zhǎng)啥樣?

IGBT模塊的標(biāo)準(zhǔn)封裝形式是一個(gè)扁平的類(lèi)長(zhǎng)方體,下圖為HP1模塊的正上方視角,最外面白色的都是塑料外殼,底部是導(dǎo)熱散熱的金屬底板(一般是銅材料)??梢钥吹侥K外面還有非常多的端子和引腳,各自有自己的作用:

1是DC正,2是DC負(fù);3,4,5是三相交流電的U、V、W接口;6,25,22是集電極的信號(hào)端子,7,9,11,13,15,17是門(mén)極信號(hào)端子;8,10,12,14,16,18是發(fā)射極信號(hào)端子;19是DC負(fù)極信號(hào)端子;23,24是NTC熱敏電阻端子。

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圖:HP1模塊等效電路圖

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圖:HP1模塊等效電路圖

圖片來(lái)源,翠展微

5、IGBT的基礎(chǔ)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是怎樣的?

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圖:IGBT模塊基礎(chǔ)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

圖片來(lái)源,翠展微

如上圖所示,在IGBT模塊/單管中,一般統(tǒng)稱(chēng)一單元是IGBT單管,二單元是單個(gè)橋臂(半橋),四單元是H橋(單相橋),六單元是三相橋(全橋),七單元一般是六單元+一個(gè)制動(dòng)單元,八單元一般是六單元+制動(dòng)單元+預(yù)充電單元。

一個(gè)單元由1對(duì)、2對(duì)或3對(duì)FRD+IGBT組成。其中1對(duì),可以是1個(gè)FRD+1個(gè)IGBT,也可以是1個(gè)FRD+2個(gè)IGBT等。

具體實(shí)物可參照下圖,這是一個(gè)6單元的IGBT模塊。

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圖:英飛凌Primepack IGBT模塊

圖片來(lái)源,"耿博士電力電子技術(shù)"公眾號(hào)

6、IGBT模塊的生產(chǎn)流程?

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圖:IGBT 標(biāo)準(zhǔn)封裝結(jié)構(gòu)橫切面

圖片來(lái)源,翠展微

如上圖所示,可以看到IGBT模塊橫切面的界面,目前殼封工藝的模塊基本結(jié)構(gòu)都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下:

貼片→真空回流焊接→超聲波清洗→X-ray缺陷檢測(cè)→引線(xiàn)鍵合→靜態(tài)測(cè)試→二次焊接→殼體灌膠與固化→端子成形→功能測(cè)試(動(dòng)態(tài)測(cè)試、絕緣測(cè)試、反偏測(cè)試)

貼片,首先將IGBT wafer上的每一個(gè)die貼片到DBC上。DBC是覆銅陶瓷基板,中間是陶瓷,雙面覆銅,DBC類(lèi)似PCB起到導(dǎo)電和電氣隔離等作用,常用的陶瓷絕緣材料為氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN);

真空焊接,貼片后通過(guò)真空焊接將die與DBC固定,一般焊料是錫片或錫膏;

X-ray空洞檢測(cè),需要檢測(cè)在敢接過(guò)程中出現(xiàn)的氣泡情況,即空洞,空洞的存在將會(huì)嚴(yán)重影響器件的熱阻和散熱效率,以致出現(xiàn)過(guò)溫、燒壞、爆炸等問(wèn)題。一般汽車(chē)IGBT模塊要求空洞率低于1%;

接下來(lái)是wire bonding工藝,用金屬線(xiàn)將die和DBC鍵合,使用最多的是鋁線(xiàn),其他常用的包括銅線(xiàn)、銅帶、鋁帶;

中間會(huì)有一系列的外觀(guān)檢測(cè)、靜態(tài)測(cè)試,過(guò)程中有問(wèn)題的模塊直接報(bào)廢;

重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上,然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序;

出廠(chǎng)前會(huì)做最后的功能測(cè)試,包括電氣性能的動(dòng)態(tài)測(cè)試、絕緣測(cè)試、反偏測(cè)試等等。

7、常見(jiàn)的汽車(chē)IGBT模塊封裝類(lèi)型有哪些?

Econodual 系列半橋封裝,應(yīng)用在商用車(chē)上為主,主要規(guī)格為1200V/450A,1200V/600A等;

HP1全橋封裝,主要用在中小功率車(chē)型上,包括部分A級(jí)車(chē)、絕大部分的A0、A00車(chē),峰值功率一般在70kW以?xún)?nèi),型號(hào)以650V400A為主,其他規(guī)格如750V300A、750V400A、750V550A等;

HPD全橋封裝,中大功率型車(chē)上使用,大部分A級(jí)車(chē)及以上,以750V820A的規(guī)格占據(jù)市場(chǎng)主流,其他規(guī)格如750V550A等;

DC6全橋封裝,基于UVW三相全橋的整體式封裝方案,具備封裝緊湊,功率密度高,散熱性能好等特點(diǎn);

TO247單管并聯(lián),市場(chǎng)上也有少量使用TO247單管封裝的電控系統(tǒng)方案。使用單管并聯(lián)方案的優(yōu)勢(shì)主要有兩點(diǎn):①單管方案可以實(shí)現(xiàn)靈活的線(xiàn)路設(shè)計(jì),需要多大的電流就用相應(yīng)的單管并聯(lián)就好了,所以成本也有一定優(yōu)勢(shì);②寄生電感問(wèn)題比IGBT模塊好解決。但是使用單管并聯(lián)也存在一些待解決的難點(diǎn):①每個(gè)并聯(lián)單管之間均流和平衡比較困難,一致性比較難得到保障,例如實(shí)現(xiàn)同時(shí)的開(kāi)斷,相同的電流、溫度等;②客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)、工藝難度非常大;③接口比較多,對(duì)產(chǎn)線(xiàn)的要求很高。

8、汽車(chē)IGBT模塊要做哪些測(cè)試驗(yàn)證?

汽車(chē)IGBT模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域,因此車(chē)規(guī)認(rèn)證成為了汽車(chē)IGBT模塊市場(chǎng)的最重要壁壘,一般來(lái)說(shuō),車(chē)規(guī)級(jí)IGBT需要2年左右的車(chē)型導(dǎo)入周期。

汽車(chē)IGBT模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照AEC-Q101和AQG-324,同時(shí)車(chē)企會(huì)根據(jù)自己的車(chē)型特點(diǎn)提出相應(yīng)的要求,主要測(cè)試方法包括:參數(shù)測(cè)試、ESD測(cè)試、絕緣耐壓、機(jī)械振動(dòng)、機(jī)械沖擊、高溫老化、低溫老化、溫度循環(huán)、溫度沖擊、UHAST(高溫高濕無(wú)偏壓)、HTRB(高溫反偏)、HTGB(高溫刪偏)、H3TRB/HAST(高溫高濕反偏)、功率循環(huán)、可焊性。

其中功率循環(huán)和溫度循環(huán)作為代表的耐久測(cè)試,要求極為嚴(yán)格,例如功率循環(huán)次數(shù)可能從幾萬(wàn)次到十萬(wàn)次不等。主要目的是測(cè)試鍵合線(xiàn)、焊接層等機(jī)械連接層的耐久情況。測(cè)試時(shí)的失效機(jī)理主要是,芯片、鍵合線(xiàn)、DBC、焊料等的熱膨脹系數(shù)不一致,導(dǎo)致鍵合線(xiàn)脫落、斷裂,芯片焊層分離,以及焊料老化等。

中國(guó)汽車(chē)IGBT市場(chǎng)情況

隨著國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈上游大有逐步完成國(guó)產(chǎn)替代,甚至引領(lǐng)世界的趨勢(shì),諸如整車(chē)品牌、動(dòng)力電池、電池材料等等已經(jīng)走得比較靠前。而汽車(chē)電控IGBT模塊是新能源汽車(chē)最核心的功率器件,之前一直被諸如英飛凌、安森美、賽米控、三菱電機(jī)等國(guó)外供應(yīng)商壟斷,但隨著比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中車(chē)時(shí)代、士蘭微、翠展微等國(guó)內(nèi)供應(yīng)商的崛起,目前在一定程度上已經(jīng)能夠滿(mǎn)足國(guó)產(chǎn)需求,相信在不久的將來(lái),國(guó)內(nèi)汽車(chē)半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)更大更強(qiáng)!

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    的核心驅(qū)動(dòng)模塊。這款來(lái)自日立(現(xiàn)屬美蓓亞三美)的IGBT模塊,通過(guò)高度集成化設(shè)計(jì),把IGBT、FWDs(續(xù)流二極管)、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等全部集合在單一芯片內(nèi),實(shí)現(xiàn)了
    的頭像 發(fā)表于 08-14 09:55 ?784次閱讀
    浮思特 | 空調(diào)高效穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn):少不了這樣一款<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>!

    飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在戶(hù)外儲(chǔ)能電源的應(yīng)用

    戶(hù)外儲(chǔ)能電源中的DC-AC逆變模塊(放電)、AC-DC整流模塊(充電)都會(huì)使用到IGBT單管。而設(shè)計(jì)的專(zhuān)業(yè)角度可了解到,不同戶(hù)外儲(chǔ)能電源對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 07-30 15:33 ?2481次閱讀
    飛虹<b class='flag-5'>IGBT</b>單管FHA75T65V1DL在戶(hù)外儲(chǔ)能電源的應(yīng)用

    部分外資廠(chǎng)商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    部分IGBT模塊廠(chǎng)商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?1121次閱讀
    部分外資廠(chǎng)商<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率<b class='flag-5'>模塊</b>市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    大功率IGBT模塊了解多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?

    一、核心定義與結(jié)構(gòu)特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續(xù)流二極管(FWD)的復(fù)合功率器件,通過(guò)多層封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高電壓、大電流承載能力35。其典型結(jié)構(gòu)包含: ? 芯片
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:49 ?1864次閱讀
    大功率<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>你<b class='flag-5'>了解</b>多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?

    IGBT模塊吸收回路分析模型

    IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定:所有二極管的通態(tài)電壓降為,開(kāi)關(guān)器件T的拖尾電流為,開(kāi)關(guān)器件T的通態(tài)電壓降為。
    的頭像 發(fā)表于 05-21 09:45 ?1423次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>吸收回路分析模型
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